一种用于透光晶圆的载具制造技术

本实用新型专利技术公开一种用于透光晶圆的载具，包括适配于不透光晶圆加工产线的不透光主体，不透光主体的表面凹陷形成用于容置透光晶圆的容置槽。本实用新型专利技术提供的载具，由于其主体结构呈不透明状，所以承载有透光晶圆的载具也不透明，这样使得现有硅晶圆等不透光晶圆加工产线中的传输系统能够直接用于碳化硅晶圆等透光晶圆的传送，而无需对现有不透光晶圆加工产线进行较复杂和较高费用的改造或更新。产线进行较复杂和较高费用的改造或更新。产线进行较复杂和较高费用的改造或更新。

【技术实现步骤摘要】
一种用于透光晶圆的载具


[0001]本技术属于半导体器件制造
更具体地，涉及一种用于透光晶圆的载具，尤其涉及一种用于碳化硅晶圆加工产线的载具。

技术介绍

[0002]碳化硅材料因具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐照能力强、化学稳定性好等特性，使其在功率器件、电力电子器件等领域得到了广泛的应用。
[0003]不同于硅晶圆、磷化铟(InP)晶圆、砷化镓(GaAs)晶圆、氮化镓(GaN)等不透光晶圆，碳化硅晶圆呈透明或半透明状，即使是带有外延层的碳化硅晶圆，也基本为半透明。所以针对碳化硅晶圆的加工工艺、加工设备甚至整个加工产线均有其特殊之处。
[0004]以传输系统为例，目前硅晶圆、磷化铟晶圆等不透光晶圆加工产线中的传输系统，主要包括光学定位机构和传送机构。其中光学定位机构由光发射器、光接收器和控制模块构成，大致工作原理为：光发射器所发出的光照射到晶圆上，由于晶圆不透明，因此控制模块可根据光接收器是否接收到透射光来确定晶圆传送盒内是否承载有晶圆，并据此判定是否需要进行晶圆传送。而由于碳化硅晶圆可透光，所以针对不透光晶圆的光学定位机构很难准确判断晶圆传送盒内是否有待传送的碳化硅晶圆。目前专门针对碳化硅晶圆等透光晶圆的光学定位机构，包括两个光接收器，分别用于接收透射光和反射光，控制模块根据两个光接收器所接收到的透射光和反射光的情况判断晶圆传送盒内是否承载有待传送的透光晶圆。
[0005]而在实际生产中，搭建专门针对碳化硅器件的加工产线需要非常高的经济成本和时间成本，所以目前绝大多数半导体企业是采用对已有传统不透光晶圆的加工产线进行改造的方式，以兼容碳化硅晶圆，但同样需要付出相当高的经济成本。此外，由于目前业内主流的硅晶圆加工尺寸为八英寸和十二英寸，而主流的碳化硅晶圆的尺寸一般为四英寸和六英寸，这进一步增大了加工产线的改造难度。

