【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及电子束(“e-beam”)装置，且更明确来说，涉及清洁电子束装置中电子枪的提取器电极。
技术介绍
1、冷场发射源可能是高通量及高空间分辨率电子束应用的合适选择。然而，在此类应用中使用冷场发射源受到残余气体压力的挑战，所述残余气体压力可污染冷场发射源，缩短其寿命且引入发射噪声。典型的极超高真空环境(≈1e-11托)的残余气体压力由真空室组件的除气产生。一种此组件是提取器电极(有时简称为提取器)。一旦安装冷场发射源并实现标称真空，就烘烤提取器电极以减少后续除气。但仅烘烤不足以从靠近冷场发射源的提取器电极的表面完全解吸分子。
技术实现思路
1、因此，需要用于清洁提取器电极的方法及系统。
2、在一些实施例中，一种电子束装置包含：冷场发射源，其用于发射电子；及提取器电极，其相对于所述冷场发射源正偏置以从所述冷场发射源提取所述电子。所述提取器电极具有用于所述电子的第一开口。所述电子束装置还包含具有用于所述电子的第二开口的镜电极。所述镜电极可配置为在第一操作模式期间相对于所述提取器电极正偏置且在第二操作模式期间相对于所述提取器电极负偏置。所述提取器电极安置于所述冷场发射源与所述镜电极之间。所述电子束装置进一步包含相对于所述提取器电极及所述冷场发射源正偏置的阳极。所述镜电极安置于所述提取器电极与所述阳极之间。
3、在一些实施例中，一种方法包含提供电子束装置，所述电子束装置包含：冷场发射源；提取器电极，其具有用于来自所述冷场发射源的电子的第一开口；镜电极，其具有用于
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1.一种电子束装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述镜电极能够配置为在所述第一操作模式期间电连接到所述阳极且在所述第二操作模式期间电连接到所述冷场发射源。
3.根据权利要求2所述的装置，其进一步包括开关，所述开关在所述第一操作模式期间将所述镜电极电连接到所述阳极且在所述第二操作模式期间电连接到所述冷场发射源。
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述阳极接地。
5.根据权利要求1所述的装置，其中：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第二开口比所述第一开口宽。
7.根据权利要求5所述的装置，其中所述提取器电极及所述镜电极关于穿过所述冷场发射源、所述第一开口及所述第二开口的轴径向对称。
8.根据权利要求1所述的装置，其中：
9.一种方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中使所述提取器电极相对于所述冷场发射源及所述镜电极正偏置包括：将所述镜电极电连接到所述冷场发射源。
11.根据权利要求9所述的方法，其中使所述镜电极及所述阳极相对于所述提
12.根据权利要求11所述的方法，其中使所述镜电极及所述阳极相对于所述提取器电极正偏置进一步包括：将所述镜电极及所述阳极接地。
13.根据权利要求9所述的方法，其中：
14.根据权利要求9所述的方法，其中：
15.根据权利要求14所述的方法，其中：
16.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括在清洁所述提取器电极之前烘烤所述提取器电极且使所述冷场发射源闪烁。
17.根据权利要求9所述的方法，其中：
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二开口比所述第一开口宽。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述提取器电极及所述镜电极关于穿过所述冷场发射源、所述第一开口及所述第二开口的轴径向对称。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子束装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述镜电极能够配置为在所述第一操作模式期间电连接到所述阳极且在所述第二操作模式期间电连接到所述冷场发射源。
3.根据权利要求2所述的装置，其进一步包括开关，所述开关在所述第一操作模式期间将所述镜电极电连接到所述阳极且在所述第二操作模式期间电连接到所述冷场发射源。
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述阳极接地。
5.根据权利要求1所述的装置，其中：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第二开口比所述第一开口宽。
7.根据权利要求5所述的装置，其中所述提取器电极及所述镜电极关于穿过所述冷场发射源、所述第一开口及所述第二开口的轴径向对称。
8.根据权利要求1所述的装置，其中：
9.一种方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中使所述提取器电极相对于所述冷场发射源及所述镜电极正偏置包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·葛瑞拉，N·朱邦，S·皮茨，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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