本专利申请公开一种晶圆的测试结构，晶圆包括至少一个半导体器件，半导体器件具有套刻的第一结构和第二结构；测试结构包括：接触区；多个第一阱区，与接触区均位于掺杂结构中；第一电极，分别与每个第一阱区电连接；以及测试电极，与接触区电连接，并与第...

本实用新型提供一种压环组件、反应腔室和半导体加工设备。其中压环组件用于固定反应腔室内的待淀积部件，该压环组件包括压环本体和沿压环本体内侧周向排布的多个压接装置，压接装置包括弹簧片，弹簧片连接于压环本体，弹簧片靠近压环本体圆心的一端弯折以...

本专利申请公开一种晶圆的测试结构，该晶圆包括至少一个半导体器件，半导体器件具有套刻的第一结构和第二结构；该测试结构包括：多个第一导电单元；多个第一导电插塞，与多个第一导电单元一一对应；第一电极，分别与每个第一导电单元电连接；以及测试电极...

本申请实施例中提供了一种具有沟槽型栅极的半导体器件，所述半导体器件包括：半导体基板；半导体基板内的体区，体区包括第一区域和第二区域，第二区域表面依次设置有第一绝缘层、停止层以及层间介质层；穿过第一区域并延伸至半导体基板内的第一沟槽，第一...

本申请实施例中提供了一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：自下而上依次层叠设置的半导体基板、第一绝缘层、停止层以及层间介质层；半导体基板内的体区；依次穿过第一绝缘层和体区并延伸至半导体基板内的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽内自下而上...

本实用新型公开一种MEMS麦克风芯片和MEMS麦克风。MEMS麦克风芯片包括层叠设置的基板、振膜和电极板，其中基板的中部设有声腔；振膜边缘与基板边缘之间设有第一固定部；振膜与电极板之间通过第二固定部隔离而构成电容结构；振膜上设有第一凹凸...

公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底中设有有源区，有源区位于衬底顶部；第一介质层，位于衬底的顶表面上，第一介质层中设有贯穿孔，贯穿孔位于有源区的顶表面上，且贯穿孔内设有导电插塞；第二介质层，位于第一介质层的顶表面上，第二介质层...

公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底中设有有源区，有源区位于衬底顶部；还包括：介质层，位于衬底的顶表面上，介质层中设有贯穿孔，贯穿孔位于有源区的顶表面上，介质层远离有源区部分的厚度大于靠近有源区部分的厚度；金属层，位于介质层的...

本申请公开了一种背面金属化工艺的监控方法，包括如下步骤：获得半导体基板的体电阻，半导体基板具有相对的第一表面和第二表面，半导体基板包括衬底，衬底具有相对的正面和背面，且衬底的背面作为半导体基板的第二表面；在第二表面的预设位置处形成多个背...

本申请实施例中提供了一种沟槽栅功率器件及其制备方法，所述沟槽栅功率器件的制备方法包括：在半导体基板中形成沟槽栅型MOS结构，所述沟槽栅型MOS结构包括体区、第一沟槽、第二沟槽、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一多晶硅、第二多晶硅、...

本申请实施例中提供了一种功率半导体器件及其制备方法，所述功率半导体器件的制备方法包括：在半导体基板中形成沟槽栅型MOS结构，所述沟槽栅型MOS结构包括体区、第一沟槽、第二沟槽、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第一多晶硅、第二多晶硅、...

本申请公开了一种半导体结构及其测试方法，该半导体结构包括半导体层，半导体层具有相对的第一表面和第二表面；基于半导体层形成有多个芯片，芯片包括位于第一表面上的正面电极，以及位于第二表面上的背面电极，且相邻芯片的背面电极之间彼此分离；其中，...

本实用新型公开一种MEMS麦克风芯片和MEMS麦克风。该MEMS麦克风芯片包括层叠设置的基板、振膜和背板，其中基板的中部设有声腔；振膜的下表面朝向基板，振膜的边缘与基板的边缘之间设有第一固定部；振膜的上表面朝向背板，振膜与背板之间通过第...

本申请公开了一种半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法，该沟槽栅结构的制造方法包括：在半导体结构表面形成牺牲层，其中半导体结构包括半导体层、位于半导体层中的沟槽、覆盖于半导体层上并填充于沟槽内的栅极导体层，且对应于沟槽的栅极导体层表面具有凹...

本实用新型公开一种用于透光晶圆的载具，包括适配于不透光晶圆加工产线的不透光主体，不透光主体的表面凹陷形成用于容置透光晶圆的容置槽。本实用新型提供的载具，由于其主体结构呈不透明状，所以承载有透光晶圆的载具也不透明，这样使得现有硅晶圆等不透...

本实用新型公开一种半导体封装件。该半导体封装件包括：半导体芯片，其表面设有多个外接端子；引线框架，其具有多个用于与外部电路连接的管脚；连接部，其包括作为连接线路的多条引线以及用于承载多条引线的绝缘基材层，其中引线的一端与外接端子连接，另...

本实用新型公开一种半导体器件，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；电路功能层，位于衬底的第一表面，电路功能层包括布线层；位于衬底中的多个开口，且沿第一表面至第二表面的方向，开口内依次设有电路层引线点、金属柱体和金属焊盘；其中，金属...

本专利申请公开了一种晶圆的测试结构，该晶圆包括至少一个半导体器件，半导体器件具有套刻的第一结构与第二结构；该测试结构包括：第一导电部；以及第二导电部，与第一导电部构成第一电容；其中，沿第一方向，随着第一结构与第二结构之间相对位置的偏差增...

公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底，衬底中设有有源区，有源区位于衬底顶部；还包括：介质层，位于衬底的顶表面上，介质层中设有贯穿孔，贯穿孔位于有源区的顶表面上，介质层远离有源区部分的厚度大于靠近有源区部分的厚度；金属层，...

公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括衬底，衬底中设有有源区，有源区位于衬底顶部；第一介质层，位于衬底的顶表面上，第一介质层中设有贯穿孔，贯穿孔位于有源区的顶表面上，且贯穿孔内设有导电插塞；第二介质层，位于第一介质层的顶表面上...