【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及半导体装置的制造，且特定来说，本专利技术涉及用于半导体电路计量的方法及目标特征。
技术介绍
1、半导体电路通常使用光刻法制造。在光刻工艺中，光敏聚合物(光致抗蚀剂)的薄层沉积于半导体衬底上。光致抗蚀剂由曝光系统图案化，曝光系统通常包括扫描仪或步进器，其通常使用紫外线辐射将掩模(也称为“光掩模”或“光罩”)的图像投射到光致抗蚀剂上。光罩的图像范围界定衬底上的曝光场。多个场通常曝光于单个半导体衬底上以优化衬底的利用。在图案化之后，通过例如蚀刻及离子轰击的方法对衬底改质以改变衬底的材料性质及/或拓扑，而由光致抗蚀剂覆盖的衬底的部分不受影响。
2、扫描仪的曝光场通常包括一或多个裸片，其中每一裸片将用于生产对应集成电路。然而，在一些应用中，单个电路可能需要大于单个曝光场的尺寸。在此情况中，单个裸片可包括两个或更多个相邻曝光场，具有连接裸片内的相邻场的图案化电路特征。图案化半导体衬底使得相邻场的电路特征连接起来通常称为“场拼接”或简称为“拼接”。
3、已提出用于测量相邻场之间的失准的一些方法。例如，第20...
【技术保护点】
1.一种半导体计量方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述图像包括寻找所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应第一及第二对称中心，测量所述第一与第二对称中心之间的位移，及通过比较所述测量位移与标称位移来检测所述失准。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一目标特征及所述第二目标特征分别包括第一及第二线性光栅，所述第一及第二线性光栅沿共同光栅方向定向。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一及第二线性光栅沿第一光栅方向定向，且其中图案化所述膜层包括在场的相对第一及第二侧上的边际内分别沿所述第一场的所述第一边缘...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体计量方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中处理所述图像包括寻找所述第一目标特征及所述第二目标特征的相应第一及第二对称中心，测量所述第一与第二对称中心之间的位移，及通过比较所述测量位移与标称位移来检测所述失准。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一目标特征及所述第二目标特征分别包括第一及第二线性光栅，所述第一及第二线性光栅沿共同光栅方向定向。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一及第二线性光栅沿第一光栅方向定向，且其中图案化所述膜层包括在场的相对第一及第二侧上的边际内分别沿所述第一场的所述第一边缘及所述第二场的所述第二边缘形成第三及第四目标特征，其中所述第三及第四目标特征分别包括第三及第四线性光栅，所述第三及第四线性光栅沿不与所述第一方向平行的第二方向定向。
5.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述膜层包括在靠近所述第一目标特征的所述第一场内形成至少所述第一目标特征的另一例子，且其中处理所述图像包括使用至少所述第一目标特征的所述另一例子来计算对准校准函数，且将所述对准校准函数应用于测量所述第一场与所述第二场之间的失准。
6.根据权利要求5所述的方法，其中至少所述第一目标特征的所述另一例子包括所述第一目标特征的复本，所述复本相邻于所述第一目标特征，且其中计算所述对准校准函数包括测量所述第一目标特征的所述复本与所述第一目标特征之间在所述图像中的关系。
7.根据权利要求5所述的方法，其中至少所述第一目标特征的所述另一例子包括所述第一目标特征及所述第二目标特征两者的复本。
8.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述膜层包括界定邻接所述第二场的第三场，其具有包括沿所述第三场的第三边缘的第三边际内的至少一第三目标特征的第三图案，使得所述第三场的所述第三边缘紧邻所述第二场的第四边缘，且所述第二场包括所述第二边际中的第四目标特征，所述第四目标特征相邻于所述第三边际上的所述第三目标特征且不与所述第三目标特征重叠，且
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括测量所述半导体衬底的角度失准，其中处理所述图像包括在估计所述第一场与所述第二场之间的所述失准时校正所述角度失准。
10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述第一目标特征及所述第二目标特征应用于测量所述半导体衬底上的连续膜层之间的叠加误差。
11.一种产品，其包括：
12.根据权利要求11所述的产品，其中所述第一目标特征及所述第二目标特征分...
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