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本发明涉及LED芯片巨量转移方法、转移装置及显示屏制作方法，LED芯片巨量转移方法，包括以下步骤：首先在芯片的一个面上制作一层磁性薄膜；然后根据芯片的外形、尺寸制作具有若干与芯片外形、尺寸相适配的凹槽或通孔的转移基板，使若干芯片可根据物理形...
该专利属于申广所有，仅供学习研究参考，未经过申广授权不得商用。

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