本发明提供一种中高压MOS器件及其版图结构和制造方法。本发明的MOS器件的版图结构包括衬底中的第一阱区，和第一阱区中的欧姆接触区；阱区中的第一漂移区和第二漂移区，以及第一漂移区中的源极区和第二漂移区中的漏极区；第一阱区上方包括栅极绝缘层...

本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，结构设置冗余的问题。该测试结构，包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一子测试结构和第二子测试结构；第一测试电极，与每个测试...

本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，测试结构冗余的问题。该测试结构包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一和第二子测试结构；第一测试电极，由金属和通孔与每个测试...

本实用新型公开一种过压防护器件和电子电路。该过压防护器件包括：第一导电类型的衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；位于衬底内具有第二导电类型的隔离区，所述隔离区贯穿衬底的第一表面和第二表面，且在第一表面上的正投影为环形；基于所述衬...

本申请公开一种晶圆清洗方法。一实施例的晶圆清洗方法包括：对晶圆进行第一腐蚀；对晶圆利用第一中心口和第一辅助口进行溢流注水，第一中心口的注水流速为第一流速，第一辅助口的注水流速为第二流速；对晶圆进行第二腐蚀；利用第二中心口和第二辅助口进行...

本申请公开了一种测试结构及测试方法，以解决现有技术中测试效率较低，结构设置冗余的问题。该测试结构，包括：衬底；至少两个测试金属层，每个测试金属层上均设置有子测试结构，子测试结构包括第一子测试结构和第二子测试结构；第一测试电极，与每个测试...

本公开提供了一种半导体器件，包括半导体层，具有相对的第一表面与第二表面，半导体层包括第一掺杂区、第一阱区、第二阱区、第一源区以及第一漏区，第一阱区与第二阱区分别位于第一掺杂区的相对两侧，第一源区位于第一阱区中并暴露于第一表面，第一漏区位...

本实用新型提供一种晶圆夹持装置，包括控制件、第一夹持件以及第二夹持件，控制件连接在第一夹持件与第二夹持件之间，并使得第二夹持件与第一夹持件相互靠近以夹持晶圆；第一夹持件包括第一夹持部与第一支撑部，第一夹持部具有朝向第二夹持件的第一夹持面...

本实用新型提供了一种金属溅射设备及用于其的匹配连接板。该匹配连接板包括中部设置有贯通的匹配于靶材的适配口的连接板本体和设置于连接板本体的裸露壁面上的冷却结构件；其中，连接板本体的裸露壁面为连接板本体设置于金属溅射设备的腔体与靶材之间时暴...

本实用新型实施例提供了一种功率半导体器件及芯片。该功率半导体器件包括半导体基板上多个间隔设置的场限环，最内侧场限环定义出有源区；相邻场限环的第一掺杂区接触或交叠；在相邻两个场限环中，内侧场限环的第一掺杂区底部距离半导体基板下表面的距离不...

本实用新型提供一种IGBT器件及芯片。IGBT器件包括半导体基板上间隔设置的多个场限环，环绕在多个场限环外侧的结终端延伸结构，最内侧的场限环定义出有源区，有源区中设置多个刻开区；相邻场限环的第一掺杂区接触或交叠；结终端延伸结构的第二掺杂...

本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构包括半导体衬底；形成在所述衬底上的栅结构和形成在栅结构两侧的第一栅极侧墙；形成在所述半导体衬底中位于栅结构下方的沟道区、沟道区两侧的轻掺杂区和轻掺杂区两侧外延生长的源漏区，以及分...

本申请涉及半导体元器件加工设备技术领域，提供一种离子注入设备，包括：壳体，其内部具有注入腔，注入腔内设置有晶圆台；一个或多个颗粒吸附装置，设置于注入腔内，与壳体的腔壁绝缘设置，且位于晶圆台的前方和/或后方；其中，颗粒吸附装置包括一个或多...

本申请涉及半导体加工技术领域，本申请提供一种光刻胶供应装置和光刻胶供应系统，包括：消耗侦测容器，其第一端口连接有第一胶管，第二端口连接有第四胶管；其中，第一胶管的另一端用于插入到存储容器内，第四胶管的另一端连接有匀胶单元；缓存容器，其第...

本实用新型提供一种供液系统及包括其的半导体加工装置。该供液系统包括第一原液桶、第一管道以及至少一个配液子系统，配液子系统包括依次连接的第一称量桶、第二管道、配液桶和供液管道；其中：第一原液桶用于盛放第一原液，并通过第一管道将第一原液提供...

本申请实施例提供了一种用于检测机械手上晶圆位置状况的传感器组件及溅射台，涉及金属溅射技术领域。传感器组件包括：包括多个支杆的固定支架和多个光电传感器，对应设置于多个支杆且位于同一圆周上，构成圆环形检测结构；圆环形的直径等于或小于待检测晶...

本实用新型提供了一种基于MOSFET的加速度传感器。该加速度传感器包括半导体基板；位于半导体基板中的源区和漏区，源区与漏区之间为沟道区；位于半导体基板表面的绝缘支撑层；跨设于绝缘支撑层上的栅极层，构成悬浮栅极；以及，位于栅极层的悬浮区域...

本公开提供了一种监测晶圆腐蚀液更换周期的方法，包括：获取腐蚀液的测试作业量，测试作业量表征在腐蚀液的腐蚀速率由第一测试腐蚀速率下降至第二测试腐蚀速率期间对应完成的作业量；根据第二测试腐蚀速率与第一测试腐蚀速率之差获得腐蚀速率变化量；根据...

本发明公开一种晶圆的干燥方法和晶圆的清洗工艺。该干燥方法包括：向干燥腔底部的槽体中注水，并使承托有晶圆的托片器完全没入水中；对槽体溢流注水，并向干燥腔顶部通入载气以进行预清洗，其中注水方式包括自槽体侧部的侧喷式注水、自槽体底部的第一流量...

本申请公开了一种沟槽栅MOSFET的制造方法。沟槽栅MOSFET包括有源区以及围绕有源区的终端区。该制造方法包括：采用介质层形成屏蔽电介质和终端电介质，采用第一导电层形成屏蔽栅和终端导体；以及形成控制栅和栅极电介质，栅极电介质和屏蔽电介...