【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体涉及包含用于减少经检验的样品的非样品诱导的光散射及异物污染的气流子系统的检验系统。
技术介绍
1、以下描述及实例并未凭借其包含于此段落中而被承认为现有技术。
2、制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)以形成所述半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是一种半导体制造工艺，其涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(cmp)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可制造于单个半导体晶片上的布置中且接着分离成个别半导体装置。
3、在半导体制造过程期间的各种步骤使用检验过程来检测晶片及其它衬底上的缺陷以促进制造过程中的更高良率及因此更高利润。检验始终是制造半导体装置(例如ic)的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于成功制造可接受半导体装置变得甚至更为重要，这是因为较小缺陷可引起装置故障。
4、颗粒是半导体制造中的致命缺陷。10nm颗粒可破坏具有20nm临界尺寸(c...
【技术保护点】
1.一种经配置用于检验样品的系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一介质基本上由氦气组成。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一介质是真空。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一气流子系统包括用于用所述第一介质替换所述气体的多个通道，且其中所述第一气流子系统进一步经配置以引起所述第一介质接近所述多个通道的两者或更多者具有特性的不同值。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述第一介质是真空，且其中所述特性是压力。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一介质在经引导到所述区域的所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种经配置用于检验样品的系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一介质基本上由氦气组成。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一介质是真空。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一气流子系统包括用于用所述第一介质替换所述气体的多个通道，且其中所述第一气流子系统进一步经配置以引起所述第一介质接近所述多个通道的两者或更多者具有特性的不同值。
5.根据权利要求4所述的系统，其中所述第一介质是真空，且其中所述特性是压力。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一介质在经引导到所述区域的所述光及来自所述区域的所述光的一或多个波长下具有小于干燥空气在所述一或多个波长下的折射率的折射率。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一局部体积的高度是由所述检验子系统的物镜与所述样品之间的距离界定。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二介质基本上由清洁干燥空气组成。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气流子系统进一步经配置以不将所述第二介质引导到经引导到所述区域的所述光的路径及来自所述区域的所述光的路径中。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二气流子系统进一步经配置用于用所述第二介质将异物移动远离所述样品。
11.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一气流子系统及所述第二气流子系统不更改所述第二局部体积外部的所述气体。
12.根据权利要求1所述的系统，其中整个所述检验子系统未定位于真空内。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王春海，赵国衡，A·罗曼诺夫斯基，M·纪，郝益华，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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