【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路工艺，尤其涉及一种晶舟及半导体设备和薄膜生长工艺中的防粘接方法。
技术介绍
1、多晶硅薄膜工艺常用于单晶硅片的吸杂，而在多晶硅薄膜生长过程，硅片（晶圆）和载体晶舟之间产生的粘接无法避免。且随着薄膜厚度的增加，粘接程度也会越重，导致在硅片的边缘表现出缺角、崩边现象，进而会影响硅片的强度，从而可能造成裂片并产生损失。
2、目前，常用的降低粘接程度的方式，一方面是通过增加晶舟上用于支撑硅片的舟齿（支撑脚）表面的粗糙度，来改变舟齿与硅片之间的接触形貌；另一方面是采用将舟齿设计成向上倾斜一定角度的形式，以将与硅片之间的接触方式由普通的面接触改为线接触，以此来减轻粘接程度。
3、然而，上述增加舟齿表面粗糙度的方式，会因舟齿与硅片之间的反复摩擦，以及清洗带来的腐蚀作用而逐渐丧失其作用。而设计倾斜角度舟齿的方式，在晶舟的不断使用过程中，以及经过多次清洗后，上述的线接触部位表面会慢慢被消耗，从而会慢慢转变为小面积接触，使得粘接程度又会逐渐加剧。而且，采用线接触的倾斜舟齿设计方式，在应对超高膜厚工艺（例如...
【技术保护点】
1.一种晶舟，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑组件和所述第二支撑组件至少其一活动设于晶舟上。
3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑组件为N个，所述第二支撑组件为M个，N≧3，M≧3，且各所述第一支撑组件和各所述第二支撑组件沿轴向分布于所述晶舟的边缘上。
4.根据权利要求3所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑组件包括沿轴向设置的第一支撑柱，和设于所述第一支撑柱上的一个或沿轴向排布的多个第一支撑脚，所述第二支撑组件包括沿轴向设置的第二支撑柱，和设于所述第二支撑柱上的一个或沿轴向...
【技术特征摘要】
1.一种晶舟，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑组件和所述第二支撑组件至少其一活动设于晶舟上。
3.根据权利要求2所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑组件为n个，所述第二支撑组件为m个，n≧3，m≧3，且各所述第一支撑组件和各所述第二支撑组件沿轴向分布于所述晶舟的边缘上。
4.根据权利要求3所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑组件包括沿轴向设置的第一支撑柱，和设于所述第一支撑柱上的一个或沿轴向排布的多个第一支撑脚，所述第二支撑组件包括沿轴向设置的第二支撑柱，和设于所述第二支撑柱上的一个或沿轴向排布的多个第二支撑脚，所述第一支撑脚与所述第二支撑脚在轴向上对应设置，且位于不同的支撑平面上，所述第一支撑柱固定设于所述晶舟上，所述第二支撑柱移动设于所述晶舟上，当所述第二支撑柱受驱动作相对于所述第一支撑柱的轴向移动时，所述第二支撑脚的位置由相对位于所述第一支撑脚所在支撑平面的一侧变化至相对位于所述第一支撑脚所在支撑平面的另一侧，在所述第一支撑脚与所述第二支撑脚之间发生支撑作用的更替。
5.根据权利要求4所述的晶舟，其特征在于，所述第一支撑脚和所述第二支撑脚沿径向设置或朝向所述晶舟的顶部倾斜设置。
6.根据权利要求4所述的晶舟，其特征在于，还包括：顶板和底板，所述顶板和所述底板相对设置，所述第一支撑柱和所述第二支撑柱沿轴向设于所述顶板和所述底板之间，并沿所述顶板和所述底板的周向分布，所述第二支撑柱的上端...
【专利技术属性】
技术研发人员：武瑞杰，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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