掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质，涉及半导体技术领域，该方法包括：在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，点接触角对角图形分别与原始掩模图案中的第一图案和第二图案相交；根据点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域；将待裁剪区域从原始掩模图案中剔除以获取目标掩模图案。该技术方案中，通过对原始掩模图案进行裁剪，在不需要额外的空间进行图形外扩的基础上，可以解决原始掩模图案中点接触角对角图形结构违反MRC的问题，同时有效减弱OPC时出现的转角圆化现象，改善对掩模图案的处理效果，提高产品良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质。

技术介绍

[0002]光学临近效应修正(optical proximity correction，OPC)是一种通过调整光刻掩模上透光区域图形的拓扑结构，或者在掩模上添加细小的亚分辨辅助图形，使得在光刻胶中的成像结果尽量接近掩模图形的技术，在当集成电路制造工艺发展到更先进节点时，必不可免的会存在许多点接触角对角(Point
‑
Touch Corner
‑
to
‑
Corner)图形，这些图形需要事先进行特殊处理，否则OPC结果将不可用。
[0003]现有技术中，通常是对点接触角对角(Point
‑
Touch Corner
‑
to
‑
Corner)图形进行外扩，即放大掩模中该点接触角对角图形。
[0004]但是，这种外扩的方式最终通过OPC修正后还是会存在严重的转角圆化(Corner Rounding)现象，容易导致产品良率下降。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质，用于解决现有的掩模处理方式处理效果差，导致产品良率下降的问题。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种掩模图案的处理方法，包括：
[0007]在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，所述点接触角对角图形分别与所述原始掩模图案中的第一图案和第二图案相交；
[0008]根据所述点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域；
[0009]将所述待裁剪区域从所述原始掩模图案中剔除以获取目标掩模图案。
[0010]在第一方面的一种可能设计中，所述根据所述点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域，包括：
[0011]获取初始尺寸并以所述所述点接触角对角图形位置为中心，构建得到初始区域；
[0012]确定所述初始区域是否满足预设条件；
[0013]若所述初始区域满足预设条件，则将所述初始区域确定为待裁剪区域。
[0014]在第一方面的另一种可能设计中，若所述初始区域不满足所述预设条件，则所述方法还包括：
[0015]对所述初始区域进行扩大；
[0016]确定扩大后的初始区域是否满足所述预设条件；
[0017]若扩大后的初始区域满足所述预设条件，则将所述初始区域确定为待裁剪区域；
[0018]若扩大后的初始区域不满足所述预设条件，则对所述扩大后的初始区域继续扩大，直至满足所述预设条件。
[0019]在第一方面的再一种可能设计中，确定是否满足预设条件，包括：
[0020]将所述初始区域或扩大后的初始区域从所述原始掩模图案中剔除，得到剔除后的原始掩模图案；
[0021]对剔除后的原始掩模图案进行掩模规则检查，得到检查结果；
[0022]根据所述检查结果确定所述初始区域或扩大后的初始区域是否满足预设条件。
[0023]在第一方面的又一种可能设计中，所述在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，包括：
[0024]在原始掩模图案中确定出所述第一图案的边角、所述第二图案的边角；
[0025]确定所述第一图案的边角与所述第二图案的边角是否相交；
[0026]若所述第一图案的边角与所述第二图案的边角相交，则获取相交点；
[0027]根据所述相交点，确定出所述点接触角对角图形。
[0028]在第一方面的又一种可能设计中，若所述第一图案的边角点与所述第二图案的边角点不相交，则所述方法还包括：
[0029]确定所述第一图案的边角与所述第二图案的边角之间的距离是否满足预设阈值；
[0030]若所述第一图案的边角与所述第二图案的边角之间的距离满足预设阈值，则根据所述第一图案的边角与所述第二图案的边角，确定出所述点接触角对角图形。
[0031]在第一方面的又一种可能设计中，所述将所述待裁剪区域从所述原始掩模图案中剔除以获取目标掩模图案，包括：
[0032]将所述待裁剪区域从所述原始掩模图案中剔除，得到剔除后的掩模图案；
[0033]对剔除后的掩模图案进行光学临近效应修正，得到所述目标掩模图案。
[0034]第二方面，本申请实施例提供一种掩模图案的处理装置，包括：
[0035]图形确定模块，用于在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，所述点接触角对角图形分别与所述原始掩模图案中的第一图案和第二图案相交；
[0036]区域确定模块，用于根据所述点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域；
[0037]图案获取模块，用于将所述待裁剪区域从所述原始掩模图案中剔除以获取目标掩模图案。
[0038]第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括：处理器，以及与所述处理器通信连接的存储器；所述存储器存储计算机执行指令；所述处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，以实现如上所述的方法。
[0039]第四方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机指令，所述计算机指令被处理器执行时用于实现如上述的方法。
[0040]第五方面，本申请实施例提供一种计算机程序产品，包括计算机指令，该计算机指令被处理器执行时实现上述的方法。
[0041]本申请实施例提供的掩模图案的处理方法、装置、设备和存储介质，通过对原始掩模图案进行裁剪，在不需要额外的空间进行图形外扩的基础上，可以解决原始掩模图案中点接触角对角图形结构违反MRC的问题，同时有效减弱在OPC时出现的转角圆化现象，对掩模图案的处理效果，提高产品良率。
附图说明
[0042]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施
例，并与说明书一起用于解释本申请的原理；
[0043]图1为目前点接触角对角图形OPC的过程示意图；
[0044]图2为目前点接触角对角图形外扩后OPC的过程示意图；
[0045]图3为本申请实施例提供的掩模图案的处理方法的流程示意图；
[0046]图4为本申请实施例提供的点接触角对角图形的结构示意图；
[0047]图5为本申请实施例提供的掩模运算的示意图；
[0048]图6为本申请实施例提供的待裁剪区域的剔除示意图；
[0049]图7为本申请实施例提供的对目标掩模图案OPC修正后的示意图；
[0050]图8为本申请实施提供的掩模图案的处理装置的结构示意图；
[0051]图9为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
[0052]通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模图案的处理方法，其特征在于，包括：在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，所述点接触角对角图形分别与所述原始掩模图案中的第一图案和第二图案相交；根据所述点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域；将所述待裁剪区域从所述原始掩模图案中剔除以获取目标掩模图案。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述点接触角对角图形位置，确定出待裁剪区域，包括：获取初始尺寸并以所述点接触角对角图形位置为中心，构建得到初始区域；确定所述初始区域是否满足预设条件；若所述初始区域满足预设条件，则将所述初始区域确定为待裁剪区域。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述初始区域不满足所述预设条件，则所述方法还包括：对所述初始区域进行扩大；确定扩大后的初始区域是否满足所述预设条件；若扩大后的初始区域满足所述预设条件，则将所述初始区域确定为待裁剪区域；若扩大后的初始区域不满足所述预设条件，则对所述扩大后的初始区域继续扩大，直至满足所述预设条件。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，确定是否满足预设条件，包括：将所述初始区域或扩大后的初始区域从所述原始掩模图案中剔除，得到剔除后的原始掩模图案；对剔除后的原始掩模图案进行掩模规则检查，得到检查结果；根据所述检查结果确定所述初始区域或扩大后的初始区域是否满足预设条件。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在原始掩模图案中确定出点接触角对角图形，包括：在原始掩模图案中确定出所述第一图案的边角、所述第二图案的边角；确定所述第一图案的边角与所述第二图案的边角是否相交；若所述第一图案的边角与所述第二图案的边角相交，则获取相交点；根据所述相交点，确定出所述点接触角对角图形。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：林东龙，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：