科磊股份有限公司专利技术

科磊股份有限公司共有973项专利

  • 本文中呈现用于基于遍及具有小实体占据面积的小照明点大小的高亮度软性X射线(SXR)照明执行半导体结构的测量的方法及系统。一方面,基于SXR的度量衡系统的聚焦光学器件以至少1.25的缩小率将照明源的图像投射到受测量样品上。另一方面,从所述...
  • 自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙包含:基于由一或多个半导体制造子系统获取的具有多个半导体裸片的一或多个半导体装置的表征测量来确定所述一或多个半导体装置上的多个明显致命缺陷;基于由一或多个测试工具子系统获取的测试测量来确定通过至...
  • 本发明提供一种真空卡盘,其包括:真空缓冲器,其与真空源呈流体连通,所述真空缓冲器是所述真空卡盘中的围闭体积;顶部板,其界定位于第一侧上的表面特征及经由贯通孔通向所述第一侧的内部分布通道网状结构;及流量阀,其经配置以控制所述分布通道网状结...
  • 一种多柱计量工具,其可包含沿着柱方向分布的两个或更多个测量柱,其中所述两个或更多个测量柱同时探测包含计量目标的样本上的两个或更多个测量区域。测量柱可包含用于将照明引导到所述样本的照明子系统、包含用于收集来自所述样本的测量信号且将其引导到...
  • 能够将半导体装置的掩模图案用作输入以使用机器学习模块来确定光致抗蚀剂厚度概率分布。例如,所述机器学习模块能够确定Z高度的概率图。此能够用于确定半导体装置的光致抗蚀剂厚度的随机性变化。能够在X方向及Y方向上的坐标处计算所述Z高度。坐标处计...
  • 本文中描述用于在动态控制多个性能目标的收敛轨迹时训练及实施计量配方的方法及系统。采用性能度量以正则化在测量模型训练、基于模型的回归或两者期间采用的优化过程。在模型训练期间动态控制与模型优化的损失函数中的所述性能目标中的每一者相关联的加权...
  • 一种用于在微电子装置制造期间加速物理模拟模型的方法可包含(但不限于):以具有第一分辨率的第一网格大小运行物理模拟模型;产生来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述第一网格大小的输出;将来自所述物理模拟模型的具有所述第一分辨率的所述...
  • 公开一种样本定位系统。所述系统可包含成像检测器。所述系统可进一步包含经通信地耦合到所述成像检测器及样本载物台的控制器,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令引起所述一或多个处理器:接收所述成像检测器的视场的当前...
  • 一种制造半导体装置的方法包含在工艺控制系统中定义取样计划。在第一数目N个样本点处获得测量值。使用晶片模型对所述第一数目个测量值进行建模以根据参考模型产生第一组系数。随机选择所述第一数目N个样本点的第二数目M。使用所述晶片模型对在所述第二...
  • 公开一种检验或计量样品的四个侧的方法。所述方法包含在成像工具的第一侧处的载体中提供样品,及经由取放载台组合件将所述样品从所述载体移动到所述成像工具。所述方法包括经由所述成像工具的第一通道及第二通道使所述样品的第一侧及第二侧成像,及使所述...
  • 基于位置的分级可将3DNAND结构中的不同行的通道孔上的缺陷分离到对应分级。产生图像的一维投影且形成一维曲线。从所述一维曲线产生掩模。使用所述掩模检测所述图像中的缺陷且执行基于位置的分级。执行基于位置的分级。执行基于位置的分级。
  • 一种计量系统包含通信地耦合到控制器的一或多个离焦成像计量子系统,所述控制器具有经配置以接收在一或多个焦点位置处捕获的多个训练图像的一或多个处理器。所述一或多个处理器可基于所述多个训练图像产生机器学习分类器。所述一或多个处理器可接收针对一...
  • 使用深度学习神经网络进行的检测/分类算法的解释阐明形成的结果且帮助用户识别缺陷检测/分类模型性能问题的根本原因。基于逐层相关性传播算法确定相关性图。确定所述相关性图与真实数据之间的平均交迭率评分。基于所述相关性图及所述平均交迭率评分确定...
  • 使用基于机器学习的模型及晶片图上的标志对所述晶片图进行分类。所述基于机器学习的模型使用迁移学习。可使用来自各种源的经提取且经扩增的图像及其经提取特征训练所述基于机器学习的模型。可将这些经提取特征分类成在半导体制造期间发生的缺陷。半导体制...
  • 为了发现重复缺陷,获得一或多个半导体晶片的光学检验结果。基于所述光学检验结果,识别所述一或多个半导体晶片上的多个缺陷。将所述多个缺陷中的在所述一或多个半导体晶片的多个裸片上具有等同裸片位置的缺陷分类为重复缺陷。基于所述光学检验结果,使用...
  • 本发明提供用于设置样品的对准的方法及系统。一种系统包含计算机子系统,所述计算机子系统经配置以用于在样品上的印刷实例的对应区域中的模板位置处获取从输出获取子系统的检测器的输出产生的二维(2D)图像。所述计算机子系统使用所述2D图像来确定所...
  • 提供一种光罩检验系统及一种在光罩检验系统中处置光罩的方法。所述光罩检验系统包含有源光罩载体及检验工具。所述光罩安置在所述有源光罩载体上,并且所述检验工具经配置以当所述有源光罩载体安置在光罩载物台上时确定所述光罩的定向。所述有源光罩载体可...
  • 本申请案涉及用于测量半导体装置的不同层之间的偏移的方法及系统,所述方法包含:提供与多个图案化半导体装置晶片(PSDW)相关的光瞳不准确性可缩放基础元素(PISBE)的集合;通过进行PSDW上的位点的单个测量而产生所述位点的单光瞳图像,所...
  • 一种用于产生与经完全或部分制造的半导体装置晶片(FPFSDW)相关的质量度量的系统及方法,所述方法包含:提供使多个参考现场图像(RFI)与形成于参考半导体装置晶片上的至少一个参考结构上的对应多个参考光点位置(RSL)相互关联的光点图;进...
  • 可散列半导体晶片的图像以确定所述图像中的每一者的固定长度散列串。可从所述散列串确定模式等同。可将所述模式等同分组。群组中的图像之间的类似性程度可经由汉明距离调整。此可用于各种应用,包含潜伏缺陷的确定。包含潜伏缺陷的确定。包含潜伏缺陷的确定。