通过存储器装置中的字线跟踪RC时间常数制造方法及图纸

本公开涉及通过存储器装置中的字线跟踪RC时间常数。一种存储器装置包含包括多条字线的存储器阵列，以及与所述存储器阵列可操作地耦合的控制逻辑。所述控制逻辑使测量编程脉冲被顺序地施加到所述存储器阵列的所述多条字线中的每一条，并且确定存储在与所述多条字线中的每一条相关联的多个存储器单元中的相应阈值电压。所述控制逻辑进一步基于所述多个存储器单元在每条字线内的位置来确定所述相应阈值电压之间的差值，并且鉴于所述相应阈值电压之间的所述差值来确定所述多条字线中的每一条的相应电阻

【技术实现步骤摘要】
通过存储器装置中的字线跟踪RC时间常数


[0001]本公开的实施例总体上涉及存储器子系统，并且更具体地，涉及通过存储器子系统的存储器装置中的字线跟踪RC时间常数。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据并从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的一个方面涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括多条字线；以及控制逻辑，所述控制逻辑与所述存储器阵列可操作地耦合，以执行包括以下的操作：使测量编程脉冲被顺序地施加到所述存储器阵列的所述多条字线中的每一条；确定存储在与所述多条字线中的每一条相关联的多个存储器单元中的相应阈值电压；基于所述多个存储器单元在每条字线内的位置来确定所述相应阈值电压之间的差值；以及鉴于所述相应阈值电压之间的所述差值来确定所述多条字线中的每一条的相应电阻
‑
电容RC时间常数。
[0004]本公开的另一方面涉及一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括多条字线；以及控制逻辑，所述控制逻辑与所述存储器阵列可操作地耦合，以执行包括以下的操作：使测量编程脉冲被顺序地施加到所述存储器阵列的所述多条字线中的每一条；确定存储在与所述多条字线中的每一条相关联的多个存储器单元中的相应阈值电压；基于所述多个存储器单元在每条字线内的位置来确定所述相应阈值电压之间的差值；以及鉴于所述相应阈值电压之间的所述差值来确定所述多条字线中的每一条的相应电阻
‑
电容RC时间常数。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将执行进一步包括以下的操作：使所述相应RC时间常数的指示存储在与每条相应字线相关联的所述存储器单元中的至少一个中。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中使所述测量编程脉冲被顺序地施加到所述存储器阵列的所述多条字线中的每一条包括使耦合到所述多条字线中的每一条的第一端的信号驱动器施加所述测量编程脉冲。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中基于所述多个存储器单元在每条字线内的所述位置来确定所述相应阈值电压之间的所述差值包括确定随着所述存储器单元距每条字线的所述第一端的距离增加，所述相应阈值电压降低多少。5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中基于所述多个存储器单元在每条字线内的所述位置来确定所述相应阈值电压之间的所述差值包括：识别在每条字线的所述第一端的阈值距离内的第一组存储器单元和距每条字线的所述第一端超过所述阈值距离的第二组存储器单元；确定在所述第一组中具有低于编程验证电平的阈值电压的第一数量的存储器单元和在所述第二组中具有低于所述编程验证电平的阈值电压的第二数量的存储器单元；以及确定所述第一数量的存储器单元和所述第二数量的存储器单元之间的差值。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中确定所述多条字线中的每一条的所述相应RC时间常数包括识别数据结构中的相应条目，每个条目包括所述相应阈值电压之间的所述差值的指示和所述相应RC时间常数的指示。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将执行进一步包括以下的操作：基于所述多条字线中的至少一条的所述相应RC时间常数随时间的变化，检测所述至少一条字线中的缺陷。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将执行进一步包括以下的操作：基于所述相应RC时间常数，调整所述多条字线中的一条的过驱动电压或欠驱动电压中的至少一者。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将执行进一步包括以下的操作：
基于所述相应RC时间常数，调整用于在所述多条字线中的一条上执行的编程操作的编程脉冲之间的步长。10.一种方法，其包括：使测量编程脉冲被顺序地施加到存储器装置的存储器阵列的多条字线中的每一条；确定存储在与所述多条字线中的每一条相关联的多个存储器单元中的相应阈值电压；基于所述多个存...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：