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本发明提供了一种去除干法刻蚀中聚合物的方法，包括在硬掩模刻蚀过程中，在初始温度下采用含有CF基的气体对所述硬掩模进行刻蚀；在所述硬掩模刻蚀之后对所述硬掩模进行过刻蚀，在所述硬掩模过刻蚀过程中，将所述初始温度调整至目标温度，使得所述硬掩模刻蚀...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

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