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本申请涉及半导体技术领域，具体提供一种沟槽类半导体器件的清洗方法及制备方法，旨在对现有清洗工艺进行优化，以提高产品的合格率。为此目的，本申请的沟槽类半导体器件的清洗方法包括：采用DHF溶液、SPM溶液、SC1溶液和BOE溶液分别对刻蚀后的晶...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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