【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开大体上涉及半导体晶片形状计量，且更特定来说，涉及一种用于使用晶片形状计量检测在接合工具上的颗粒污染的系统及方法。
技术介绍
1、光刻扫描仪的卡盘上的颗粒污染是晶片制造中的众所周知的问题。卡盘上存在颗粒可引起成像问题(由于离焦成像)以及局部覆盖问题。有鉴于此，扫描仪通常使用晶片调平计量结合算法来基于阈值检测局部偏差。类似于扫描仪的情况，接合器上的颗粒污染引入经接合晶片对中在颗粒位置处的局部覆盖失真，这对于经接合芯片的良率不利。在光刻扫描仪的情况中通常将使用的计量方法(例如调平)在接合器上不可用。因此，将可期望提供一种允许检测在接合装置上的颗粒污染的系统及方法。
技术实现思路
1、根据本公开的一或多个实施例，公开一种晶片形状计量系统。在一个说明性实施例中，所述系统经配置以对经接合晶片对执行一或多个无应力形状测量，其中所述经接合晶片对使用接合工具接合。在另一说明性实施例中，所述系统包含通信地耦合到晶片形状计量子系统的控制器。在另一说明性实施例中，所述控制器包含经配置以执行存储在存储器中的一组程序指令的一或多个处理器。在另一说明性实施例中，所述组程序指令经配置以引起所述一或多个处理器接收所述经接合晶片对的所述一或多个无应力形状测量。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器将所述经接合晶片对的所述一或多个无应力形状测量转换为覆盖失真图案。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器检测所述经接合晶片对上的一或多个局部偏差以识别在接合器工具上的一或多个污染颗粒。在另一说明性实施例中，所述一或
2、根据本公开的一或多个实施例，公开一种系统。在一个说明性实施例中，所述系统包含经配置以接收来自晶片形状计量子系统的形状测量的控制器。在另一说明性实施例中，所述控制器包含经配置以执行存储在存储器中的一组程序指令的一或多个处理器。在另一说明性实施例中，所述组程序指令经配置以引起所述一或多个处理器接收所述经接合晶片对的所述一或多个无应力测量。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器将所述经接合晶片对的所述一或多个无应力形状测量转换为覆盖失真图案。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器检测所述经接合晶片对上的一或多个局部偏差以识别在接合器工具上的一或多个污染颗粒。在另一说明性实施例中，所述一或多个处理器报告所述经接合晶片对上的所述一或多个局部偏差。
3、根据本公开的一或多个实施例，公开一种方法。在一个说明性实施例中，所述方法可包含但不限于获取经接合晶片对的一或多个无应力形状测量。在另一说明性实施例中，所述方法可包含但不限于将所述经接合晶片对的所述一或多个无应力形状测量转换为覆盖失真图案。在另一说明性实施例中，所述方法可包含但不限于检测所述经接合晶片对上的一或多个局部偏差以识别在接合器工具上的一或多个污染颗粒。在另一说明性实施例中，所述方法可包含但不限于报告所述经接合晶片对上的所述一或多个局部偏差。
4、应理解，前文概述及下文详细描述两者仅是示范性及说明性的且未必限制如主张的本专利技术。并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图说明本专利技术的实施例且与概述一起用于解释本专利技术的原理。
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1.一种晶片形状计量系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中使用干涉测量技术对所述经接合晶片对执行所述一或多个无应力形状测量。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个覆盖失真图案包括覆盖模型化算法，其中所述覆盖模型化算法经配置以移除在长度上超过5mm的变动。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个无应力形状测量包括局部形状曲率(LSC)或平面内失真(IPD)中的至少一者。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述一或多个无应力形状测量被输入到机器学习算法中以将所述一或多个无应力形状测量转换为所述覆盖失真图案。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述覆盖失真图案由热图或经产生向量分布中的至少一者表示。
7.根据权利要求6所述的系统，其中通过获取模型向量分布与所述经产生向量分布之间的差值而计算残余向量分布。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述检测所述经接合晶片对中的一或多个局部偏差包括阈值算法，其中所述阈值算法对所述残余向量的长度进行操作。
9.根据权利要求8所
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个处理器进一步经配置以确定所述一或多个局部偏差的位置，其中所述一或多个局部偏差的所述位置用于经由位置相关算法确定所述污染颗粒在所述接合工具上的位置。
11.一种系统，其包括：
12.根据权利要求11所述的系统，其中使用干涉测量技术对所述经接合晶片对执行所述一或多个无应力形状测量。
13.根据权利要求11所述的系统，其中机器学习算法用于移除中到长程覆盖变动，从而产生覆盖残余。
14.根据权利要求11所述的系统，其中所述一或多个无应力形状测量包括局部形状曲率(LSC)或平面内失真(IPD)中的至少一者。
15.根据权利要求14所述的系统，其中所述一或多个无应力形状测量被输入到机器学习算法中以将所述一或多个无应力形状测量转换为所述覆盖失真图案。
16.根据权利要求11所述的系统，其中所述覆盖失真图案由热图或经产生向量分布中的至少一者表示。
17.根据权利要求16所述的系统，其中通过获取模型向量分布与所述经产生向量分布之间的差值而计算残余向量分布。
18.根据权利要求17所述的系统，其中所述检测所述经接合晶片对中的一或多个局部偏差包括阈值算法，其中所述阈值算法对所述残余向量的长度进行操作。
19.根据权利要求18所述的系统，其中当所述残余向量的所述长度超过阈值时，报告所述一或多个局部偏差。
20.根据权利要求19所述的系统，其中所述一或多个处理器进一步经配置以确定所述一或多个局部偏差的位置，其中所述一或多个局部偏差的所述位置用于经由位置相关算法确定所述污染颗粒在所述接合工具上的位置。
21.一种方法，其包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种晶片形状计量系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中使用干涉测量技术对所述经接合晶片对执行所述一或多个无应力形状测量。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个覆盖失真图案包括覆盖模型化算法，其中所述覆盖模型化算法经配置以移除在长度上超过5mm的变动。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个无应力形状测量包括局部形状曲率(lsc)或平面内失真(ipd)中的至少一者。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述一或多个无应力形状测量被输入到机器学习算法中以将所述一或多个无应力形状测量转换为所述覆盖失真图案。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述覆盖失真图案由热图或经产生向量分布中的至少一者表示。
7.根据权利要求6所述的系统，其中通过获取模型向量分布与所述经产生向量分布之间的差值而计算残余向量分布。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述检测所述经接合晶片对中的一或多个局部偏差包括阈值算法，其中所述阈值算法对所述残余向量的长度进行操作。
9.根据权利要求8所述的系统，其中当所述残余向量的所述长度超过阈值时，报告所述一或多个局部偏差。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个处理器进一步经配置以确定所述一或多个局部偏差的位置，其中所述一或多个局部偏差的所述位置用于经由位置相关算法确定所述污染颗粒在所述接合工具上的位置。
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【专利技术属性】
技术研发人员：F·察赫，M·D·史密斯，R·格伦黑德，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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