本发明公开一种电性测试结构以及包含其的晶圆。本发明实施例的电性测试结构包括：衬底，包括分别沿行和列方向排布的第一有源区，在行方向上第一有源区的宽度各不相同；形成在第一有源区上方的沿列方向排列的栅极结构，在列方向上栅极结构的宽度各不相同并...

本实用新型提供了一种用于传送片盒的弓形压板及传送片盒，涉及半导体晶圆加工设备技术领域。弓形压板包括弓形本体和连接构件，弓形本体包括平板部和设置于平板部的纵向端部的弹性压持部；弹性压持部向外且向下延伸，并在末端设置有呈下凸曲面的压触面；连...

本申请公开了半导体器件的热氧化方法和制造方法。该热氧化方法包括：在热氧化的升温阶段，执行至少一次升温氧化处理；在热氧化的降温阶段，执行至少一次降温氧化处理；在热氧化的恒温阶段，同时执行恒温氧化处理及热退火处理，其中，所述至少一次升温氧化...

本公开提供了一种芯片的制造方法，包括在晶圆上形成多个管芯；对晶圆上的多个管芯中的至少部分共同施加偏置；以及在施加偏置状态下，对管芯进行预设加工和/或预设试验。该芯片的制造方法通过将预设加工、预设试验的步骤提前到在封装步骤之前，在晶圆级上...

本申请提供一种气路吹扫装置和气路吹扫系统。其中气路吹扫装置用于对目标设备进行气路吹扫，包括：箱体，其内部限定有用于容纳气瓶的容纳腔，气瓶用于充注吹扫气体；输气管路，设置于容纳腔内，其第一端口用于与气瓶的输气口连通，第二端口穿出箱体用于与...

本申请实施例提供一种片盒搬运装置，包括：用于承载片盒的承载平台；与承载平台连接的第一传感器组件，包括传感器和触发机构，触发机构设置承载平台内，触发机构具有触发端；其中，触发机构的触发端被片盒触压而处于触压状态时，传感器产生第一信号；触发...

本申请实施例提供了一种自归正组件及溅射台，涉及金属溅射技术领域。自归正组件包括：支撑环，其内径大于晶圆直径；多个支撑杆，垂直设置于支撑环的一侧环面上；多个悬臂，以沿支撑环的径向且向内侧水平延伸的方式分别设置于多个支撑杆的末端；悬臂包括连...

本实用新型提供了一种MEMS晶圆，涉及MEMS传感器技术领域。MEMS晶圆包括：晶圆本体，其上阵列排布多个MEMS结构单元；在相邻的MEMS结构单元之间的晶圆本体的正面上形成有划片道；其中，在与划片道相对应的晶圆本体背面上形成有预切割沟...

本申请实施例提供一种洁净间送风系统，应用于洁净厂房，洁净厂房包括：从上至下依次布设且连通的上夹层和洁净间，以及设置于洁净间两侧的回风夹道，回风夹道分别与上夹层和洁净间连通；洁净间送风系统包括：送风装置，设置于上夹层内；第一过滤装置，设置...

本申请实施例提供的一种用于半导体成膜设备的拆装工具，包括：支柱和底端连接件，支柱竖向设置在底端连接件的上表面；长度可调的伸缩杆，伸缩杆的端部转动连接在支柱的上端，且伸缩杆和支柱之间的角度能够调整；抓取结构，连接在底端连接件的端部，用于抓...

本公开提供了一种晶圆的测试结构，包括位于半导体层上并沿第一方向间隔排列的第一伪栅和第二伪栅；第一伪侧墙，位于第一伪栅的外围；第二伪侧墙，位于第二伪栅的外围，至少部分第一伪侧墙与第二伪侧墙相对设置；位于半导体层中的第一掺杂区，第一掺杂区包...

本实用新型公开了一种用于屏蔽栅型MOSFET的测试结构，包括：第一沟槽结构，包括：第一沟槽，至少位于第一沟槽中隔离的第一屏蔽栅和第一测试栅；第一测试栅位于第一屏蔽栅的顶部两侧；第二沟槽结构，包括：第二沟槽，位于第二沟槽中的第二屏蔽栅和彼...

本公开提供了一种晶圆的测试结构，包括位于半导体层表面的第一绝缘层；位于第一绝缘层表面的第一伪栅和第二伪栅，第一伪栅与第二伪栅沿第一方向间隔设置并沿第二方向延伸，构成待测电容的两个极板，第一方向、第二方向以及半导体层的厚度方向彼此垂直；位...

本申请实施例提供一种离子源及具有该离子源的电子设备，其中，离子源包括弧室，弧室内设有容置腔；隔板，设置在容置腔内，将容置腔分隔为隔离区和电离区；灯丝，具有安装端和发射部，其中，灯丝通过安装端设置于隔离区侧的弧室端板上；发射部位于电离区；...

本申请公开一种光刻对准标记和包括其的半导体结构。该对准标记包括：粗对准标记区和精对准标记区，形成在衬底上的第一结构层中，其中粗对准标记区包括阵列排布的粗对准标记，精对准标记区包括阵列排布的精对准标记，并且其中粗对准标记和精对准标记分别包...

本公开提供了一种半导体器件，包括：半导体层，包括器件区；栅极，位于器件区上；第一掺杂区和第二掺杂区，分别位于栅极的相对两侧，并与栅极相邻，至少部分第一掺杂区与至少部分第二掺杂区位于器件区中，第一掺杂区与第二掺杂区的掺杂类型相同，第一掺杂...

公开了一种半导体器件及其封装，包括半导体衬底、外延层、位于外延层中的隔离区、栅区、源区、漏区以及第一电极和第二电极；第一电极位于半导体器件的上表面上，与漏区电连接；第二电极位于半导体衬底的第二表面上，经由半导体衬底、隔离区与栅区和源区电...

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种肖特基势垒器件。肖特基势垒器件包括半导体基板，向内部延伸的多个栅极沟槽和每相邻两个栅极沟槽之间有源区上的有源区沟槽，每一栅极沟槽内壁上形成有栅极绝缘层；位于栅极沟槽内的第一金属插塞，位于有源区沟槽的第...

本实用新型提供了一种MEMS麦克风芯片及MEMS麦克风和电子设备，涉及MEMS麦克风技术领域。MEMS麦克风芯片包括：基板，其上设置有贯通基板厚度的声腔；感应组件，其设置于基板上且覆盖声腔；该感应组件包括层叠且间隔设置的振膜和背极板；振...

本申请实施例提供一种用于离子源灯丝的安装工具，包括：固定杆，具有第一端面，用于与灯丝夹端面抵接；调节组件，滑动设置于固定杆，可相对于固定杆移动；调节组件设有朝向第一端面且与第一端面平行的第一抵接面和第二抵接面，沿固定杆长度方向的第一抵接...