一种计量系统可将分布于一或多个样本上的多个场中的多个计量目标的计量测量布置成信号向量，其中在所述信号向量内对与所述多个场中的每一者中的所述计量目标相关联的所述计量测量进行分组。所述系统可进一步将所述信号向量分解成与所述信号向量的不同光谱...

形成数百个小射束的多电子束系统可聚焦所述小射束，降低库仑相互作用效应，且改进所述小射束的分辨率。具有静电及磁偏转场的维恩过滤器可将二次电子束与初级电子束分离且可同时校正所有所述小射束的像散及源能量分散模糊。

本发明公开一种晶片计量工具，例如扫描电子显微镜，其可产生晶片上的结构的图像。也从所述晶片的设计确定所述结构的模拟图像。确定所述图像中的所述结构的轮廓及所述模拟图像中的所述结构的轮廓。比较这些轮廓。

本公开提供包含用于处理溶液中的金属及酸浓度的惰性实时测量及监测的方法及设备的技术。方法包含执行所述处理溶液的分析方法(例如，光谱测量)以确定金属浓度及执行所述处理溶液的另一分析方法(例如，密度测量)以确定酸浓度并基于所述经确定金属浓度补...

公开一种检验。所述系统可包含经配置以照射样本的照射源。所述样本可包含含有由第一材料及至少第二材料形成的多个层的多层堆叠。所述第一材料可包含透光材料且所述第二材料可包含光反射材料。所述堆叠内的顶层可包含经配置以选择性地结合到所述顶层的吸收...

本申请实施例涉及一种金属囊封光电阴极电子发射器。本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs<subgt;2</subgt;Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴...

一种激光维持宽带光源包含气体容纳结构及多个射流喷嘴。所述射流喷嘴经配置以将等离子体形成材料的多个液体射流引导于在所述气体容纳结构内彼此碰撞的方向上。所述激光维持宽带光源进一步包含：激光泵源，其经配置以产生光学泵以在所述气体容纳结构的区域...

一种电子束装置包含激光器及光电阴极薄膜。所述光电阴极薄膜具有正面及背面，且在使用所述激光器从所述背面照明时发射多个电子小射束。所述电子束装置还包含电极，所述电极用以从所述光电阴极薄膜的所述正面提取所述多个电子小射束及用以控制所述多个电子...

本申请实施例涉及具有高压流的激光维持的等离子体光源。本发明公开一种宽带辐射源。该源可包含经配置以维持等离子体且发射宽带辐射的气体围阻容器。该源还可包含流体耦合到该气体围阻容器的再循环气体回路。该再循环气体回路可经配置以运送来自一或多个气...

本公开涉及用于在基于图像的叠加计量中确定目标特征焦点的系统及方法。一种计量系统包含通信地耦合到控制器的一或多个离焦成像计量子系统，所述控制器具有经配置以接收在一或多个焦点位置处捕获的多个训练图像的一或多个处理器。所述一或多个处理器可基于...

本文中呈现用于以目标方式监测半导体测量的质量的方法及系统。替代依赖于一或多个通用指标来确定整体测量质量，确定一或多个目标测量质量指示符。每一目标测量质量指示符提供对特定操作问题是否不利地影响测量质量的洞察。以此方式，所述一或多个目标测量...

一种检验系统包含控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器。所述程序指令致使所述一或多个处理器接收样本的第一扫描路径的第一组重复扫描带的至少第一部分。所述程序指令致使所述一或多个处理器通过平均化所述第一组重复扫描带的所述...

本申请涉及工艺温度测量装置制造技术及其校正及数据内插的方法。本发明揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，一或多个电子组件经安...

本发明公开用于确定筛选系统的诊断的系统及方法。此类系统及方法包含：基于在线特性化工具数据来识别缺陷结果；基于电性测试数据来识别电性测试结果；基于所述缺陷结果及所述电性测试结果来产生一或多个相关性度量；及基于所述一或多个相关性度量来确定所...

作为衬底检验的部分，可将光致发光材料施加到衬底的部分。所述光致发光材料包含具有盘绕宏观分子形状及间键或邻键的共轭聚合物。使用检验系统来使所述衬底成像。所述共轭聚合物可为(例如)聚(间伸苯[伸]乙炔)(PPE)或聚(对位苯基乙烯)(PPV)。

公开一种基于上下文的检验系统。所述系统可包含光学成像子系统。所述系统可进一步包含通信地耦合到所述光学成像系统的一或多个控制器。所述一或多个控制器可经配置以：接收一或多个参考图像；接收样本的一或多个测试图像；在检验运行时间期间使用非监督式...

双聚焦离子束及扫描电子束系统包含产生电子束的电子源及产生离子束的离子源。电子束柱将电子束以相对于载物台的顶表面的法线角进行引导。离子束柱将所述离子束引向所述载物台。所述离子束相对于所述电子束成某个角度。检测器接收从所述载物台上的晶片反射...

使用具有变迹器的系统对半导体晶片执行计量。在所述半导体晶片上形成具有从2nm到5nm的直径的光斑。相关联光束具有从400nm到800nm的波长。小目标测量可在光学波长范围下执行。

一种检验系统可在第一过程步骤之后产生多个样本区的第一步骤图像且在第二过程步骤之后产生所述样本区的第二步骤图像，其中所述第二过程步骤在所述样本区中的至少一者中修改样本。所述系统可进一步将所述样本区中的一者识别为测试区且将剩余样本区中的至少...

一种用于电子显微镜或类似装置的电子枪包含具有从单晶硅衬底的输出表面延伸的场发射体突部的场发射体阴极及经配置以增强来自所述场发射体突部的尖端部分的电子的发射以产生初级电子束的电极。连续TiN层使用最小化所述TiN层中的氧化及缺陷的工艺至少...