【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及缺陷检测。
技术介绍
1、导体制造产业的演进对产量管理及特定来说计量及检验系统提出更高要求。临界尺寸不断缩小，但产业需要缩短达成高产量、高价值生产的时间。最小化从检测到产量问题到解决其的总时间最大化半导体制造商的投资报酬率。
2、制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量制程处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻术是涉及将图案从倍缩光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制程。半导体制程的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(cmp)、蚀刻、沉积及离子植入。在单个半导体晶片上制造的多个半导体装置的布置可被分离为个别半导体装置。
3、在半导体或其它衬底制造期间的各个步骤使用检验过程来检测晶片上的缺陷以促进制程中的更高产量及因此更高利润。检验始终是制造例如集成电路(ic)的半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于成功制造可接受半导体装置变得甚至更重要，这是因为较小缺陷可导致装置故障。例如，随着半导体装置的尺寸减小，缩小大小的缺陷的检测已变得必要...
【技术保护点】
1.一种衬底检验方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包含聚(间伸苯[伸]乙炔)(PPE)。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包含聚(对位苯基乙烯)(PPV)。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物具有所述间键。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物具有所述邻键。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物具有大于106M-1cm-1的摩尔消光比及大于50％的量子产率。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是半导体晶片。
8.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种衬底检验方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包含聚(间伸苯[伸]乙炔)(ppe)。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包含聚(对位苯基乙烯)(ppv)。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物具有所述间键。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物具有所述邻键。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物具有大于106m-1cm-1的摩尔消光比及大于50％的量子产率。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是半导体晶片。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述部分是金属。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属是铜、钨、钴、钌或铝。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述部分是绝缘体。
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。