本申请涉及扫描电子显微镜图像中的半监督异常检测。基于自动编码器的半监督方法用于异常检测。可使用这些方法发现半导体晶片上的缺陷。模型可包含变分自动编码器，例如包含梯形网络的变分自动编码器。无缺陷或干净图像可用于训练所述模型，所述模型随后用...

一种用于3D装置的晶片检验及检视的电子束系统提供高达20微米的焦深。为了检验且检视具有在数百到数千电子伏特的低着陆能量的晶片表面或次微米以下表面缺陷，可搭配能量增强上韦内电极使用具有三个磁性偏转器的无维恩滤波器的射束分离光学器件以减小物...

可配置经安置于样品上的第一目标的第一建模目标位置处的视场，这可包含使载物台相对于检测器移动。通过加总第一设计目标位置与由在线模型提供的导航误差来确定所述第一建模目标位置。使用所述检测器来抓取所述视场的第一图像。配置经安置于所述样品上的第...

本文中呈现有效地传播在所要能量范围内的x射线辐射且拒绝在所述所要能量范围之外的辐射的光学元件。在一个方面中，基于x射线的系统的一或多个光学元件包含集成光学滤波器，其包含吸收具有在所要能带之外的能量的辐射的一或多个材料层。一般来说，所述集...

本发明涉及一种光源，其包含：可旋转滚筒；排气管，其耦合到所述可旋转滚筒以从所述可旋转滚筒的内部排出氮气；进料管，其位于所述排气管内以将液态氮提供到所述可旋转滚筒的所述内部；及外壳，其用于包围所述排气管的至少一部分。所述光源还包含位于所述...

一种系统包含用于测量半导体晶片的第一侧的形状的第一干涉仪、用于固持所述半导体晶片并将所述半导体晶片的所述第一侧暴露于所述第一干涉仪的托盘，及耦合到所述托盘的三个电动机。所述三个电动机包含在第一位置耦合到所述托盘的第一电动机、在第二位置耦...

本发明提供一种电子束系统及方法。所述系统包含具有经配置以检测被反射离开样本的背散射电子的检测器面的检测器。所述系统进一步包含安置于所述检测器面上的环形盖及安置于所述环形盖上以覆盖所述检测器面的保护膜。所述保护膜对于背散射电子透明且对于指...

本发明揭示具有涡旋气体流的激光维持等离子体(LSP)光源。所述LSP源包含：气体围阻结构，其用于容纳气体；一或多个气体入口，其经配置以使气体流到所述气体围阻结构中；及一或多个气体出口，其经配置以使气体流出所述气体围阻结构。所述一或多个气...

一种用于校正半导体晶片的偏移测量中因晶片倾斜而引起的误差的方法，所述方法包含：对于晶片上的至少一个位置，测量相对于所述晶片的第一照明布置中的计量装置的工具诱导转移(TIS)与相对于所述晶片的第二照明布置中的所述计量装置的TIS之间的差值...

本发明涉及晶片检查。本发明揭示一种经配置以检查晶片的系统，该系统包括照明子系统，其经配置以使由所述照明子系统将多个脉冲光束中的第一者引导到晶片上的区域在时间上早于将所述多个脉冲光束中的第二者引导到所述区域；扫描子系统，其经配置以使所述多...

本申请实施例涉及用于以层特定照明光谱的计量的系统及方法。本发明涉及一种计量系统，其包含图像装置及控制器。所述图像装置包含光谱可调照明装置及检测器，所述检测器用于基于响应于来自所述光谱可调照明装置的照明而从所述样本发出的辐射产生具有两个或...

本发明提供使用检验工具以确定用于样本的类计量的信息的方法及系统。一种方法包含从包含检验子系统的输出获取子系统产生的输出确定形成于样本上的第一区域中的第一特征的第一工艺信息。所述方法还包含从所述输出确定形成于所述样本的第二区域中的第二特征...

一种仪器化衬底设备经配置以测量波长分辨辐射，例如极紫外线辐射。所述仪器化衬底设备包含衬底及所述衬底上的光电传感器。所述光电传感器包含光发射材料、光电子收集器及测量电路。所述测量电路电耦合到所述光发射材料及所述光电子收集器。所述测量电路经...

根据本公开的一或多个实施例，公开一种电子束检验系统。所述检验系统可包含电子束源，其经配置以产生一或多个一次电子束。所述检验系统还可包含电子光学柱，其包含一组电子光学元件，所述电子光学元件经配置以将所述一或多个一次电子束引导到样品。所述检...

一种检查系统及操作方法引导光束朝向载台上的样本。样本是晶片级封装晶片或后端晶片。基于从样品反射的光执行缺陷检查。所述检查系统可使用以下中的一或多者：由浸入子系统供应的流体，所述子系统包含流体供应单元及流体去除单元；照明图案，其用于差分相...

本发明提供用于确定用于样本扫描的焦点设置的方法及系统。一种方法包含使用由输出获取子系统在样本上扫描的一或多个预聚焦条带中产生的输出，产生焦点图，界定为最佳焦点的值，作为所述样本上的位置的函数，所述输出获取子系统经配置以引导能量到样本，从...

将装置设计文件及材料特性输入到经配置以操作生成对抗网络的神经网络模块中。基于装置设计文件及材料特性输入，使用所述生成对抗网络来确定过程参数。此可用于在半导体装置设计或制造期间提供过程参数。计或制造期间提供过程参数。计或制造期间提供过程参数。

一种用于特性化由第一晶片及在接口处接合的第二晶片形成的在所述接口附近具有计量目标的样本的计量系统可包含计量工具及控制器。所述计量工具可包含一或多个照明源及用于将来自所述一或多个照明源的照明引导到所述计量目标的照明子系统、检测器及用于收集...

本文描述用于测量晶片在X射线散射测量位置处或X射线散射测量位置附近的定向的方法及系统。在一个方面中，一种以X射线散射测量为基础的计量系统包含在没有中介载台移动的情况下基于单个测量来测量晶片定向的晶片定向测量系统。在一些实施例中，定向测量...

本文中呈现用于实现基于高密度电子发射器阵列的高辐射X射线源的方法及系统。所述高辐射X射线源适合于半导体制造环境中的高通量X射线计量及检验。所述高辐射X射线源包含产生聚焦于小阳极区域上以产生高辐射X射线照明光的大电子电流的电子发射器阵列。...