一种去除干法刻蚀中聚合物的方法技术

本发明专利技术提供了一种去除干法刻蚀中聚合物的方法，包括在硬掩模刻蚀过程中，在初始温度下采用含有CF基的气体对所述硬掩模进行刻蚀；在所述硬掩模刻蚀之后对所述硬掩模进行过刻蚀，在所述硬掩模过刻蚀过程中，将所述初始温度调整至目标温度，使得所述硬掩模刻蚀过程中产生的聚合物升华，并同步调整抽气设备的开启状态后维持第一时刻，以将升华后的所述聚合物从加工腔室内排出。本发明专利技术在对晶圆的硬掩模刻蚀过程中，将加工腔室内的温度调整至目标温度，使得残留在硬掩模上的聚合物升华并通过抽气设备向外排出从而有效去除残留在硬掩模上的聚合物，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种去除干法刻蚀中聚合物的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种去除干法刻蚀中聚合物的方法。

技术介绍

[0002]干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。
[0003]但是在现有工艺中，经干法刻蚀后的晶圆表面会残留含Ti聚合物，且后续湿法清洗不具备在保持形貌的同时清除含Ti聚合物的能力，该残留聚合物可能会导致层间介质层(interlayer dielectric，ILD)间产生漏电流，影响良率。
[0004]因此，有必要提供一种新型的去除干法刻蚀中聚合物的方法以解决现有技术中存在的上述问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除干法刻蚀中聚合物的方法，其特征在于，包括：在硬掩模刻蚀过程中，在初始温度下采用含有CF基的气体对所述硬掩模进行刻蚀；在所述硬掩模刻蚀之后对所述硬掩模进行过刻蚀，在所述硬掩模过刻蚀过程中，将所述初始温度调整至目标温度，使得所述硬掩模刻蚀过程中产生的聚合物升华，并同步调整抽气设备的开启状态后维持第一时刻，以将升华后的所述聚合物从加工腔室内排出。2.根据权利要求1所述的去除干法刻蚀中聚合物的方法，其特征在于，所述聚合物包括F3Ti、TiF4、Ti中的至少一种。3.根据权利要求1所述的去除干法刻蚀中聚合物的方法，其特征在于，所述目标温度根据所述聚合物的相关信息和预设压力值确定，所述预设压力值为所述抽气设备开启后所述加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松沂，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：