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本技术公开了一种LDMOS器件，包括：衬底；位于半导体基板中的沟道区和漂移区，沟道区中设有源区，漂移区中设有漏区；位于半导体基板上且层叠设置的栅极介质层和栅极，栅极朝向漏区的一侧设有第一侧墙，栅极朝向源区的一侧设有第二侧墙；以及法拉第结构，...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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