科磊股份有限公司专利技术

科磊股份有限公司共有1155项专利

  • 一种热泵包含分成主壳容积及一或多个副容积的密封壳。热泵包含轴。热泵包含置换器,其耦合到所述轴且振荡以产生高压相与低压相之间的压力增益。热泵包含一或多个置换器环,其中所述置换器环由具有低于阈值的热性质的材料制成。热泵包含嵌件,其中所述嵌件...
  • 可确定来自检验图像的表示机械振动及电磁干扰的参数。可基于X方向偏移确定X方向振动频谱。可基于Y方向偏移确定Y方向振动频谱。所述确定可基于例如半导体晶片或光罩的工件的扫描带图像。
  • 公开一种用于使用数字滤波器来增强光学表征系统中的缺陷检测的系统。所述系统可包含控制器,所述控制器包含经配置以执行一组程序指令的一或多个处理器。所述一组程序指令可经配置以引起所述一或多个处理器:获取一或多个样本图像,所述一或多个样本图像包...
  • 本发明公开一种微型电子光柱设备。所述设备可包含经配置以将初级电子束导引到样本的一组电子光学元件。所述一组电子光学元件可包含物镜。所述设备还可包含偏转子系统。所述偏转子系统可包含定位于电子束源与所述物镜之间的一或多个透镜前偏转器。所述偏转...
  • 本申请实施例涉及阵列式柱检测器。根据本公开的一或多个实施例,公开一种电子束检验系统。所述检验系统可包含电子束源,其经配置以产生一或多个一次电子束。所述检验系统还可包含电子光学柱,其包含一组电子光学元件,所述电子光学元件经配置以将所述一或...
  • 本文中描述用于通过具有相对小工具占用面积的透射小角度x射线散射测量TSAXS系统表征半导体装置的尺寸及材料性质的方法及系统。本文中描述的所述方法及系统实现适合用于具有减小的光学路径长度的半导体结构的计量的Q空间分辨率。一般来说,所述x射...
  • 本发明的实施例涉及使用云纹元件及旋转对称布置以成像叠加目标。一种计量目标可包含具有第一图案的一或多个例子的第一旋转对称工作区及具有第二图案的一或多个例子的第二旋转对称工作区,其中所述第一图案或所述第二图案中的至少一者是由在第一样本层上的...
  • 本发明涉及一种数据驱动的错位参数配置与测量的系统及方法,所述方法包含:使用测量参数配置集来模拟选自旨在为相同的一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的多个测量模拟,产生所述装置的模拟数据;识别选自所述测量参数配置集的经推荐测量参数...
  • 本申请实施例涉及使用机器学习检验光罩的系统和方法。基于从设计数据库产生的光罩数据库图像来经由深度学习过程产生近场光罩图像,且基于所述近场光罩图像来经由基于物理的过程模拟检验系统的图像平面处的远场光罩图像。该深度学习过程包含基于最小化该远...
  • 本申请实施例涉及用于多光束检验系统的场曲率校正。揭示多光束电子束柱及使用此些多光束电子束柱的检验系统。根据本发明配置的多光束电子束柱可包含电子源及多透镜阵列,所述多透镜阵列经配置以利用由所述电子源提供的电子产生多个细光束。所述多透镜阵列...
  • 本文中呈现用于改进跨用来测量半导体结构的大测量系统群的工具偏差及工具间匹配的监测的方法及系统。由测量系统群中的每一者测量一或多个质量控制(QC)晶片。使用经训练QC编码器从与每一测量系统相关联的QC测量数据提取系统变量的值。采用所述系统...
  • 一种与静磁透镜组合以产生非常高性能的微型电子束或离子束柱的微型电子束柱。硅基电子光学组件提供关键光学元件的高准确度形成及对准,且所述磁透镜提供低像差聚焦或聚光元件。所述硅及磁组件的准确组装可经由多层组装技术实现,且允许实现高性能。
  • 一种计量系统包含成像系统。所述成像系统可包含物镜。所述计量系统可包含一或多个检测器。所述计量系统可包含结构上耦合到所述物镜且经配置以经由沿所述计量系统的光轴移动来调整所述一或多个检测器中的至少一者的焦平面的物镜定位载台。所述计量系统可包...
  • 系统包含安置于机器人手臂上的机器人接口及经配置以经由所述机器人接口选择性地耦合到所述机器人手臂的末端执行器。所述末端执行器包含上颚部、下颚部及经配置以携载衬底的一对臂。所述上颚部与所述下颚部在第一方向上间隔开且被偏置在一起,且所述一对臂...
  • 本申请实施例涉及用于半导体检验和光刻系统的载台设备。在可相对于载台框架移动的载台的卡盘上接纳半导体样本。使所述载台、卡盘和样本在用于检验或曝光所述样本的检验或曝光头部下方移动,且多个二维编码器头部与所述卡盘耦合。多个二维编码器标尺与所述...
  • 一种光学计量系统可包含用于特性化样本上的叠对目标的叠对计量工具,其中所述叠对目标包含在所述样本的第一组层中的第一方向周期性特征及在所述样本的第二组层中的第二方向周期性特征。所述叠对计量工具可使用第一照明光束及第二照明光束同时照明所述叠对...
  • 本申请涉及增强重叠计量的性能。一种用于计量的方法包含引导至少一个照明射束照明半导体晶片,在所述半导体晶片上已相继沉积了至少第一经图案化层及第二经图案化层,包含所述第一经图案化层中的第一目标特征及所述第二经图案化层中的重叠在所述第一目标特...
  • 可用光学系统增加金属通道光电倍增管的有效量子效率。所述光学系统可将来自所述金属通道光电倍增管的阴极上的低效率区域的入射光代替性地引导到所述阴极上的高效率区域。所述阴极的这些高效率区域可对应于倍增极结构之间的位置。
  • 本申请实施例涉及半导体生产期间的过程诱导位移表征。本发明揭示一种控制器,其经配置以:在至少一个离散背侧膜沉积过程之前对半导体晶片执行至少第一表征过程;在所述至少一个离散背侧膜沉积过程之后执行至少额外表征过程;基于至少所述第一表征过程及至...
  • 依据设计数据以及进行测量的工具的工具性质而确定模拟工具信号。依据测量值而确定设计辅助复合信号。然后通过将所述模拟工具信号与所述设计辅助复合信号进行比较而确定边缘安置均匀性信号。可分析所述边缘安置均匀性信号的形状及/或区域。所述边缘安置均...