【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种晶圆清洗刷及晶圆清洗装置。
技术介绍
1、目前，在对晶圆进行化学机械研磨后，需通过清洗单元将晶圆表面的颗粒等残留物清洗掉。清洗刷属于常用的清洗单元之一，其通过转动与同时自转动的晶圆表面进行摩擦作用，从而将晶圆表面清洁干净。
2、如图1和图2所示，在传统的清洗方案中，晶圆以一定角速度顺时针旋转，且由圆心到边缘线速度绝对值逐渐增大；同时在晶圆表面设置一个大尺寸的清洗刷2，绕其自身轴线转动。然而在晶圆的左右两侧，清洗刷2相对于晶圆旋转的方向恰巧相反，这使得在晶圆直径坐标50位置处出现相对速率为0的点，且周边区域相对速率也会偏低，导致清洗刷2对晶圆的清洁力度不够，易造成颗粒残留等缺陷，从而影响芯片的电性能和良率，以及对晶圆的清洁效率。因此，如何提高对晶圆的清洁力度，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种晶圆清洗刷及晶圆清洗装置，将传统清洗刷的结构尺寸和数目，以及清洗刷的运动旋转方式和清洗刷与晶圆二者间的相对运动方...
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗刷，其特征在于，包括：位于晶圆同一侧的第一清洗刷和第二清洗刷；所述第一清洗刷和/或所述第二清洗刷至少覆盖所述晶圆的圆心到所述晶圆的边缘的距离；
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗刷，其特征在于，所述第一清洗刷和所述第二清洗刷位于所述晶圆表面同一径向上；所述第一清洗刷覆盖的距离和所述第二清洗刷覆盖的距离之和等于所述晶圆的直径。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗刷，其特征在于，所述第一清洗刷的转动速度小于所述晶圆的转动速度；所述第二清洗刷的转动速度小于所述晶圆的转动速度。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗刷，其特征在于，包...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗刷，其特征在于，包括：位于晶圆同一侧的第一清洗刷和第二清洗刷；所述第一清洗刷和/或所述第二清洗刷至少覆盖所述晶圆的圆心到所述晶圆的边缘的距离；
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗刷，其特征在于，所述第一清洗刷和所述第二清洗刷位于所述晶圆表面同一径向上；所述第一清洗刷覆盖的距离和所述第二清洗刷覆盖的距离之和等于所述晶圆的直径。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗刷，其特征在于，所述第一清洗刷的转动速度小于所述晶圆的转动速度；所述第二清洗刷的转动速度小于所述晶圆的转动速度。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗刷，其特征在于，包括：两个所述第一清洗刷和两个所述第二清洗刷；
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗刷，其特征在于，包括：第一驱动装置和第二驱动装置；两个所述第一清洗刷背离所述第二清洗刷的一端均与所述第一驱动装置电气连接；两个所述第二清洗刷背离所述第一清洗刷的一端均与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：林涛，陈鸿泽，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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