【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及电子束系统。
技术介绍
1、半导体制造行业的发展对良率管理且特别是对计量与检验系统提出更高的要求。临界尺寸持续缩小，但行业需要减少实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测到良率问题到解决所述问题的总时间确定半导体制造商的投资回报率。
2、制造例如逻辑与存储器装置的半导体装置通常包含使用大量制造工艺处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻是半导体制造工艺，其涉及将图案从光罩转移到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂上。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(cmp)、蚀刻、沉积及离子植入。制造于单个半导体晶片上的多个半导体装置的布置可分成个别半导体装置。
3、在半导体制造期间的各个步骤中使用检验过程来检测晶片上的缺陷，以促进制造工艺中的更高良率，及因此更高利润。检验一直是制造例如集成电路(ic)的半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于可接受半导体装置的成功制造变得更加重要，因为较小的缺陷会使装置发生故障。例如，随着半导体装置的尺寸减小，尺寸减小的缺陷的检...
【技术保护点】
1.一种系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述物镜是磁性物镜。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述物镜是静电物镜。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述加速电极与所述接地电极隔开第一距离且其中所述加速电极与所述电荷控制板隔开第二距离，其中所述第一距离是从15mm到20mm且所述第二距离是从约20mm到25mm。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述加速电极在所述电子束的所述路径的方向上具有从12mm到16mm的厚度。
7.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括：
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述物镜是磁性物镜。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述物镜是静电物镜。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述加速电极与所述接地电极隔开第一距离且其中所述加速电极与所述电荷控制板隔开第二距离，其中所述第一距离是从15mm到20mm且所述第二距离是从约20mm到25mm。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述加速电极在所述电子束的所述路径的方向上具有从12mm到16mm的厚度。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述加速电极界定开孔，所述电子束穿过所述开孔，其中所述开孔具有从15mm到25mm的直径。
8.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括六边形检测器阵列。
9.一种方法，其包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括将所述电子束引导通过定位于所述转移透镜下游的物镜，其...
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