将装置设计文件及材料特性输入到经配置以操作生成对抗网络的神经网络模块中。基于装置设计文件及材料特性输入，使用所述生成对抗网络来确定过程参数。此可用于在半导体装置设计或制造期间提供过程参数。计或制造期间提供过程参数。计或制造期间提供过程参数。

一种用于特性化由第一晶片及在接口处接合的第二晶片形成的在所述接口附近具有计量目标的样本的计量系统可包含计量工具及控制器。所述计量工具可包含一或多个照明源及用于将来自所述一或多个照明源的照明引导到所述计量目标的照明子系统、检测器及用于收集...

本文描述用于测量晶片在X射线散射测量位置处或X射线散射测量位置附近的定向的方法及系统。在一个方面中，一种以X射线散射测量为基础的计量系统包含在没有中介载台移动的情况下基于单个测量来测量晶片定向的晶片定向测量系统。在一些实施例中，定向测量...

本文中呈现用于实现基于高密度电子发射器阵列的高辐射X射线源的方法及系统。所述高辐射X射线源适合于半导体制造环境中的高通量X射线计量及检验。所述高辐射X射线源包含产生聚焦于小阳极区域上以产生高辐射X射线照明光的大电子电流的电子发射器阵列。...

本申请实施例涉及包含具有硼层的硅衬底上的场发射器的多柱电子束光刻。一种多柱电子束装置包含电子源，所述电子源包括制造在硅衬底的表面上的多个场发射器。为防止所述硅氧化，将薄的连续硼层直接安置在所述场发射器的输出表面上。所述场发射器可呈各种形...

本揭露实施例涉及一种用于粒子检测的系统和方法。一种暗场检验系统，其可包含：照明源，其用于产生照明光束；一或多个照明光学器件，其用于将所述照明光束沿着照明方向按离轴角引导到样本；检测器；一或多个集光光学器件，其用于基于响应于所述照明光束从...

本发明涉及用于以由空间选择性波长滤波器所修改的照明源将样本成像的系统及方法。所述系统包含波长滤波子系统、样本载台、照明子系统、检测器，及用以聚集来自一或多个样本的表面的照明且将所述聚集的照明聚焦到所述检测器的物镜。此外，所述波长滤波子系...

本公开提供了用于在样本上的阵列区域中检测缺陷的方法及系统。一种方法包含确定由检验子系统针对样本在阵列区域中产生的输出中分页的中心。所述分页分离所述阵列区域中的单元区域，并且所述单元区域包含重复的经图案化特征。所述方法还包含：确定所述输出...

一种可调谐滤光片可包含输入聚焦光学器件、输出聚焦光学器件、经定位于所述输入聚焦光学器件的后焦平面及所述输出聚焦光学器件的前焦平面处的线性变化滤光片、经定位于所述输入聚焦光学器件的前焦平面处的经配置以接收输入光束的输入角度扫描组件及经定位...

本申请实施例涉及基于阵列的表征工具。一种扫描电子显微术SEM系统包含多个电子束源，该多个电子束源经配置以产生初级电子束。该SEM系统包含具有多个电子光学柱的电子光学柱阵列。电子光学柱包含多个电子光学元件。该多个电子光学元件包含偏转器层，...

本发明公开一种制造电磁体的方法，其包含获得包含一或多个第一导电线圈迹线的第一柔性PCB及获得包含一或多个第二导电线圈迹线的第二柔性PCB。所述第一柔性PCB弯曲成具有至少一个曲线或转角的形状。在将所述第一柔性PCB弯曲成所述形状之后，接...

本发明公开一种系统。在实施例中，所述系统包含电子源及微透镜阵列(MLA)，所述MLA经配置以接收来自所述电子源的一或多个一次电子束且将所述一或多个一次电子束分割成多个一次细电子束。在实施例中，所述系统进一步包含微像差补偿器阵列(MSA)...

本公开的实施例涉及用于激光生成等离子体光源的液滴产生。本发明针对于一种装置，所述装置具有：喷嘴，其用于施配液体目标材料；一或多个中间室，每一中间室经定位以接收目标材料且形成有出口孔隙以输出目标材料以供在激光生成等离子体LPP室中进行下游...

本发明提供用于生成样本的模拟图像的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统及由所述一或多个计算机子系统执行的一或多个组件。所述一或多个组件包含使用训练集训练的生成对抗网络(GAN)，例如条件GAN(cGAN)，所述训练集包含经指定为...

本发明公开一种宽带辐射源。所述源可包含经配置以维持等离子体且发射宽带辐射的气体围阻容器。所述源还可包含流体耦合到所述气体围阻容器的再循环气体回路。所述再循环气体回路可经配置以运送来自一或多个气体增压器的气体，所述一或多个气体增压器经配置...

本申请实施例涉及半导体晶片处置方法与装置。本发明提供一种用于夹持半导体晶片的组合件，其包含板及经安装于所述板上的静电吸盘。多个槽在所述静电吸盘的相应部分之间延伸以接纳晶片处置器的末端执行器的臂。所述末端执行器的所述臂支撑被放置到所述静电...

本文中提出用于基于软性X射线(SXR)散射测量的测量数据来执行叠对及边缘放置误差的方法及系统。聚焦在小照射光斑大小之上的短波长SXR辐射使得能够测量设计规则目标及裸片中作用装置结构。在一些实施例中，用具有在从10到5,000电子伏特的范...

公开一种叠加控制系统。在实施例中，所述系统可包含控制器，所述控制器经配置以：基于记录计划(POR)取样图在至少一个先前批次样本的样本的第二层上获取一组反馈叠加测量值；基于所述组反馈叠加测量值产生参考晶片叠加图；基于前馈取样图在当前批次样...

在半导体图像中确定投影，所述投影可为X投影及/或Y投影。将至少一个阈值应用于所述投影，借此在区域内形成至少一个分段。可在所述区域中使用距所述投影的距离值确定精细分段。可在所述精细分段中的一者中执行缺陷检测。可在所述精细分段中的一者中执行...

一种用于识别半导体装置中的潜在可靠性缺陷(LRD)的系统及方法经配置以：用一或多个应力测试工具对从一或多个在线样本分析工具接收的多个晶片中的至少一些者执行一或多个应力测试以确定所述多个晶片的通过集合及所述多个晶片的未通过集合；对所述多个...