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用于减轻由晶片接合工具所引起的覆盖失真图案的系统及方法技术方案

技术编号:40056199 阅读:4 留言:0更新日期:2024-01-16 21:58
一种系统包含经配置以对接合后晶片对执行一或多个形状测量的晶片形状计量子系统。所述系统包含通信地耦合到所述晶片形状计量子系统的控制器。所述控制器接收一组经测量失真图案。所述控制器将接合器控制模型应用到所述经测量失真图案以确定一组覆盖失真特征记号。所述接合器控制模型由表示可实现调整的一组正交晶片特征记号构成。所述控制器确定与所述经测量失真图案相关联的所述组覆盖失真特征记号是否在容差限制之外将一或多个反馈调整提供到接合器工具。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术大体上涉及晶片形状计量的领域且更特定来说,涉及一种用于模型化并最小化由接合工具所引起的覆盖失真图案的系统及方法。


技术介绍

1、长期已知在生产经接合晶片对时使用的接合工具在各种经接合晶片的特征之间引入覆盖的失真。覆盖的这些失真可导致长期使用的可靠性问题,或在极端情况中,缺乏电连续性。因此,接合工具的提供校正以最小化覆盖的失真的能力是必要的。

2、随着用于调整接合工具的新技术被开发,控制接合工具以最小化覆盖的失真的传统方法快速变得过时。用于调整接合工具的模型不再能够考虑能够调整接合工具以防止失真的新方式。

3、因此,将可期望提供一种解决上文识别的先前方法的缺点的系统及方法。


技术实现思路

1、根据本公开的一或多个实施例,公开一种系统。在一个实施例中,所述系统包含经配置以对两个接合前晶片及对应接合后晶片对执行一或多个形状测量的晶片形状计量子系统。在另一实施例中,所述系统包含通信地耦合到所述晶片形状计量子系统的控制器,所述控制器包含经配置以执行存储在存储器中的一组程序指令的一或多个处理器。在另一实施例中,所述组程序指令经配置以引起所述一或多个处理器:接收一组经测量接合失真;将接合器控制模型应用到所述组经测量接合失真,其中所述接合器控制模型将接合器工具的一组调整与所述接合器晶片对的第一晶片与第二晶片之间的覆盖失真特征记号(signature)组相关;确定与所述经测量接合失真相关联的所述组覆盖失真特征记号是否在容差限制之外;及当所述组覆盖失真特征记号在容差限制之外时,将一或多个反馈调整提供到所述接合器工具以调整一或多个接合器工具调整器。

2、根据本公开的一或多个实施例,公开一种方法。在一个实施例中,为了校准接合器的目的,所述方法可包含使用一组已知接合器调整运行一组晶片。通过接合前以及接合后晶片形状的测量提取所得失真。将所得失真图案存储为数值向量图案或通过向量图的分析描述进行描述。此分析描述可使用晶片位置作为描述符。其也可以现有图案的相对修改的形式描述致动器引发的失真。在另一实施例中,方法可包含将接合器控制模型应用到经提出接合器工具调整以确定经接合晶片对的第一晶片与第二晶片之间的一组覆盖失真特征记号,其中所述接合器控制模型将接合器工具的一组调整与所述接合器晶片对的所述第一晶片与所述第二晶片之间的所述组覆盖失真特征记号相关且是一组正交晶片特征记号。

3、在另一实施例中,所述方法可包含确定与所述经提出接合器工具调整相关联的所述组覆盖失真特征记号是否在容差限制之外。在另一实施例中,所述方法可包含当所述组覆盖失真特征记号在容差限制之外时,将反馈调整提供到所述接合器工具以调整所述接合器工具的一或多个调整器。

4、应理解,前文概述及下文详细描述两者仅是示范性及说明性的且未必限制如要求的本专利技术。并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图说明本专利技术的实施例且与概述一起用于解释本专利技术的原理。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种系统,其包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述控制器进一步经配置以:

3.根据权利要求2所述的系统,其中所述产生所述接合器控制模型包括:

4.根据权利要求1所述的系统,其中所述当所述组覆盖失真特征记号在容差限制之外时,提供一或多个反馈调整包括:

5.根据权利要求4所述的系统,其中所述一或多个接合器工具调整器通信地耦合到所述接合器工具上的一或多个致动器。

6.根据权利要求1所述的系统,其中所述晶片形状计量子系统包括第一干涉仪子系统及第二干涉仪子系统。

7.一种系统,其包括:

8.根据权利要求7所述的系统,其中所述控制器进一步经配置以产生所述接合器控制模型

9.根据权利要求8所述的系统,其中所述产生所述接合器控制模型包括:

10.根据权利要求7所述的系统,其中所述当所述组覆盖失真特征记号在容差限制之外时,提供一或多个反馈调整包括:

11.根据权利要求10所述的系统,其中所述一或多个接合器工具调整器通信地耦合到所述接合器工具上的一或多个致动器。

12.根据权利要求7所述的系统,其中所述晶片形状计量子系统包括第一干涉仪子系统及第二干涉仪子系统。

13.一种方法,其包括:

14.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括:

15.根据权利要求14所述的方法,其中所述产生所述接合器控制模型包括:

16.根据权利要求13所述的方法,其进一步包括:

17.根据权利要求13所述的方法,其中所述经由分析所述致动器引发的改变而产生一组正交晶片特征记号通过主分量分析实现。

18.根据权利要求13所述的方法,其中所述晶片特征记号可映射到一或多个接合器工具调整器。

19.根据权利要求18所述的方法,其中所述一或多个接合器工具调整器经手动控制。

20.根据权利要求18所述的方法,其中所述一或多个接合器工具调整器经由计算机系统控制。

21.根据权利要求13所述的方法,其中所述提取致动器引发的改变作为失真图案的所述差异包括:

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种系统,其包括:

2.根据权利要求1所述的系统,其中所述控制器进一步经配置以:

3.根据权利要求2所述的系统,其中所述产生所述接合器控制模型包括:

4.根据权利要求1所述的系统,其中所述当所述组覆盖失真特征记号在容差限制之外时,提供一或多个反馈调整包括:

5.根据权利要求4所述的系统,其中所述一或多个接合器工具调整器通信地耦合到所述接合器工具上的一或多个致动器。

6.根据权利要求1所述的系统,其中所述晶片形状计量子系统包括第一干涉仪子系统及第二干涉仪子系统。

7.一种系统,其包括:

8.根据权利要求7所述的系统,其中所述控制器进一步经配置以产生所述接合器控制模型

9.根据权利要求8所述的系统,其中所述产生所述接合器控制模型包括:

10.根据权利要求7所述的系统,其中所述当所述组覆盖失真特征记号在容差限制之外时,提供一或多个反馈调整包括:

11.根据权利要求10所述的系统,其中所述一或多个接合器工具调...

【专利技术属性】
技术研发人员:F·察赫M·D·史密斯R·格伦黑德
申请(专利权)人:科磊股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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