闪存测试切换电路制造技术

本发明专利技术提供了一种闪存测试切换电路，包括正高压电荷泵测试输出电路和负高压电荷泵测试输出电路，所述负高压电荷泵测试输出电路的输出端与所述正高压电荷泵测试输出电路的输出端复用一个IO接口，减少了IO接口的数量，降低了成本。低了成本。低了成本。

【技术实现步骤摘要】
闪存测试切换电路


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种闪存测试切换电路。

技术介绍

[0002]闪存存储芯片内部通常集成了很多模拟电路，包括带隙基准电压源(Bandgap Reference，BGR)、低压差线性稳压器(Low Dropoutregulator，LDO)、振荡器(OSCillator，OSC)、电荷泵(Charge Pump)、调整器(Regulator)等，为提高芯片测试效率，通常芯片内部需要集成一块模拟量的可测试切换电路。
[0003]图1为现有技术中测试切换电路的示意图。现有技术中测试切换电路包括正高压电荷泵测试输出电路、负高压电荷泵测试输出电路、低压差线性稳压器测试输出电路、工业标准结构总线测试输出电路、振荡器测试输出电路、带隙基准电压源测试输出电路和调整器测试输出电路，所述正高压电荷泵测试输出电路连接正高压电荷泵VPOS_CP和I/O1，所述负高压电荷泵测试输出电路极连接负高压电荷泵VNEG_CP和I/O2，所述低压差线性稳压器测试输出电路连接低压差线性稳压器LDO和I/O3，所述振荡器测试本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存测试切换电路，其特征在于，包括：正高压电荷泵测试输出电路；负高压电荷泵测试输出电路，所述负高压电荷泵测试输出电路的输出端与所述正高压电荷泵测试输出电路的输出端复用一个IO接口。2.根据权利要求1所述的闪存测试切换电路，其特征在于，所述正高压电荷泵测试输出电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极作为所述正高压电荷泵测试输出电路的输入端，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的漏极作为所述正高压电荷泵测试输出电路的输出端，所述第一PMOS管的栅极用于在所述正高压电荷泵测试输出电路选通时接第一电压，在所述正高压电荷泵测试输出电路关断时接第二电压，所述第二PMOS管的栅极接第一电压。3.根据权利要求1所述的闪存测试切换电路，其特征在于，所述负高压电荷泵测试输出电路包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏极作为所述负高压电荷泵测试输出电路的输入端，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极作为所述负高压电荷泵测试输出电路的输出端，所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均用于在所述负高压电荷泵测试输出电路选通时接第三电压，在所述负高压电荷泵测试输出电路关断时接第四电压，在所述负高压电荷泵测试输出电路关断时接第一电压。4.根据权利要求1所述的闪存测试切换电路，其特征在于，还包括低压差线性稳压器测试输出电路，所述低压差线性稳压器测试输出电路的输出端与所述正高压电荷泵测试输出电路的输出端复用一个IO接口，所述低压差线性稳压器测试输出电路包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极作为所述低压差线性稳压器测试输出电路的输入端，所述第三NMOS管的源极作为所述低压差线性稳压器测试输出电路的输出端，所述第三NMOS管的栅极用于在所述低压差线性稳压器测试输出电路选通时接第三电压，在所述低压差线性稳压器测试输出电路关断时接第一电压。5.根据权利要求1所述的闪存测试切换电路，其特征在于，还包括振荡器测试输出电路，所述振荡器测试输出电路的输出端与所述正高压电荷泵测试输出电路的输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：任永旭，沈灵，严慧婕，蒋宇，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：