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科磊股份有限公司专利技术
科磊股份有限公司共有1155项专利
用于基于微分测量信号的半导体结构的测量的方法及系统技术方案
本文中提出基于归因于测量目标的电性质、光学性质或两者的扰动的测量信号值的改变及所述性质的估计改变来测量特性化所述测量目标的结构参数的方法及系统。通过诱发被测量的测量目标内的电场的改变来扰动所述测量目标的所述电及光学性质。在优选实施例中,...
用于基于交错、非相干重叠光斑产生平顶照明光束的系统及方法技术方案
一种平顶光束产生系统可包含分束设备,所述分束设备包含一或多个分束器以将输入光束分割成三个或更多个子光束,所述子光束沿具有不同光学路径长度的光学路径传播。所述系统可进一步包含衍射光学元件(DOE),以使所述三个或更多个子光束衍射成多个经衍...
保护来自用于半导体良率相关的应用程序的不同实体的数据源制造技术
提供用于用来自不同实体的受保护数据源执行功能的方法及系统。一种系统包含虚拟系统,其耦合到实际系统以借此在样本安置于所述实际系统内时接收由所述实际系统针对所述样本的物理版本产生的输出。所述虚拟系统包含至少计算机系统及存储媒体。所述虚拟系统...
使用林尼克干涉仪的3D轮廓测量制造技术
公开用于产生体积数据的系统及方法。此类系统及方法能够包含在沿样本的深度方向定位的多个焦平面处扫描所述样本。此类系统及方法能够包含经由度量衡子系统的检测器在所述多个焦平面处产生所述样本的体积视场的多个图像。此类系统及方法能够包含聚集所述多...
用于半导体检验的气流配置制造技术
本发明提供用于检验样品的方法及系统。一种系统包含检验子系统,其经配置用于将光引导到所述样品上的区域且用于响应于来自所述样品上的所述区域的光而产生输出。所述系统还包含第一气流子系统,其经配置用于用与围绕所述样品上的所述区域的第一局部体积中...
装置特征特定边缘放置误差(EPE)制造方法及图纸
本发明公开一种用于利用例如光学子系统的第二子系统产生计量测量的系统及方法。所述方法可包含执行训练及运行时间操作。所述训练可包含:接收来自第一计量子系统(例如光学)的用于装置特征的第一计量数据;产生第一计量测量(例如关键尺寸等);基于所述...
用于获取接合样本的结构的对准测量的系统及方法技术方案
本发明公开用于获取接合样本的结构的测量的系统及方法。此类系统及方法可包含在将第一样本及第二样本耦合在一起之前确定所述第一样本的第一配准结构与第一界面目标结构的第一配准测量及所述第二样本的第二配准测量。此类系统及方法可包含在所述样本的此耦...
用于工艺控制的光学计量目标的高分辨率评估制造技术
一种计量系统可包含:光学计量子系统,其用于基于与至少一个光学节距相关联的光学计量目标的特征来产生光学计量的光学计量测量;及额外计量子系统,其用于产生所述光学计量目标的额外计量测量,其中所述额外计量测量具有高于所述光学计量测量的分辨率,且...
用于半导体晶片定位的基于磁对置铁芯线性电机的运动置物台制造技术
本文中呈现用于实现具有高定位准确度的高通量晶片定位系统的方法及系统。高通量、高准确度晶片定位系统用于测量与不同半导体制造过程相关联的结构及材料特性(例如材料组成、结构及膜的尺寸特性等等)。在一个方面中,铁芯线性电机组合件依磁对置配置布置...
通过模拟光致抗蚀剂厚度演变来修补光刻掩模制造技术
一种用于掩模设计修补的系统可开发在用于制造样本上的特征的一或多个工艺步骤后的层厚度的基于模拟的模型,开发制造工艺的变换模型,所述变换模型模仿所述基于模拟的模型且具有比所述基于模拟的模型更快的评估速度,且其中到所述变换模型的输入包含输入掩...
