【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种沟槽类半导体器件的清洗方法及制备方法。
技术介绍
1、目前，在半导体
，为了保证沟槽类半导体器件，如沟槽型mos势垒肖特基二极管(trenchmos barrier schottky diodes，tmbs)的电场更为均匀，通常采用的解决手段是将外围的终端沟槽刻蚀成波浪状，以确保终端沟槽与元胞沟槽结构之间的距离相等。具体而言，元胞沟槽的横截面为圆形，终端沟槽靠近元胞沟槽的一侧由多个具有相同半径的圆弧形侧壁构成，部分最外圈元胞沟槽位于圆弧形侧壁所在圆周的圆心位置，其余最外圈元胞沟槽的横截面中心与相邻圆弧形侧壁相接处的距离等于圆弧形侧壁所在圆周的半径，通过这样的结构设计，使漏电均匀性得以提高。
2、但是在加工上述结构的半导体器件的过程中，在沟槽刻蚀完成之后，若采用常规的清洗工艺，半导体器件终端沟槽处有刻蚀生成物残留，导致产品参数异常，从而导致产品的合格率未达到预期。
3、为此，如何对现有清洗工艺进行优化，特别是针对上述波浪形沟槽优化清洗工艺，以提高产品的合格率，是亟待解决的技术问题
【技术保护点】
1.一种沟槽类半导体器件的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在采用BOE溶液对刻蚀后的晶圆进行清洗的过程中，控制BOE溶液的流量为15至25L/min。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述BOE溶液中还添加有表面活性剂。
7.根据权利要求6...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽类半导体器件的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在采用boe溶液对刻蚀后的晶圆进行清洗的过程中，控制boe溶液的流量为15至25l/min。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述boe溶...
【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞杰，王博龙，张娟辉，邢亚琼，张玉珏，张然，李彩凤，贾纪晨，田道波，
申请(专利权)人：北京燕东微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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