一种计量系统可包含对埋藏于样本中的计量目标进行成像的成像子系统，其中所述样本是由在接口处具有计量目标的经接合的第一及第二衬底形成。所述计量系统可进一步包含具有照明场光阑及照明光瞳的照明子系统，其中所述照明场光阑包含孔径以使得所述场光阑孔...

本发明公开一种晶片对准系统，其包含成像子系统、控制器及载物台。所述控制器接收参考点目标的图像数据且确定所述参考点目标中的每一者的中心位置。所述中心位置确定包含识别相应参考点目标内的子图案及识别所述相应参考点目标的多个中心位置候选者。识别...

一种重叠度量工具可包含：照射源；照射光学器件，其用以使一或多个照射束照射具有周期性特征的重叠目标；聚集光学器件，其用以将衍射光从所述重叠目标的所述周期性特征引导到检测器；可调整光瞳掩模，其位于光瞳面处；及控制器。所述可调整光瞳掩模可包含...

提供用于确定样本的信息的方法及系统。本文中所描述的实施例经配置以训练用于从由检验子系统产生的样本的图像产生所述样本的较高分辨率图像的机器学习(ML)模型。所述训练包含仅使用模拟图像执行的预训练步骤及使用测试样本的实际图像执行的重新训练步...

本申请实施例涉及用于扫描计量的计量目标。一种计量系统可包含经耦合到扫描计量工具的控制器，所述扫描计量工具使沿着扫描方向运动的样本成像。所述控制器可从所述扫描计量工具接收所述样本上的计量目标的图像，其中所述计量目标包括：第一测量群组，其包...

本揭露实施例涉及一种183纳米激光器及检验系统。一种用于产生处于大约183nm的输出波长的激光器输出光的激光器组合件包含基频激光器、光学参数系统OPS、五次谐波产生器及混频模块。基频激光器产生处于基频频率的基频光。OPS产生处于经下变频...

一种系统具有经配置以接收从晶片反射的光束的检测器。例如，可使用三个检测器。所述检测器中的每一者是不同通道。将来自所述检测器的图像组合成伪彩色RGB图像。卷积神经网络单元(CNN)可接收所述伪彩色RGB图像且确定所述伪彩色RGB图像中的缺...

一种暗场光学系统可包含旋转物镜组合件，所述旋转物镜组合件具有：暗场物镜，其在集光数值孔径内从样本收集光，其中所述暗场物镜包含相对于光学轴成对称相对方位角的入口孔隙及出口孔隙；旋转轴承，其允许包含所述入口孔隙及所述出口孔隙的所述暗场物镜的...

公开一种检验系统。所述检验系统包含经配置以从缺陷检验工具接收图像数据的共享存储器，及通信地耦合到所述共享存储器的控制器。所述控制器包含：主机图像模块，其经配置以使用中央处理单元(CPU)架构将一或多种通用缺陷检验算法应用于所述图像数据；...

一种系统可经配置用于联合缺陷发现及光学模式选择。在缺陷发现步骤期间检测缺陷。将所发现缺陷累积到模式选择数据集中。使用所述模式选择数据集来执行模式选择以确定模式组合。接着，可使用所述模式组合来训练所述缺陷检测模型。接着，可通过所述缺陷检测...

本发明提供用于对准样本的图像的方法及系统。一种方法包含减少通过成像子系统针对样本而产生的测试图像中的噪声，由此产生经去噪测试图像。所述方法还包含检测所述经去噪测试图像中的至少在水平方向或垂直方向上延伸的一或多个经图案化特征。另外，所述方...

本文提出使用图像的以模型为基础的计量。在一个方面中，基于所测量图像及每一图像内的特定结构的对应参考测量来训练以图像为基础的信号响应计量SRM模型。接着，使用所述经训练的以图像为基础的SRM模型来依据从其它晶片收集的所测量图像数据直接计算...

本发明提供用于检测光罩上的缺陷的系统和方法。一种系统包含配置成用于在对具有使用光罩在光刻工艺中印刷的特征的晶片执行检验工艺期间在前端处理中执行至少一个重复缺陷检测步骤的计算机子系统。在所述前端处理中执行的所述至少一个重复缺陷检测步骤包含...

本文呈现用于校准计量工具偏移值以使测量结果跨计量工具群匹配的方法及系统。偏移值的所述校准是基于联机生产晶片的测量且无需使用经专门制造及特征化的质量控制(QC)晶片。以此方式，用于校准计量工具偏移值的整个过程流程自动化且与大量半导体制造工...

一种用于测量半导体装置的层之间的偏移的计量目标包含：第一目标结构，其经放置于半导体装置的第一层上，所述第一目标结构包含分别定位于所述第一目标结构的至少四个区中的第一多个整体元件，所述第一多个元件相对于第一对称中心旋转对称；及至少第二目标...

本发明涉及一种用于确定计量目标设计的方法、系统及计算机程序产品，其包括：针对与一或多个计量工具兼容的所选择的设计类型或及模拟范围的一组边界，产生第一候选目标设计。针对两个或更多个测量设置，模拟在所述模拟范围的所述边界内使用所述一或多个计...

获得具有导电或半导电材料的测试样本的物理特性(线/面积/体积)。通过以下操作在所述测试样本内诱发周期性焦耳加热：使AC电流通过电连接到所述测试样本的第一对探针端子；以电流传导端子的基本激发频率的一倍及三倍测量跨电连接到所述测试样本的第二...

本发明公开一种经配置以测量样本上的覆盖误差的计量系统。所述计量系统在第一方向及/或第二方向上同时或依序测量所述样本上的覆盖误差。所述计量系统包括照明子系统，所述照明子系统经配置以使用一或多个照明波瓣照明所述样本上的具有阴影线的覆盖目标。...

通过首先重度p型掺杂SOI晶片的薄顶部单晶硅衬底，接着在所述顶部硅衬底的顶表面上形成相对轻度p型掺杂外延层而制造图像传感器，其中控制此两个工艺期间的p型掺杂水平以在所述顶部硅衬底中产生p型掺杂剂浓度梯度。在所述外延层上制造感测(电路)元...

一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标及其使用方法，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构(FDST)，所述目标包含：多个测量结构(MST)，所述多个MST是所述第一层及所述第二层...