利用空间变化偏振转子及偏振器进行敏感性粒子检测制造技术
本申请实施例涉及利用空间变化偏振转子及偏振器进行敏感性粒子检测。一种暗场检验系统可包含:照射源,其用以产生照射束;照射光学器件,其经配置以将所述照射束沿着照射方向以离轴角度引导到样本;聚光光学器件,其用以在暗场模式中响应于所述照射束而聚...
通过动态设计及基于深度学习呈现的自适应图案化工件的检验制造技术
通过用于图像间转译的深度卷积神经网络基于设计文件来确定裸片的参考光学图像。从目标图像减除所述参考光学图像,借此产生差异图像。在应用关照区域掩模之后,所述差异图像可经二值化。所得经二值化缺陷图像可用于光学检验。
用于扫描叠加计量的多节距网格叠加目标制造技术
公开一种在单个单元中具有多个方向上的节距的叠加计量系统。根据计量配方,叠加目标可包含在所述样本的单元的两个或更多个层上的多层结构。所述多层结构可包含每一层中的结构,所述结构在一或多个周期性方向上具有一或多个节距。所述多层结构可包含具有第...
多模式缺陷检测制造技术
提供用于检测样品上的缺陷的方法及系统。一种方法包含分别针对检验子系统的第一及第二模式产生样品的第一及第二模式测试、参考及差异图像。所述方法还包含组合所述第一及第二模式测试图像、所述第一及第二模式参考图像及所述第一及第二模式差异图像作为用...
具有用于光学检验系统的导口管的升降器组合件技术方案
本发明公开一种用于光学系统的升降器组合件,其包含具有卡盘底座及可拆卸顶板的卡盘,其中所述可拆卸顶板是经配置以支撑衬底的多个可更换的可拆卸顶板中的一者。所述升降器组合件还包含可移动板以将所述卡盘支撑于所述可移动板的上表面上,所述可移动板可...
马赛克叠对目标制造技术
一种马赛克叠对目标可包含跨样本分布的两个或更多个单元组,其中每一单元组包含一或多个单元,其中每一单元组经定向以具有相对于所述马赛克叠对目标的中心轴的镜像对称性或相对于所述马赛克叠对目标的中心点的旋转对称性中的至少一者。所述单元组可根据度...
具有正交细间距分割的散射叠加计量制造技术
一种叠加计量目标可包含光栅上覆光栅结构,其由第一样本层中的具有第一粗间距的下光栅结构及第二样本层中的具有第二粗间距的上光栅结构形成,其中所述上光栅结构及所述下光栅结构在所述样本上重叠。所述上光栅结构或所述下光栅结构中的至少一者可包含具有...
用于利用主动倾斜校正对半导体结构进行测量的方法及系统技术方案
测量晶片倾斜并基于从跨越晶片的一组高度测量导出的经校正倾斜测量来补偿所述晶片倾斜。由测量系统在大数目的晶片位点处产生一组晶片定向校正值。在每一位点处,基于由光学倾斜传感器测量的校准晶片的局部晶片倾斜与从Z测量导出的所述校准晶片的局部斜率...
用于加速蚀刻过程开发的与特征缩放轮廓模型集成的等离子体超模型制造技术
利用等离子体超模型基于等离子体处理状况而确定晶片的表面处的等离子体参数。可利用特征缩放轮廓模型来预测所述晶片的所述表面的后处理轮廓。如果所述后处理轮廓在实验参考的收敛准则之外,那么可重新校准所述等离子体超模型中的相关性。
用于多柱显微镜的自动对焦传感器实施制造技术
位于本地的自动对焦传感器阵列提供对所述阵列中的每一显微镜柱与在下面成像的衬底之间的工作距离的直接测量。所述自动对焦传感器在其在所述成像衬底上待成像的一点上方通过时测量每一柱与所述衬底之间的所述工作距离。将来自所述传感器的所述工作距离测量...
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