本发明专利技术涉及LED芯片巨量转移方法、转移装置及显示屏制作方法，LED芯片巨量转移方法，包括以下步骤：首先在芯片的一个面上制作一层磁性薄膜；然后根据芯片的外形、尺寸制作具有若干与芯片外形、尺寸相适配的凹槽或通孔的转移基板，使若干芯片可根据物理形状的差异选择性嵌入转移基板的凹槽区域或通孔内；最后在转移基板一侧放置磁铁，利用磁性吸力和转移基板上的凹槽或通孔将带有磁性薄膜的若干芯片进行再分布选择性定位，转移至转移基板的对应凹槽或通孔内。本发明专利技术利用磁性定向选择和芯片的外形尺寸形状差异，结合特制的转移基板，可实现巨量芯片自组装转移定位，不需要高精密度的设备，可以实现低成本、高精度、高良率的巨量转移。移。移。
【技术实现步骤摘要】
LED芯片巨量转移方法、转移装置及显示屏制作方法
[0001]本专利技术涉及LED显示、背光
，特别是一种LED芯片巨量转移方法、转移装置及显示屏制作方法。
技术介绍
[0002]Mini LED背光、Micro LED显示技术是一种将数百万到数千万颗大小在100微米以内的半导体发光LED像素，通过巨量转移的方式，精确、有序地转移到各类电路基板上，形成不同应用类型的高密度集成显示器件。Micro LED的巨量转移技术是将很多器件在芯片形态的阶段就整合在一起，而不用等到最后封装完成之后再把器件形态的产品集成到载板上。
[0003]由于Micro LED采用的是微米级LED芯片做为显示像素，因此巨量转移技术主要具有以下几个技术难点：
[0004]1.转移定位精度方面：转移的Micro LED芯片尺寸是微米量级，一般在1-50微米，要求转移定位精度在2微米误差。
[0005]2.转移定位良率方面：根据分辨率的不同，2k-4k Micro LED显示屏，单位像素点约200万-900万组/平方米，对应的LED芯片数量为600万粒-2400万粒，为满足显示质量，要求不良芯片数量要低于3-5PPM/平方米，所以要求转移定位的良率非常高。
[0006]3.转移芯片成本方面：Micro LED显示屏需要的芯片转移数量一般在几千万粒芯片/平方米，如此巨量的芯片转移，成本是是目前Micro LED技术遇到的最大难题。
[0007]目前，巨量转移技术难度高，转移成本昂贵，工艺路线有印章转移、激光转移、流体装配、电磁力转移等不同技术路线。目前的转移技术，以印章方式为主，但印章转移路线在转移效率低，巨量修复困难，并不是最佳的量产转移路线。低成本、高精度、高良率的巨量转移技术是当前Micro LED显示应用的主要障碍之一。
技术实现思路
[0008]本专利技术的主要目的是克服现有技术的缺点，提供一种可实现巨量芯片自组装转移定位，不需要高精密度的设备，可以实现低成本、高精度、高良率巨量转移的LED芯片巨量转移方法、转移装置及显示屏制作方法。
[0009]本专利技术采用如下技术方案：
[0010]LED芯片巨量转移方法，包括以下步骤：
[0011]①
在芯片的一个面上制作一层磁性薄膜；
[0012]②
根据芯片的外形、尺寸制作具有若干与芯片外形、尺寸相适配的凹槽或通孔的转移基板，使若干芯片可根据物理形状的差异选择性嵌入转移基板的凹槽区域或通孔内；
[0013]③
在转移基板一侧放置磁铁，利用磁性吸力和转移基板上的凹槽或通孔将带有磁性薄膜的若干芯片进行再分布选择性定位，转移至转移基板的对应凹槽或通孔内，实现巨量芯片自组装转移定位。
[0014]进一步地，所述步骤
①
中的磁性薄膜采用带有磁性的磁性物质或具有铁磁性的金属制成。
[0015]进一步地，所述步骤
①
中，在芯片上制作磁性薄膜的方法依次包括以下步骤：
[0016]a.将芯片制作完成的LED晶圆安置到定位基板上，芯片电极面远离定位基板；
[0017]b.根据LED晶圆上芯片的尺寸制作光刻掩模版；
[0018]c.在LED晶圆的芯片面上涂覆光刻胶；
[0019]d.借助光刻掩模版,经曝光、显影工艺，将芯片对应区域的光刻胶去除；
[0020]e.用磁粉填充裸露出来的芯片对应区域，通过在定位基板远离芯片一侧加设磁铁对LED晶圆上的磁粉进行顺磁，然后通过胶水使磁粉层固连于芯片表面；
[0021]f.使用去胶剂将光刻胶去除，芯片上磁性薄膜制作完成。
[0022]进一步地，所述步骤e中，对LED晶圆上的磁粉进行顺磁后，在LED晶圆上喷涂一层液体胶水，固化胶水，使芯片与磁粉和胶水的混合物层形成牢固连接；然后，使用研磨机对LED晶圆上的磁粉和胶水的混合物层进行研磨，研磨至裸露出芯片之间的光刻胶为止，在每个芯片上形成磁性薄膜且芯片磁性薄膜之间有光刻胶隔离。
[0023]进一步地，所述步骤
①
中，在芯片上制作磁性薄膜的方法依次包括以下步骤：
[0024]A.将芯片制作完成的LED晶圆安置到定位基板上，芯片电极面远离定位基板；
