LDMOS器件制造技术

本技术公开了一种LDMOS器件，包括：衬底；位于半导体基板中的沟道区和漂移区，沟道区中设有源区，漂移区中设有漏区；位于半导体基板上且层叠设置的栅极介质层和栅极，栅极朝向漏区的一侧设有第一侧墙，栅极朝向源区的一侧设有第二侧墙；以及法拉第结构，覆盖栅极的顶面和第一侧墙并延伸覆盖漂移区，其中，法拉第结构包括至少两层法拉第层，至少两层法拉第层部分互补，以共同至少覆盖栅极的顶面。本技术提供的LDMOS器件，通过对其法拉第结构进行改进可以充分屏蔽来自漏区的干扰信号，且不增加输入电容，从而能够提升LDMOS器件的频率特性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体集成电路设计与制造，特别涉及一种ldmos器件。

技术介绍

1、横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double diffusedmosfet，ldmos)是上世纪九十年代发展起来的一种功率半导体器件。由于具有高增益、高线性、高耐压、高输出功率等技术特点，因此ldmos广泛应用在射频无线通信领域，如无线电短波通讯、基站、长距离发射机等领域。

2、在射频应用之中，射频ldmos(rf ldmos)作为放大器的核心元件，往往工作于不同的偏置条件下，射频信号通过栅极输入，放大后从漏区输出(源区接地)。当射频信号输入时，栅极电压的高速变化就使得沟道区域在反型(导通)和空穴积累(开启)两个状态之间高速切换。这就要求射频ldmos具有更高的抗干扰能力，避免源极和漏极的信号对栅极的干扰，以满足ldmos器件更高的频率特性。

3、图1示出了根据现有技术的一种ldmos器件的结构示意图；图2示出了图1所示的ldmos器件的剖面示意图。为了更清楚的展示ldmos器件的立体结构，图1省略了图2中的金属层metal1和m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述法拉第层包括梳状插指结构，所述梳状插指结构包括第一主干部和多个分支部，所述第一主干部至少覆盖漂移区并沿第一方向延伸，所述分支部的一端连接在所述第一主干部朝向栅极的一侧并沿第二方向延伸，且多个分支部沿第一方向间隔排列；所述至少两层法拉第层的分支部互补，以共同覆盖所述栅极的顶面，或者共同覆盖所述栅极的顶面和所述第一侧墙；

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述法拉第层的分枝部包括弧形板和条形板，所述弧形板的一端连接在所述第一主干部朝向栅极的一侧，所述弧...

【技术特征摘要】

1.一种ldmos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述法拉第层包括梳状插指结构，所述梳状插指结构包括第一主干部和多个分支部，所述第一主干部至少覆盖漂移区并沿第一方向延伸，所述分支部的一端连接在所述第一主干部朝向栅极的一侧并沿第二方向延伸，且多个分支部沿第一方向间隔排列；所述至少两层法拉第层的分支部互补，以共同覆盖所述栅极的顶面，或者共同覆盖所述栅极的顶面和所述第一侧墙；

3.根据权利要求2所述的ldmos器件，其特征在于，所述法拉第层的分枝部包括弧形板和条形板，所述弧形板的一端连接在所述第一主干部朝向栅极的一侧，所述弧形板的另一端与所述条形板的一端连接；

4.根据权利要求2所述的ldmos器件，其特征在于，

5.根据权利要求2-4任一项所述的ldmos器件，其特征在于，所述法拉第结构包括层叠设置的第一法拉第层和第二法拉第层，所述第一法拉第层相对更靠近所述栅极和所述漂移区...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢岳，周源，刘园园，
申请(专利权)人：北京燕东微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：