【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
所描述实施例涉及计量及检验系统及方法，且更特定来说涉及具有经改进测量准确度的方法及系统。
技术介绍
1、例如逻辑及存储器装置等半导体装置通常通过适用于样品的处理步骤序列来制作。所述半导体装置的各种特征及多个结构层级通过这些处理步骤来形成。举例来说，其它处理步骤当中的光刻是一种涉及在半导体晶片上产生图案的半导体制作工艺。半导体制作工艺的额外示例包含但不限于化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可制作于单个半导体晶片上，且然后被分离成个别半导体装置。
2、在半导体制造工艺期间在各个步骤处，计量及检验过程被用于检测晶片上的缺陷以促成较高合格率。可用半导体测量系统包含膜及关键尺寸(cd)计量、叠对计量、裸晶片及成品晶片检验等。在许多示例中，x射线及光学计量技术提供了高吞吐量的潜力，而不具有样本破坏的风险。若干个基于x射线及光学计量的技术(包含散射测量术、反射测量术及椭圆测量术实施方案以及相关联分析算法)通常被用于表征关键尺寸、膜厚度、组合物、叠对以及纳米尺度结构的其它参数。
3、一般来说，在测量期间，晶片位于...
【技术保护点】
1.一种半导体测量系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体测量系统，所述计算系统进一步经配置以：
4.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体测量系统，
6.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其中所述晶片法向位置传感器子系统是所述半导体测量系统的自动聚焦子系统的元件，所述元件经配置以将所述半导体晶片定位在所述照明源及所述检测器的焦平面中。
7.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其中所述照明源...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体测量系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的半导体测量系统，所述计算系统进一步经配置以：
4.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体测量系统，
6.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其中所述晶片法向位置传感器子系统是所述半导体测量系统的自动聚焦子系统的元件，所述元件经配置以将所述半导体晶片定位在所述照明源及所述检测器的焦平面中。
7.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其中所述照明源及所述检测器是单波长椭圆偏光仪、光谱椭圆偏光仪、光束轮廓反射仪、基于x射线的散射仪及光谱反射仪中的任一者的元件。
8.根据权利要求1所述的半导体测量系统，其中制作于所述半导体晶片的所述表面上的所述一或多个结构包含一或多个膜结构、一或多个关键尺寸结构或其组合。
9.根据权利要求4所述的半导体测量系统，其中所述光学照明源是基于发光二极管(led)的光源、基于...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·帕基纳雅尼，S·克里许南，E·埃萨古勒言，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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