一种半导体计量方法包含：图案化半导体衬底上的膜层以界定所述半导体衬底上的第一场，所述第一场具有包括沿所述第一场的第一边缘的第一边际内的至少一第一目标特征的第一图案，且界定邻接所述第一场的第二场，所述第二场具有包括沿所述第二场的第二边缘的...

一种叠对度量衡系统可包含：照明，用于产生照明光束的照明源；一或多个照明光学器件，其用于在沿着扫描方向相对于所述照明光束扫描样本时将所述照明光束引导到所述样本上的叠对目标，所述目标包含具有摩尔结构的一或多个单元。所述系统还可包含在光瞳平面...

一种检验系统可通过以下者开发检验配方：使用与N种不同光学检验模式相关联的一或多个光学检验子系统来产生初步样本的N个检验图像；使用分类器运用来自数目M种所述光学检验模式的至少一些组合的所述检验图像来产生所述初步样本的位置中的每一者在背景或...

一种叠对计量系统可包含照明源及照明光学器件以根据测量配方在样本相对于来自所述照明源的照明运动时，用来自所述照明源的所述照明照射所述样本上的叠对目标。所述叠对目标可包含一或多个胞元，其中单胞元适合于沿着特定方向测量。此胞元可包含具有不同节...

一种叠加计量系统可包含控制器，所述控制器：用于接收与一或多个样本上的多个叠加目标相关联的计量数据；基于所述计量数据产生所述多个叠加目标中的至少一些的参考度量，其中所述参考度量与促成叠加误差的所述相应叠加目标的一或多个性质相关联；基于针对...

本公开涉及一种叠加计量系统，其可包含：照明源，其经配置以产生一或多对相互相干照明光束；及照明光学器件，其用以将所述照明光束对以共同高度入射角及对称相对方位入射角引导到叠加目标，其中所述叠加目标包含沿着一或多个测量方向分布的两个或更多个光...

一种系统包含经配置以产生照明光束的照明源及包含物镜、经定位于集光瞳平面处的一或多个检测器、光调制器及控制器的集光子系统。所述光调制器经配置以将测量光的一或多个选定部分引导到所述一或多个检测器。所述控制器包含一或多个处理器，其经配置以执行...

公开用于产生缺陷关键程度的系统及方法。此类系统及方法可包含识别包含缺陷及缺陷位置的缺陷结果。此类系统及方法可包含接收经配置以在多个测试位置处测试潜在瑕疵的瑕疵测试配方。此类系统及方法可包含基于所述瑕疵测试配方经配置以测试潜在瑕疵的可计数...

本公开提供用于确定水溶液，如镀金溶液中各种痕量金属离子的浓度的方法。在特定的固定还原电位下，在痕量金属离子(例如Tl(I))存在下经过一定时间(例如培育时间)后，阴极电流的幅度可突然增加，其中所述培育时间与电解质中痕量金属的浓度成反比。...

一种用于半导体计量的方法包含在衬底上沉积第一及第二膜层，图案化所述层以界定：第一目标，其包含所述第一层中的第一特征及相邻于所述第一特征的所述第二层中的第二特征；及第二目标，其位于所述衬底上，所述第二目标包含与所述第一目标相同的第一部分及...

本发明公开一种方法。所述方法可包含利用第一检验子系统产生样本的第一光学图像。所述第一光学图像可在第一时间区间在第一组光致发光标记正发射光致发光照明时产生。所述方法可包含利用额外检验子系统产生额外光学图像。所述额外光学图像可在额外时间区间...

本发明涉及具有涂覆于圆柱形对称元件(例如，滚筒)的外表面上的靶材料(例如氙)的激光产生的等离子体光源。实施例包含可经优化以减少对所述滚筒的照射损坏的预脉冲布置及可用来减少对所述滚筒的照射损坏的脉冲修整单元。另外，揭示实施例，其中圆柱形对...

本公开提供一种检验系统及一种杂散场减轻的方法。所述系统包含电子束柱阵列、第一永久磁铁阵列及多个屏蔽板。所述电子束柱阵列各自包含经配置以朝向载物台发射电子的电子源。所述第一永久磁铁阵列经配置以将来自每一电子源的所述电子会聚成电子束阵列。所...

本发明提供用于检测掩模上的缺陷的方法及系统。一种方法包含通过模拟产生多裸片掩模的数据库参考图像且通过比较所述数据库参考图像与通过成像子系统针对多个裸片中的第一者产生的所述掩模的图像而检测所述掩模上的第一缺陷。所述方法还包含通过将通过产生...

一种光学检验系统包含用于将从目标散射的光的偏振从跨收集光瞳在空间上变化的椭圆偏振转换成跨所述收集光瞳一致定向的线性偏振的一或多个光栅。在一些实施例中，所述一或多个光栅是单材料光栅。在一些实施例中，所述一或多个光栅包含反射衬底上的至少一个...

一种设备包含：卡盘，其经配置以固持晶片；及倾斜板，其安置在所述卡盘下方，且通过经分开地布置在所述卡盘的相对拐角中的一对上螺丝及一对下螺丝可调整地连接到所述卡盘。所述一对上螺丝的螺丝头抵靠所述卡盘的顶表面搁置，使得所述上螺丝中的一者的顺时...

确定经激光退火半导体晶片的图像中的网格线的位置。由所述网格线覆盖的区域可使用新灰度值来填充。所述新灰度值能够基于所述区域周围的邻域的第二灰度值。所述邻域位于由所述网格线覆盖的所述区域外部。

为清洗例如光学系统或电子束系统的半导体制造设备中的组件，在腔室中加热组件。将超临界流体调配物施加到所述腔室中的所述组件，这移除分子及/或颗粒污染物。所述超临界流体调配物可包含二氧化碳、水、HCF、烷烃、烯烃、一氧化二氮、甲醇、乙醇或丙酮...

本发明揭示一种用于至少对半导体装置的侧表面进行检验的设备、方法及计算机程序产品。提供框架构造，所述框架构造保持界定成像光束路径的相机。所述半导体装置经插入到镜块中。所述镜块具有第一镜、第二镜、第三镜及第四镜，其中所述镜经布置使得其以矩形...

一种用于半导体计量的方法包含将第一膜层沉积于半导体衬底上以及将第二膜层上覆于所述第一膜层上。通过使用具有预定义分辨率限制的投影系统以通过至少一个掩模将光学辐射投射到所述半导体衬底上而图案化所述第一及第二膜层以产生具有指定几何形式的叠加目...