【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及清洗半导体制造设备的组件。
技术介绍
1、半导体制造设备用于制造半导体装置。来自半导体制造设备的污染物通常污染半导体晶片。举例来说，例如光致抗蚀剂及聚合物残渣的污染物可能污染半导体装置，这可影响装置性能且降低产品良率。当前，已发展出多种湿式(例如，去离子水及溶剂)及干式(例如，等离子体)清洗工艺以解决广泛多种污染物。然而，用于半导体装置制造设备的当前清洗方法通常无法有效地彻底清洗半导体制造设备。
2、特定来说，检验或计量工具可包含光束系统或电子束系统。例如，对于光学或电子束源，组件的洁净度是重要的。来自未清洗组件的污染物可能损坏系统且可归因于污染物与光子或电子束的高能量之间的相互作用而导致设备不起作用。举例来说，例如来自机械加工工艺的切割流体或冷却剂的污染物可能污染光学或电子束系统。
3、图1中的流程图展示先前湿式清洗技术。在溶剂冲洗期间使用异丙醇(ipa)或另一溶剂以移除颗粒、油及油脂。运用ipa或另一溶剂施加超声波清洗以进一步移除污染物。使用去离子水(diw)进行冲洗且在洁净干燥空气(cda)中干燥组件。运用水性除脂剂溶液的超声波冲洗进一步移除污染物。使用去离子水(diw)低压喷雾冲洗及浸泡以移除残留物，其后接着在cda中进行干燥。
4、此先前技术中的化学品具有进入组件的微孔、盲孔及微结构的问题。归因于大表面张力及化学品的高粘度，满足清洗规范是困难的。由于所涉及的化学品的数量，可再引入来自先前清洗工艺的污染物。因此，清洗的有效性不足。除有效性的问题之外，先前技术的可靠性也较差，这
5、因此，需要经改进技术及系统。
技术实现思路
1、在第一实施例中，提供一种清洗方法。所述清洗方法包含在腔室中加热光学系统或电子束系统的组件。将超临界流体调配物施加到所述腔室中的所述组件，借此移除分子及/或颗粒污染物。所述超临界流体调配物包含二氧化碳、水、hcf、烷烃、烯烃、一氧化二氮、甲醇、乙醇或丙酮中的一或多者。在例子中，所述超临界流体调配物包含二氧化碳。
2、所述超临界流体调配物可包含共溶剂，所述共溶剂包含醇、醚、硫醇、酮、碳氢化合物、腈、酰胺、芳族化合物、非质子性溶剂、hfc、dmf或nmp中的一或多者。
3、所述超临界流体调配物可包含表面活性剂，所述表面活性剂包含丙酮乙酰、六氟丙酮乙酰、炔醇、二醇、长烷基链仲胺或叔胺中的一或多者。
4、所述超临界流体调配物可包含螯合剂，所述螯合剂包含柠檬酸、edta、草酸、多羧酸、取代二硫代胺基甲酸酯、丙二酸酯或聚乙二醇中的一或多者。
5、所述超临界流体调配物可包含氧化剂，所述氧化剂包含臭氧或过氧化氢中的一或多者。
6、所述超临界流体调配物可包含分散剂，所述分散剂包含三聚磷酸钠或季铵盐中的一或多者。
7、所述组件可为激光源、x射线光源、duv源、euv源、照明光学器件、集光光学器件或宽带等离子体及激光腔。在另一例子中，所述组件可为电子枪系统、电子柱系统、真空腔室或平台。在另一例子中，所述组件是光学器件，其包含clbo、bbo、ktp、ppktp、lbo、dkdp、adp、kdp、liio3、knbo3、linbo3、aggas2、aggase2、mgf2、caf2、baf2、lif、yag、tgg、tio2、zns、znse、gaas或sige。在另一例子中，所述组件是晶体，其包含氧化物涂层、ta2o5、zro2、hfo2、al2o3、sio2、nb2o5、tio2、fs、sbo、氟化物涂层、lif、caf2、mgf2、laf3、alf3、lif、laf3、gdf3或ndf3。在另一例子中，所述组件是精密孔隙、气动递送系统、电子束孔隙、真空兼容机械(mechanics)或光机械(optomechanics)。在另一例子中，所述组件是缆线、pcb、传感器、pzt、电子束偏转器、静电透镜或pin二极管。在另一例子中，所述组件是led、发射器、tdi、ccd或cmos。在另一例子中，所述组件是密封材料，且其中所述密封材料包含铟、铜、银或聚合物。
8、可在施加所述超临界流体调配物之后钝化所述组件。
9、在第二实施例中，提供一种清洗系统。所述清洗系统包含：超临界流体腔室，其经配置以固持所清洗的组件；co2槽；流体管线，其将所述co2槽连接到所述超临界流体腔室；加热器，其安置于所述超临界流体腔室上且经配置以加热所述组件；及泵，其安置于所述流体管线上且经配置以对来自所述co2槽的co2加压。所述加热器及所述泵经配置以操作使得所述co2经施加到所述组件作为超临界co2。
10、所述清洗系统可包含与所述超临界流体腔室及所述co2槽流体连通的co2再循环系统。
11、所述清洗系统可包含与所述流体管线流体连通的额外槽。所述额外槽可保持共溶剂、表面活性剂、螯合剂、氧化剂或分散剂中的一或多者。
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1.一种清洗方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含二氧化碳。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含共溶剂，所述共溶剂包含醇、醚、硫醇、酮、碳氢化合物、腈、酰胺、芳族化合物、非质子性溶剂、HFC、DMF或NMP中的一或多者。
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含表面活性剂，所述表面活性剂包含丙酮乙酰、六氟丙酮乙酰、炔醇、二醇、长烷基链仲胺或叔胺中的一或多者。
