本实用新型提供一种用于电子元器件的包装盒，包括座体、支撑体以及通过支撑体盖设于座体上的盖体，其中：座体顶面上设有背向盖体方向凹陷的固定槽，固定槽用于容置电子元器件的封装体；盖体的底面上设有朝向固定槽延伸的压接部，压接部用于与封装体的底面...

本实用新型公开一种沟槽型功率器件，包括：衬底；形成在衬底第一表面上的漂移区；形成在漂移区上的体区，体区中的掺杂离子为重离子；形成在体区上的第一电极层；从第一电极层远离衬底的表面延伸进漂移区的沟槽；形成在沟槽中的栅绝缘层和多晶硅栅极；覆盖...

本实用新型实施例公开一种半导体组件。在一具体实施方式中，该半导体组件包括：第一导电类型的衬底；形成在衬底上的第二导电类型的掺杂区，其中，第二导电类型与第一导电类型相反；形成在掺杂区上的介电层；形成在介电层中的第一开口和第二开口；以及形成...

本公开提供了一种晶圆，该晶圆包括多个芯片和划片道，划片道分多个芯片中相邻的芯片，其中，至少部分芯片的部分或全部顶角外设置有第一保护结构，第一保护结构位于划片道内，沿平行于晶圆表面的截面，第一保护结构呈弯曲或弯折的条形图案，半包围相应的顶...

本公开提供了一种红外探测器，包括带有红外探测单元的晶圆；以及封装盖，封装盖包括相连的顶部与侧部，顶部与侧部构成空腔，侧部包括至少一个环形连通的沟槽，沟槽自侧部的自由端向顶部的方向延伸，侧部的自由端与晶圆相连，以使红外探测单元置于空腔内，...

本申请公开了一种真空吸笔，该真空吸笔包括依次连通的主体、连接管和吸盘，其中吸盘包括相连接的第一伞状结构和第二伞状结构，第一伞状结构的边缘与轴线之间的夹角大于第二伞状结构的边缘与轴线之间的夹角；主体用于与真空系统连通，使得第一伞状结构能够...

本实用新型提供一种MOSFET器件及芯片。MOSFET器件包括半导体基板；间隔设置的多个场限环，场限环包括形成于半导体基板上表面的沟槽，以及向半导体基板内延伸的第一掺杂区，相邻的第一掺杂区接触或交叠；环绕在场限环外侧的结终端延伸结构，结...

本实用新型实施例提供了一种功率半导体器件及芯片。该功率半导体器件包括：半导体基板；多个间隔设置的场限环，其中最内侧的场限环定义出元件区；每个场限环包括形成于半导体基板上表面的沟槽，以及自沟槽侧部和底部向半导体基板内延伸的掺杂区，且相邻场...

本发明实施例公开了一种测试结构、其制作方法及使用该测试结构的监测方法。该测试结构用于监测在晶圆的管芯区中形成器件结构的工艺异常，包括：沿第一方向延伸的浅沟槽隔离区和由浅沟槽隔离区隔离的至少两个有源区；形成在浅沟槽隔离区和有源区上的至少两...

本申请实施例提供一种刻蚀设备，包括依次连接的刻蚀腔室、第一真空泵、第一排气管、第二排气管以及第二真空泵，第二排气管可拆卸地连接于第一排气管与第二真空泵之间；其中：第二排气管具有连通的第一收集管段和第二收集管段，第一收集管段具有第一端口和...

本专利申请公开一种晶圆的测试结构，该测试结构中的每个测试单元包括：相邻且分隔的多个第一掺杂区与多个第二掺杂区；以及多个栅极结构，沿第一方向，多个第一掺杂区与多个栅极结构间隔排布，第二掺杂区与第一掺杂区对应分布在多个栅极结构之间，第一方向...

本公开提供了一种氧化钒薄膜的刻蚀方法与半导体器件的制造方法。该氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：形成覆盖氧化钒薄膜的部分表面的掩模；以及采用感应耦合等离子刻蚀工艺去除暴露的氧化钒薄膜，其中，感应耦合等离子刻蚀工艺的工艺气体包括刻蚀气体和辅助气体...

本公开提供了一种晶圆，该晶圆包括多个芯片和划片道，划片道分隔相邻的芯片，至少部分芯片包括功能区与围绕功能区的保护区，保护区中设有围绕功能区的保护环，其中，划片道中设有牺牲环，围绕相应的芯片。该晶圆通过在划片道中设置围绕芯片的牺牲环，牺牲...

本公开提供了一种半导体器件，包括半导体层，具有相对的第一表面与第二表面，半导体层包括第一掺杂区、第一阱区、第二阱区、第一源区以及第一漏区，第一阱区与第二阱区分别位于第一掺杂区的相对两侧，第一源区位于第一阱区中并暴露于第一表面，第一漏区位...

本申请实施例提供了一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括：依次层叠设置的第一电极层、半导体基板以及第一层间介质层，半导体基板中设有体区，体区中设有掺杂区；第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽，第一沟槽以及第三沟槽内分别设置有栅极...

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率MOSFET器件及其制备方法。该功率MOSFET器件包括：半导体基板；自半导体基板表面延伸至半导体基板中的体区，以及形成于体区内的掺杂区；体区包括作为元胞区的第一区域，以及位于第一区域周围的第二区...

本实用新型公开了一种分裂栅型MOSFET器件，包括衬底；位于衬底表面的缓冲区；位于部分缓冲区表面的阱区；位于阱区内的第一掺杂区；位于第一掺杂区表面的源极区和漏极区；贯穿第一掺杂区和阱区并延伸至缓冲区中的分裂栅结构，分裂栅结构将源极区和漏...

本实用新型公开了一种晶圆载片盒，以解决现有的晶圆载片盒在晶圆加工过程中对其正反面的朝向具有不同需求时，不得不进行人工倒片所带来的问题。该晶圆载片盒包括用于容置晶圆的盒体，盒体包括两个侧板，两个侧板的内侧对称设置有多个限片齿，相邻两个限片...

本申请实施例提供了一种微机电系统MEMS麦克风芯片及MEMS麦克风，涉及MEMS麦克风技术领域。MEMS麦克风芯片包括：基板，基板具有声腔；振动电极板，振动电极板设置在基板的一侧，振动电极板遮盖声腔；背极板；其中，振动电极板具有朝向基板...

本申请实施例提供了一种微机电系统MEMS麦克风芯片及MEMS麦克风，涉及MEMS麦克风技术领域。MEMS麦克风芯片包括：基板，基板具有声腔；振动电极板和背极板，设置在基板的同一侧，且振动电极板罩盖声腔；其中，振动电极板具有朝向基板的第一...