技术实现思路

[0006]针对上述问题，本技术的目的在于提供一种用于透光晶圆的载具，利用该载具能够在现有的硅晶圆等传统不透光晶圆的加工产线上运送碳化硅晶圆等透光晶圆，从而能够降低传统不透光晶圆加工产线的改造难度和改造成本。
[0007]为实现上述目的，本技术提供的一种用于透光晶圆的载具，包括适配于不透光晶圆加工产线的不透光主体，该不透光主体的表面凹陷形成用于容置透光晶圆的容置槽。
[0008]优选地，不透光主体的外侧边缘设有定位缺口或定位边。
[0009]优选地，不透光主体由不透光晶圆制成，容置槽是在不透光晶圆表面形成的凹槽。
[0010]优选地，透光晶圆为碳化硅晶圆，不透光晶圆为硅晶圆。
[0011]优选地，沿平行于不透光主体的表面，容置槽呈圆形或多边形，且容置槽的尺寸与透光晶圆的直径相适配。
[0012]优选地，容置槽的边缘设有至少一个用于取放透光晶圆的取放口。
[0013]优选地，取放口的深度大于或等于容置槽的深度。
[0014]优选地，沿平行于不透光主体的表面，容置槽为长方形或正方形。
[0015]优选地，呈多边形的容置槽的相邻两条边的相交处设有一个或多个凸角，凸角朝向容置槽的中心。
[0016]优选地，容置槽的深度与透光晶圆的厚度之间的差值不超过50微米。
[0017]本技术的有益效果如下：
[0018]本技术提供的用于透光晶圆的载具，包括不透光主体，该不透光主体具有与硅晶圆、磷化铟等不透光晶圆加工产线相适配的尺寸，且其表面设有容置槽。在传送碳化硅晶圆等透光晶圆时，由于承载有透光晶圆的载具不透明，因此能够适配于现有不透光晶圆加工产线中的传输系统，实现透光晶圆的顺利传送，从而大幅度降低了现有不透光晶圆加工产线的改造难度和改造成本。
附图说明
[0019]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0020]图1示出本技术一种实施方式的结构示意图。
[0021]图2示出本技术另一种实施方式的结构示意图。
[0022]图3示出本技术又一种实施方式的结构示意图。
[0023]附图标记说明：
[0024]10-不透光主体；
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101-容置槽；
[0025]102-定位部；
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103-取放口；
[0026]104-凸角。
具体实施方式
[0027]为了更清楚地说明本技术，下面结合优选实施例和附图对本技术做进一步说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本技术的保护范围。
[0028]在图1至图3分别所示的实施方式中，该用于透光晶圆的载具包括适配于不透光晶圆加工产线的不透光主体10，该不透光主体10具有相对的两个表面，其中一个表面设有朝向另一表面凹陷的容置槽101，该容置槽101用于容置透光晶圆。
[0029]具体地，不透光主体10适配于不透光晶圆加工产线，指的是不透光主体10的形状和尺寸大小与现有不透光晶圆加工产线的加工尺寸相一致，使现有不透光晶圆加工产线中的传输系统能够顺利传送此不透光主体10。例如对于八英寸的硅晶圆加工产线，此不透光主体10的尺寸与八英寸硅晶圆的尺寸相一致，大致为厚度725μm、直径200mm的圆板状结构。
[0030]本实施例提供的载具，由于不透光主体10不透光，则承载有碳化硅晶圆等透明或半透明晶圆的载具也不透光，且由于不透光主体10具有适配于硅晶圆等不透光晶圆加工产线的形状和尺寸，因此承载有透光晶圆的载具也能够适配于现有不透光晶圆加工产线，使
不透光晶圆加工产线中的传输系统能够实现对透光晶圆的顺利传送，有效降低了现有不透光晶圆加工产线的改造难度和改造成本。
[0031]为进一步适配不透光晶圆加工产线，上述不透光主体10的外侧边缘最好还设有用于晶圆定位的定位部102。定位部102具体可以采用现有不透光晶圆的定位方式。比如图1和图2中所示的载具中，不透光主体10的外侧边缘设有定位缺口(Notch)；图3中所示的载具中，不透光主体10的外侧边缘设有定位边(Flat)。具体可根据不透光晶圆加工产线的实际情况选择适宜方式的定位部102。一般而言，若硅晶圆、磷化铟晶圆等不透光晶圆的加工尺寸小于200mm(八吋)，则可以采用定位边的方式；若不透光晶圆的加工尺寸大于或等于200mm，则可以采用定位缺口的方式。
[0032]进一步地，上述不透光主体10具体可以由不透光晶圆加工而成。上述不透光晶圆比如可以是硅晶圆，也可以是砷化镓、磷化铟、氮化镓等III-V族化合物半导体晶圆，还可以是硒化锌等II-VI族化合物半导体晶圆。具体可以根据待传输透光晶圆以及待改造不透光晶圆加工产线的实际情况，选择适宜的不透光晶圆并将其加工成不透光主体10。
[0033]在优选地实施方式中，透光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于透光晶圆的载具，其特征在于，包括适配于不透光晶圆加工产线的不透光主体，所述不透光主体的表面凹陷形成用于容置所述透光晶圆的容置槽。2.根据权利要求1所述的用于透光晶圆的载具，其特征在于，所述不透光主体的外侧边缘设有定位缺口或定位边。3.根据权利要求2所述的用于透光晶圆的载具，其特征在于，所述不透光主体由不透光晶圆制成，所述容置槽是在所述不透光晶圆表面形成的凹槽。4.根据权利要求3所述的用于透光晶圆的载具，其特征在于，所述透光晶圆为碳化硅晶圆，所述不透光晶圆为硅晶圆。5.根据权利要求1-4任一项所述的用于透光晶圆的载具，其特征在于，沿平行于所述不透光主体的表面，所述容置槽呈圆形或多边形，且所述容置槽的尺寸与所述透光晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓靖，田红林，陈兆震，
申请(专利权)人：北京燕东微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：