芯片的制造方法技术

技术编号:34178428 阅读:41 留言:0更新日期:2022-07-17 12:29
本公开提供了一种芯片的制造方法,包括在晶圆上形成多个管芯;对晶圆上的多个管芯中的至少部分共同施加偏置;以及在施加偏置状态下,对管芯进行预设加工和/或预设试验。该芯片的制造方法通过将预设加工、预设试验的步骤提前到在封装步骤之前,在晶圆级上完成这些加工、试验,从而总体提升了芯片的制造效率、降低了封装成本。了封装成本。了封装成本。

【技术实现步骤摘要】
芯片的制造方法


[0001]本公开涉及半导体器件及集成电路制造领域,更具体地,涉及芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件及集成电路制造过程中,经过前道工艺之后,晶圆(wafer)上会形成多个管芯(Die),之后通常还需要进行管芯的初步筛选测试,以获得不合格管芯在晶圆上的分布图(不合格Die的MAP图)。其中,初步筛选测试是利用电学测试参数验证每个管芯是否符合产品规格,不符合的管芯被认为是不合格管芯。随后,对晶圆进行划片以分离管芯,根据不合格Die的MAP图剔除掉初步筛选测试中的不合格管芯,并且对剩下的合格管芯进行封装。由于在封装的步骤中可能会产生线路接触不良等问题,在完成管芯的封装步骤之后,还需要再进行终测,用于判定封装后的管芯(可称为成品管或芯片)是否能够实现预定的功能即是否合格,在剔除不合格芯片后,最终完成芯片的制造步骤。
[0003]对于某些应用于特殊环境下的芯片而言,在封装步骤之后与终测步骤之前,还需要对芯片进行系列的特殊加工和特殊试验。在现有技术中,需要将芯片插接到专用的电路板中,通过专用的电路板向芯片施加一定的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制造方法,包括在晶圆上形成多个管芯;其特征在于,还包括:对所述多个管芯中的至少部分共同施加偏置;以及在施加偏置状态下,对所述管芯进行预设加工和/或预设试验。2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,还包括对所述多个管芯进行初筛选,对初筛选合格的所述管芯的至少部分施加所述偏置。3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,还包括对进行所述预设加工和/或预设试验后的所述管芯进行再筛选,再筛选合格的所述管芯用于封装。4.根据权利要求1

3任一项所述的制造方法,其特征在于,还包括在所述晶圆上形成布线结构,经所述布线结构对所述多个管芯中的至少部分共同施加偏置。5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,形成所述布线结构的步骤包括:在所述晶圆上形成隔离层,所述隔离层覆盖所述多个管芯;在所述隔离层中形成多个接触孔,各所述接触孔与相应的所述管芯的电极对应;在所述隔离层上形成导电层,且所述导电层填充所述多个接触孔从而形成导电插塞,所述导电插塞与对应的所述电极电连接;以及图案化所述导电层以形成所述布线结构,...

【专利技术属性】
技术研发人员:韦仕贡淮永进张欣慰常国王乾戴建业
申请(专利权)人:北京燕东微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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