【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及半导体装置的制造，且特定来说，本专利技术涉及半导体电路计量的方法及目标特征。
技术介绍
1、半导体电路通常使用光刻方法来制造。在光刻中，光敏聚合物(光致抗蚀剂)薄层沉积于半导体衬底上方且使用光学或其它辐射来图案化，使衬底的部分由光致抗蚀剂覆盖。光致抗蚀剂通过将光罩的图像投射到光致抗蚀剂上的扫描仪来图案化，通常使用紫外辐射。在图案化之后，衬底通过例如蚀刻及离子轰击的方法来改性以改变衬底的材料性质及/或形貌，同时不影响由光致抗蚀剂覆盖的衬底的部分。
2、半导体电路计量用于测量图案化光致抗蚀剂的性质，例如图案化特征的形貌及位置。光致抗蚀剂的图案化特征相对于先前图案化的工艺层的准确位置对于实现光刻工艺的高良率来说是重要的。图案化光致抗蚀剂相对于下伏工艺层的任何配准(偏移)误差称为“叠加误差”。作为实例，在具有10nm到14nm(所谓的10-nm设计规则)的最小线宽的典型半导体电路中，最大可允许叠加误差是2nm到3nm。在领先半导体电路中，线宽缩小到5nm，且最大允许叠加误差也随之降低。
3、叠加误差通...
【技术保护点】
1.一种用于半导体计量的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二叠加目标的所述第二部分包括所述第一部分的旋转副本。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一叠加目标是安置于所述半导体衬底上的不同相应位置处的多个第一叠加目标中的一者，每一第一叠加目标包括所述第一目标特征及所述第二目标特征，且
4.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一图像包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中使用所述第一部分及所述第二部分两者包括通过找到所述第二叠加目标的所述第一部分及所述第二部分两者中的所述第一目标特征及所述第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于半导体计量的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二叠加目标的所述第二部分包括所述第一部分的旋转副本。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一叠加目标是安置于所述半导体衬底上的不同相应位置处的多个第一叠加目标中的一者，每一第一叠加目标包括所述第一目标特征及所述第二目标特征，且
4.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述第一图像包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中使用所述第一部分及所述第二部分两者包括通过找到所述第二叠加目标的所述第一部分及所述第二部分两者中的所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应第一对称中心之间的位移来估计所述第一叠加误差，且
6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体衬底的第一定向上捕捉所述第一图像，且其中所述方法包括在相对于所述第一定向围绕所述半导体衬底的所述法线旋转180°的所述半导体衬底的第二定向上捕捉所述第二叠加目标的第三图像，且其中处理所述第一图像包括处理所述第一图像及所述第三图像两者以估计所述第一定向及所述第二定向上的相应第一及第二叠加误差，及基于所述第一及第二叠加误差来计算所述目标校准函数。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底包括由切割线分离的裸片，且其中所述第一叠加目标安置于裸片的装置区域中且所述第二叠加目标安置于所述切割线中的一者中。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一目标特征包括在所述第一膜层中沿第一方向定向的第一线性光栅，且所述第二目标特征包括在所述第二膜层中在所述第一方向上定向的第二线性光栅。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一目标特征进一步包括在所述第一膜层中沿不与所述第一方向平行的第二方向定向的第三线性光栅，且所述第二目标特征包括在所述第二膜层中在所述第二方向上定向的第四线性光栅。
10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括测量所述半导体衬底的角度偏移，其中应用所述目标校准函数包括在估计所述叠加误差时校正所述角度偏移。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一叠加目标是安置于所述半导体衬底上的不同相应位置处的多个所述第一叠加目标中的一者，且其中测量所述角度偏移包括估计及补偿所述不同位置中的每一者处的局部角度偏移。
12.一种产品，其包括：
13.根据权利要求12所述的产品，其中所述第二叠加目标的所述第二部分包括所述第一部分的旋转副本。
14.根据权利要求12所述的产品，其中所述第一叠加目标是安置...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·弗莱，M·吉诺乌克，N·本大卫，Y·于齐耶尔，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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