5.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含螯合剂，所述螯合剂包含柠檬酸、EDTA、草酸、多羧酸、取代二硫代胺基甲酸酯、丙二酸酯或聚乙二醇中的一或多者。
6.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含氧化剂，所述氧化剂包含臭氧或过氧化氢中的一或多者。
7.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含分散剂，所述分散剂包含三聚磷酸钠或季铵盐中的一或多者。
8.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是激光源
9.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是电子枪系统、电子柱系统、真空腔室或平台。
10.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是光学器件，且其中所述光学器件包含CLBO、BBO、KTP、PPKTP、LBO、DKDP、ADP、KDP、LiIO3、KNbO3、LiNbO3、AgGaS2、AgGaSe2、MgF2、CaF2、BaF2、LiF、YAG、TGG、TiO2、ZnS、ZnSe、GaAs或SiGe。
11.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是晶体，且其中所述晶体包含氧化物涂层、Ta2O5、ZrO2、HfO2、Al2O3、SiO2、Nb2O5、TiO2、FS、SBO、氟化物涂层、LiF、CaF2、MgF2、LaF3、AlF3、LiF、LaF3、GdF3或NdF3。
12.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是精密孔隙、气动递送系统、电子束孔隙、真空兼容机械或光机械。
13.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是缆线、印刷电路板、传感器、压电组件、电子束偏转器、静电透镜或pin二极管。
14.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是发光二极管、发射器、时延积分传感器、电荷耦合装置或互补金属氧化物半导体。
15.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是密封材料，且其中所述密封材料包含铟、铜、银或聚合物。
16.根据权利要求1所述的清洗方法，其进一步包括在所述施加之后钝化所述组件。
17.一种清洗系统，其包括：
18.根据权利要求17所述的清洗系统，其进一步包括与所述超临界流体腔室及所述CO2槽流体连通的CO2再循环系统。
19.根据权利要求17所述的清洗系统，其进一步包括与所述流体管线流体连通的额外槽，其中所述额外槽保持共溶剂、表面活性剂、螯合剂、氧化剂或分散剂中的一或多者。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种清洗方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含二氧化碳。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含共溶剂，所述共溶剂包含醇、醚、硫醇、酮、碳氢化合物、腈、酰胺、芳族化合物、非质子性溶剂、hfc、dmf或nmp中的一或多者。
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含表面活性剂，所述表面活性剂包含丙酮乙酰、六氟丙酮乙酰、炔醇、二醇、长烷基链仲胺或叔胺中的一或多者。
5.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含螯合剂，所述螯合剂包含柠檬酸、edta、草酸、多羧酸、取代二硫代胺基甲酸酯、丙二酸酯或聚乙二醇中的一或多者。
6.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含氧化剂，所述氧化剂包含臭氧或过氧化氢中的一或多者。
7.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述超临界流体调配物包含分散剂，所述分散剂包含三聚磷酸钠或季铵盐中的一或多者。
8.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是激光源、x射线光源、duv源、euv源、照明光学器件、集光光学器件或宽带等离子体及激光腔。
9.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是电子枪系统、电子柱系统、真空腔室或平台。
10.根据权利要求1所述的清洗方法，其中所述组件是光学器件，且其中所述光学器件包含clbo、bbo、ktp、ppktp、lbo、dkdp、adp、kdp、liio3、knbo3、l...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙久龙，蒋中伟，A·埃萨尼，G·罗斯，B·泰勒，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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