本技术提供一种用于扩散炉的载片舟，涉及半导体集成电路加工技术领域。该载片舟包括：平行于晶圆容置平面的顶盖和底盖、垂直于晶圆容置平面的多根立柱，以及多个承载件，每根立柱的顶端连接顶盖，底端连接底盖，多根立柱间形成有便于晶圆取放的开口；每根...

本技术涉及半导体技术领域，具体提供一种用于匀胶显影机的供液系统及匀胶显影系统，旨在解决现有的匀胶显影机在补充HMDS时因采用手工操作的方式所导致的人力物力耗费及产线效率下降的问题。为此目的，本技术的匀胶显影机包括机台，供液系统包括第一供...

本技术提供一种具有耐高压电阻的半导体结构和半导体器件。所述具有耐高压电阻的半导体结构，包括第一掺杂类型的衬底；形成在所述衬底中的沟槽和形成在所述沟槽中的第一介质层；衬底中形成在所述沟槽下方的第二掺杂类型的掺杂区域，第二掺杂类型与第一掺杂...

本技术公开了一种LDMOS器件，包括：衬底；位于半导体基板中的沟道区和漂移区，沟道区中设有源区，漂移区中设有漏区；位于半导体基板上且层叠设置的栅极介质层和栅极，栅极朝向漏区的一侧设有第一侧墙，栅极朝向源区的一侧设有第二侧墙；以及法拉第结...

本实用新型公开了一种

本发明提供了一种可控硅整流器及其制造方法，包括在第一导电类型衬底中间隔设置的第一导电类型阱区

本申请实施例涉及半导体生产技术领域，具体涉及一种产线派工方法

本申请提供一种标准机械接口侧连接件、连接装置和标准机械接口，涉及半导体加工技术领域，解决因设备震动产生SMIF位移的问题。该连接件包括：固定板和至少一个活动插板；固定板的至少三个端部设有可调节螺栓；活动插板包括固定连接的操作部和插接部，...

本实施例提供一种热

本申请实施例涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体成膜方法和半导体器件的制造方法，该半导体成膜方法包括：向放置有待成膜半导体在制品的反应腔室中通入氧源以及由载气携带的硅源，使氧源与硅源反应，在待成膜半导体在制品表面形成氧化硅薄膜，其中反...

本发明公开一种测试结构及测试方法。测试结构包括衬底；多个测试金属层，包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；第一至第三测试电极，第一和第二测试电极分别与每个蛇形金属线的第一端和第二端相连，第三测试电极与每个梳齿状结构相连，相应在第一与第二...

本实用新型提供一种晶圆载片装置，涉及半导体加工技术领域，解决加工设备的传感器难以识别超薄晶圆的问题。该晶圆载片装置包括：平行于晶圆容置平面的两个底板、垂直于晶圆容置平面的两个挡板以及多个安装件，其中，两个底板和两个挡板构成晶圆载片装置的...

本申请实施例提供用于射频LDMOS器件的测试结构和晶圆，该测试结构的外延层位于衬底之上，外延层中设有漂移区；栅极介质层位于外延层之上；栅位于栅氧化层之上；法拉第环结构部分覆盖栅，场板结构覆盖漂移区并与法拉第环结构连接为Z字型一体结构；介...

本实用新型提供一种晶圆，涉及半导体加工技术领域，解决晶圆边缘金属脱落的问题。该晶圆包括：衬底，以及位于衬底上的多层层间介质层，相邻层间介质层之间设有金属布线层，且相邻金属布线层之间通过位于层间介质层中的金属插塞实现电连接，其中，最顶层的...

本实用新型提供用于评价集成电路介质隔离性能的测试结构及晶圆。测试结构包括衬底、介质层和顶层金属层；衬底与介质层之间设有氧化层，氧化层包括厚氧区、第一和第二薄氧区；第一薄氧区在衬底的表面围成闭合环状；多个第二薄氧区间隔设置于第一薄氧区围成...

本发明公开了一种测试结构及测试方法。该测试结构包括衬底；多个测试金属层，每个测试金属层均包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；第一测试电极至第三测试电极，第一和第二测试电极分别与每个蛇形金属线的第一端和第二端相连，第三测试电极与每个梳齿...

本发明公开一种测试结构及测试方法。测试结构包括衬底；多个测试金属层，包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；第一至第三测试电极，第一和第二测试电极分别与每个蛇形金属线的第一端和第二端相连，第三测试电极与每个梳齿状结构相连，使第一与第二测试...

本实用新型公开了一种用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构和晶圆，测试结构与屏蔽栅型MOSFET位于同一晶圆中，测试结构包括：至少一个沟槽；位于沟槽中的第一多晶硅层和第二多晶硅层，以及隔离第一多晶硅层和第二多晶硅层的氧化层；第一导电柱，与第...

本实施例提供一种晶圆制造派工方法、派工装置及电子设备，涉及集成电路制造领域，目的是为了解决现有的晶圆制造派工方法难以兼顾生产时间和设备产能最大化的问题。本发明的方法包括：建立包含待派工晶圆制品信息和可作业设备信息的信息表；根据待派工晶圆...

本发明提供一种中高压MOS器件及其版图结构和制造方法。本发明的MOS器件的版图结构包括衬底中的第一阱区，和第一阱区中的欧姆接触区；阱区中的第一漂移区和第二漂移区，以及第一漂移区中的源极区和第二漂移区中的漏极区；第一阱区上方包括栅极绝缘层...