多模式缺陷检测制造技术

提供用于检测样品上的缺陷的方法及系统。一种方法包含分别针对检验子系统的第一及第二模式产生样品的第一及第二模式测试、参考及差异图像。所述方法还包含组合所述第一及第二模式测试图像、所述第一及第二模式参考图像及所述第一及第二模式差异图像作为用于缺陷检测的输入。另外，所述方法包含至少基于所述第一及第二模式差异图像检测所述样品上的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术大体上涉及用于使用检验子系统的多个模式检测样品上的缺陷的方法及系统。

技术介绍

1、以下描述及实例不因其包含于此段落中而被承认是现有技术。

2、制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用数个半导体制造过程处理样品(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是通常涉及将图案转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造过程。半导体制造过程的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以布置制造于半导体晶片上且接着被分成个别半导体装置。

3、在半导体制造过程期间的各个步骤使用检验过程以检测晶片上的缺陷以促进制造过程中的更高产量及因此更高利润。检验始终为制造半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于可接受半导体装置的成功制造变得更为重要，这是因为较小缺陷可能引起装置故障。

4、许多检验工具具有工具的许多输出(例如，图像)产生元件的可调整参数。一或多个元件(例如能量源、偏光器、透镜、检测器及类似者)的参数可取决于所检验样品的类型及样品上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种经配置用于检测样品上的缺陷的系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述计算机系统进一步经配置用于通过将所述第一及第二模式测试图像单独对准到所述样品的设计而使所述第一及第二模式测试图像彼此对准。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述检验子系统进一步经配置用于通过分别使用所述第一及第二模式跨所述样品上的裸片行扫描扫描带而产生所述第一及第二模式测试图像，其中所述扫描带具有等于或大于所述裸片行的宽度的长度，且其中所述计算机系统进一步经配置用于仅使用通过所述扫描产生的所述第一及第二模式测试图像执行所述产生所述第一及第二模式参考图像、减去、组合及检测。<...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种经配置用于检测样品上的缺陷的系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述计算机系统进一步经配置用于通过将所述第一及第二模式测试图像单独对准到所述样品的设计而使所述第一及第二模式测试图像彼此对准。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述检验子系统进一步经配置用于通过分别使用所述第一及第二模式跨所述样品上的裸片行扫描扫描带而产生所述第一及第二模式测试图像，其中所述扫描带具有等于或大于所述裸片行的宽度的长度，且其中所述计算机系统进一步经配置用于仅使用通过所述扫描产生的所述第一及第二模式测试图像执行所述产生所述第一及第二模式参考图像、减去、组合及检测。

4.根据权利要求1所述的系统，其中所述计算机系统进一步经配置用于分别针对所述第一及第二模式测试图像计算第一及第二类似性度量及分别基于所述第一及第二类似性度量将所述第一及第二模式测试图像分成第一及第二检测作业，且其中所述产生所述第一及第二模式参考图像、减去、组合及检测是针对所述第一及第二检测作业中的两者或更多者中的每一者单独执行。

5.根据权利要求4所述的系统，其中针对所述第一及第二检测作业中的至少一者执行的所述产生所述第一及第二模式参考图像包括独立于所述样品上产生所述第一及第二测试模式图像的位置分别针对所述产生所述第一及第二模式参考图像选择所述第一及第二模式测试图像中的一或多者。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述检测不包括仅从所述第一模式测试、参考及差异图像中的一或多者确定第一模式候选缺陷的第一模式属性或仅从所述第二模式测试、参考及差异图像中的一或多者确定第二模式候选缺陷的第二模式属性。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述检测包括基于所述第一模式测试、参考及差异图像中的至少一者结合所述第二模式测试、参考及差异图像中的至少一者确定候选缺陷的属性。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述计算机系统进一步经配置用于基于所述第一模式测试、参考及差异图像中的至少一者结合所述第二模式测试、...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·帕克，G·丛，E·希夫林，R·威灵福德，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：