[0025]B.根据LED晶圆上芯片的尺寸制作光刻掩模版；
[0026]C.在LED晶圆的芯片面上涂覆光刻胶；
[0027]D.借助光刻掩模版,经曝光、显影工艺，将芯片对应区域的光刻胶去除；
[0028]E.在LED晶圆上镀膜铁磁性金属层，去除芯片以外区域的铁磁性金属层，并对芯片上铁磁性金属层进行充磁；
[0029]F.使用去胶剂将光刻胶去除，芯片上磁性薄膜制作完成。
[0030]进一步地，所述步骤E中，镀膜铁磁性金属层采用蒸镀镀膜或溅射镀膜工艺。
[0031]进一步地，所述转移基板上的凹槽或通孔的深度大于对应芯片的厚度0～2微米，长度、宽度尺寸分别大于对应芯片的长度、宽度尺寸1～2微米。
[0032]LED芯片巨量转移装置，包括有转移基板及磁铁，转移基板上开设有若干与待转移芯片外形、尺寸相适配的凹槽或通孔，磁铁可吸附于转移基板一侧、并与转移基板平面相配合、可单侧覆盖转移基板的凹槽或通孔。
[0033]进一步地，所述若干凹槽或通孔呈阵列式排布于转移基板上。
[0034]显示屏制作方法，包括以下步骤：先根据权利要求1至7任一所述的LED芯片巨量转移方法分别将R、G、B三种不同颜色的芯片进行再分布巨量转移至三个转移基板上；然后分别将三个转移基板上的R、G、B芯片依次整体转移到一张膜上；最后，去除芯片上的磁性薄膜。
[0035]由上述对本专利技术的描述可知，与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0036]本专利技术利用磁性定向选择和芯片的外形尺寸形状差异，形成三维矢量定位选址参数，结合特制的转移基板，可实现巨量芯片自组装转移定位。不需要高精密度的设备，可以实现低成本、高精度、高良率的巨量转移。
附图说明
[0037]图1是本专利技术实施例1的制作有磁性薄膜的LED晶圆的立体示意图；
[0038]图2是本专利技术实施例1的转移基板的立体结构示意图；
[0039]图3是图2中M处的放大图。
[0040]图中：1.芯片，2.磁性薄膜，3.LED晶圆，4.定位基板，5.凹槽，6.转移基板。
具体实施方式
[0041]以下通过具体实施方式对本专利技术作进一步的描述。
[0042]实施例1
[0043]参照图1至图3，本专利技术的LED芯片巨量转移方法，包括以下步骤：
[0044]①
在芯片1的一个面上制作一层磁性薄膜2，具体包括如下步骤：
[0045]a.将芯片1制作完成的LED晶圆3安置到定位基板4上，芯片1电极面远离定位基板4；
[0046]b.根据LED晶圆3上芯片1的尺寸制作光刻掩模版；
[0047]c本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.LED芯片巨量转移方法，其特征在于：包括以下步骤：
①
在芯片的一个面上制作一层磁性薄膜；
②
根据芯片的外形、尺寸制作具有若干与芯片外形、尺寸相适配的凹槽或通孔的转移基板，使若干芯片可根据物理形状的差异选择性嵌入转移基板的凹槽区域或通孔内；
③
在转移基板一侧放置磁铁，利用磁性吸力和转移基板上的凹槽或通孔将带有磁性薄膜的若干芯片进行再分布选择性定位，转移至转移基板的对应凹槽或通孔内，实现巨量芯片自组装转移定位。2.如权利要求1所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述步骤
①
中的磁性薄膜采用带有磁性的磁性物质或具有铁磁性的金属制成。3.如权利要求1或2所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述步骤
①
中，在芯片上制作磁性薄膜的方法依次包括以下步骤：a.将芯片制作完成的LED晶圆安置到定位基板上，芯片电极面远离定位基板；b.根据LED晶圆上芯片的尺寸制作光刻掩模版；c.在LED晶圆的芯片面上涂覆光刻胶；d.借助光刻掩模版,经曝光、显影工艺，将芯片对应区域的光刻胶去除；e.用磁粉填充裸露出来的芯片对应区域，通过在定位基板远离芯片一侧加设磁铁对LED晶圆上的磁粉进行顺磁，然后通过胶水使磁粉层固连于芯片表面；f.使用去胶剂将光刻胶去除，芯片上磁性薄膜制作完成。4.如权利要求3所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于：所述步骤e中，对LED晶圆上的磁粉进行顺磁后，在LED晶圆上喷涂一层液体胶水，固化胶水，使芯片与磁粉和胶水的混合物层形成牢固连接；然后，使用研磨机对LED晶圆上的磁粉和胶水的混合物层进行研磨，研磨至裸露出芯片之间的光...
【专利技术属性】
技术研发人员：申广，申凤仪，
申请(专利权)人：申广，
类型：发明
国别省市：
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