掩模板版图的修正方法及系统和掩模板技术方案

本发明专利技术提供了一种掩模板版图的修正方法及系统和掩模板，方法包括以下步骤：S1，获取版图的技术节点信息及工艺层次信息以确定需要在邻侧添加辅助图形的目标主图形；S2，计算目标主图形到与其相邻的主图形的距离并记录为初始距离值；计算目标主图形的宽度值；S3，根据目标主图形的宽度值和初始距离值在目标主图形的邻侧生成初始辅助图形；S4，计算目标主图形到与其相邻的图形的距离并记录为修正距离值；判断修正距离值是否满足优化条件；S5，当修正距离值满足优化条件时，调整辅助图形的数量值和/或调整辅助图形的宽度值，重复执行S4直至修正距离值不再满足优化条件；S6，对辅助图形进行过曝检查。该方法用于增大掩模板的光刻工艺窗口。工艺窗口。工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
掩模板版图的修正方法及系统和掩模板


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种掩模板版图的修正方法及系统和掩模板。

技术介绍

[0002]随着电路集成度的提高和规模的增大，电路中的单元器件尺寸不断缩小，对集成电路制造工艺的要求不断提高，例如关键尺寸(Critical Dimension，CD)持续减小，芯片制造对光刻分辨率要求越来越高。
[0003]为了解决传统光刻分辨率极限问题，现有技术在光刻图形周围添加小于分辨率极限的亚分辨率辅助图形。在辅助图形的添加时，通常是基于规则添加辅助图形，以满足曝光工艺要求。辅助图形的添加将影响到光刻工艺的精度和质量，进而影响到半导体器件的良率。
[0004]但是，现有技术在对主图形周围添加辅助图形后，容易出现主图形周围的光强分布不均匀，存在光刻工艺窗口较小的问题，容易导致器件断路或短路的问题，产品良率低，工艺风险大。因此，亟需一种新型的掩模板版图的修正方法及系统和掩模板以改善上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种掩模板版图的修正方法及系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模板版图的修正方法，用于在掩模板版图的主图形之间添加辅助图形，其特征在于，包括以下步骤：S1，获取版图的技术节点信息及工艺层次信息以确定需要在邻侧添加辅助图形的目标主图形；S2，计算所述目标主图形到与其相邻的主图形的距离并记录为初始距离值；计算所述目标主图形的宽度值；S3，根据所述目标主图形的宽度值和所述初始距离值在目标主图形的邻侧生成初始辅助图形；S4，计算所述目标主图形到与其相邻的图形的距离并记录为修正距离值；判断所述修正距离值是否满足优化条件；S5，当所述修正距离值满足优化条件时，调整辅助图形的数量值和/或调整辅助图形的宽度值，重复执行步骤S4直至所述修正距离值不再满足优化条件；S6，调用光学模型，对所述辅助图形进行过曝检查；所述过曝检查不合格时，在执行步骤S5时减小所述辅助图形的宽度值，重复执行步骤S4
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S5直至所述过曝检查合格。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2包括，计算所述目标主图形的第一边到与其相邻的主图形的距离并记录为第一初始距离值；计算所述目标主图形的第二边到与其相邻的主图形的距离并记录为第二初始距离值；计算所述目标主图形的第一边到所述目标主图形的第二边的距离，即所述目标主图形的宽度值。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4包括，计算所述目标主图形的第一边到与其相邻的图形的距离并记录为第一修正距离值；计算所述目标主图形的第二边到与其相邻的图形的距离并记录为第二修正距离值。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述优化条件设置为满足：其中，L21为所述第一修正距离值，L22为所述第二修正距离值，W为所述目标主图形的宽度值，m为大于零的常数。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S5包括，在满足制版规则的基础上，增大所述辅助图形的数量值；或在满足制版规则的基础上，增大所述辅助图形的宽度值；或在满足制版规则的基础上，增大所述辅助图形的数量值和宽度值。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚逸云，王栋，袁伟，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：