【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般来说涉及沿半导体工艺线监测晶片，且特定来说，涉及一种用于工艺条件测量晶片组合件的系统及方法。
技术介绍
1、随着半导体装置处理环境中的工艺条件的公差不断缩小，对改进工艺监测系统的需求也不断增加。处理系统内的热均匀性是一种此条件。当前方法无法监测当前处理技术所要的极端条件下的温度(例如，高温)而不污染相关联室。一种监测工艺条件的先前方法涉及使用工艺条件测量晶片。常规工艺条件测量晶片可包含测量及记录工艺条件(例如温度)的无线数据采集系统。然而，常规工艺条件测量晶片通常经受可归于内部构造变动的温度不准确性，且可能无法承受当前及未来处理系统(例如，外延室、等离子体蚀刻室)的能量通量。因此，将期望提供一种允许使用仪器化晶片进行高温测量以监测半导体装置处理线的条件的系统及方法。
技术实现思路
1、揭示一种工艺条件测量晶片组合件。在实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含底部衬底及顶部衬底。在另一实施例中，所述工艺条件测量晶片组合件包含一或多个电子组件，所述一或多个电子组件经安置在一或多个...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组温度传感器跨所述工艺条件测量晶片分布，且所述一组热通量传感器跨所述工艺条件测量晶片分布。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中校正在所述等温条件下获取的所述一组温度测量值及所述一组热通量测量值包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述已知热通量应用到所述工艺条件测量晶片包括：
7.一种系统，其包括：
8.根据权利要求7所述的系...
【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组温度传感器跨所述工艺条件测量晶片分布，且所述一组热通量传感器跨所述工艺条件测量晶片分布。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中校正在所述等温条件下获取的所述一组温度测量值及所述一组热通量测量值包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述已知热通量应用到所述工艺条件测量晶片包括：
7.一种系统，其包括：
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述一组温度传感器跨所述工艺条件测量晶片分布，且所述一组热通量传感器跨所述工艺条件测量晶片分布。
9.根据权利要求7所述的系统，其中所述一或多个处理器经配置以：
10....
【专利技术属性】
技术研发人员：F·A·库利，A·恩古叶，J·R·拜洛，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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