一种用于掩模设计修补的系统可开发在用于制造样本上的特征的一或多个工艺步骤后的层厚度的基于模拟的模型，开发制造工艺的变换模型，所述变换模型模仿所述基于模拟的模型且具有比所述基于模拟的模型更快的评估速度，且其中到所述变换模型的输入包含输入掩模设计，且其中所述变换模型的输出包含与所述输入掩模设计的制造相关联的一或多个输出参数以及描述所述一或多个输出参数对所述输入掩模设计的变动的敏感度的一或多个敏感度度量。所述系统可进一步接收候选掩模设计且基于所述变换模型及所述候选掩模设计产生经修补掩模设计。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及光刻掩模设计，且更特定来说，涉及修补光刻掩模设计以减轻随机缺陷。
技术介绍
1、对减小半导体装置中的特征尺寸的需求导致光刻印刷工艺的更严格公差。虽然可大体上通过按比例缩小光刻工艺中使用的光的波长来减小最小特征尺寸，但通常期望在特定波长下制造接近或低于经典分辨率极限的特征。在此机制下，与各种工艺的随机性相关联的随机缺陷变得越来越成问题。在半导体制造期间发生的随机缺陷可归因于构成光刻图案转印工艺的大量物理现象(例如但不限于光子曝光及吸收、光产物扩散、化学反应物空间分布、化学反应或类似者)的固有随机性。显著地，随机性不同于不确定性且与工艺内的随机变动有关。用于特性化随机晶片缺陷的典型方法包含基于从上而下扫描电子显微镜(sem)的检验、显影后检验(adi)及/或蚀刻后检验(aei)图案边缘放置的从上而下模拟及其检验。然而，此类技术可能过于耗时及/或可能无法提供导致对经制造样本的缺陷率的参数的充分测量，所述参数最终可受关注。因此，需要发展出解决此类不足的系统及方法。
技术实现思路
>1、根据一或多个说本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述层厚度包括：
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述基于模拟的模型或所述变换模型中的至少一者在存在工艺变动的情况下提供所述层厚度或所述层厚度的概率中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述候选掩模设计及所述经修补掩模设计是由二进制表示、多边形表示、距离场表示或水平集表示中的至少一者表示。
5.根据权利要求1所述的系统，其中基于所述变换模型及所述候选掩模设计产生所述经修补掩模设计包括：
6.根据权利要求1所述的系统，其中基于所述变换模型及所述候选掩模设计产生...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述层厚度包括：
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述基于模拟的模型或所述变换模型中的至少一者在存在工艺变动的情况下提供所述层厚度或所述层厚度的概率中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述候选掩模设计及所述经修补掩模设计是由二进制表示、多边形表示、距离场表示或水平集表示中的至少一者表示。
5.根据权利要求1所述的系统，其中基于所述变换模型及所述候选掩模设计产生所述经修补掩模设计包括：
6.根据权利要求1所述的系统，其中基于所述变换模型及所述候选掩模设计产生所述经修补掩模设计包括迭代地执行以下步骤，直到满足一或多个应用公差为止：
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述一或多个应用公差包括：
8.根据权利要求6所述的系统，其中在所述候选掩模设计未能符合所述应用公差时基于所述一或多个敏感度度量更新所述候选掩模设计包括：
9.根据权利要求8所述的系统，其中在所述候选掩模设计未能符合所述应用公差时基于所述一或多个敏感度度量更新所述候选掩模设计进一步包括：
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述选定敏感度阈值对应于基于所述一或多个敏感度度量具有最高敏感度的位置的选定百分比。
11.根据权利要求8所述的系统，其中基于所述一或多个敏感度度量产生所述候选掩模设计中的至少一些边缘的所述更新向量包括：
12.根据权利要求8所述的系统，其中所述候选掩模设计及所述经修补掩模设计是由定义一组多边形的多边形表示来表示，其中用所述更新向量更新所述候选掩模设计包括：
13.根据权利要求8所述的系统，其中所述候选掩模设计及所述经修补掩模设计是由水平集表示来表示，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·悟卡达拉，G·帕尔赛，白昆伦，李笑晗，A·布罗夫，张草，J·S·格雷夫斯，J·比亚福尔，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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