半导体器件及其封装结构制造技术

公开了一种半导体器件及其封装，包括半导体衬底、外延层、位于外延层中的隔离区、栅区、源区、漏区以及第一电极和第二电极；第一电极位于半导体器件的上表面上，与漏区电连接；第二电极位于半导体衬底的第二表面上，经由半导体衬底、隔离区与栅区和源区电连接。该半导体器件将第一电极和第二电极分别设置在半导体器件的上表面和下表面，可以适应不同封装形式的要求。本实用新型专利技术还提供一种半导体器件的封装结构，在第二支架的支撑部上设置凹槽以固定与芯片上表面电连接的第三支架，对第三支架起到限位作用，并且防止第三支架在塑封体的作用力下发生移动，从而确保第三支架与半导体器件之间保持有效电连接。之间保持有效电连接。之间保持有效电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其封装结构


[0001]本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种半导体器件及其封装结构。

技术介绍

[0002]恒流二极管(CRD，Current Regulative Diode)是一种半导体恒流器件，是用两端结型场效应管(JFET)作为恒流源代替普通的由晶体管、稳压管和电阻等多个元件组成的恒流源，可以在一定的工作范围内保持一个恒定的电流值，其正向工作时为恒流输出，输出电流在几毫安到几十毫安之间，可直接驱动负载，具有电路结构简单，器件体积小、可靠性高等优点，因此得到了非常广泛的应用。尤其是随着仪器仪表、自动控制、载波通讯、航天卫星等
的持续发展，恒流二极管的市场需求不断扩大。
[0003]图1示出现有技术中恒流二极管的俯视图；图2示出图1沿AA
’
线的截面图。如图1和图2所示，所述恒流二极管包括衬底1、外延层2、隔离区3、栅极区4、源区5、漏区6、氧化层7、源电极8、漏电极9以及位于所述源电极和漏电极上方的钝化层10。氧化层7上还设置有第一接触孔11、第二接触孔12和第三接触孔13。栅极区4和源区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型；外延层，位于所述半导体衬底的第一表面上，具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反；隔离区，位于外延层中并围绕有源区设置，具有第一掺杂类型；栅区，自外延层表面延伸至外延层中，具有第一掺杂类型；源区，自外延层表面延伸至外延层中，具有第二掺杂类型；漏区，自外延层表面延伸至外延层中，具有第二掺杂类型；第一电极，位于所述半导体器件的上表面，与所述漏区电连接；第二电极，位于所述半导体衬底的第二表面，经由半导体衬底、隔离区与所述栅区和源区电连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：彼此隔离的第一布线区和第二布线区，其中，所述第一布线区用于将漏区与第一电极电连接；所述第二布线区用于将所述栅区和源区以及隔离区电连接。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一布线区和所述第二布线区呈梳齿状交错设置。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一布线区和所述第二布线区的材料为铝；和/或，所述第一电极和第二电极的材料为钛镍银合金。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：氧化层，位于所述外延层上，覆盖部分所述栅区、部分源区、部分隔离区以及部分漏区；钝化层，位于所述第一布线区和第二布线区上，覆盖部分第一布线区以及覆盖第二布线区；其中，所述氧化层中设有第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔，第一布线区经由第一接触孔与所述漏区接触；第二布线区经由第二接触孔与所述源区接触，以及经由第三接触孔与所述栅区、隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨京花，韦仕贡，常国，张欣慰，
申请(专利权)人：北京燕东微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：