测试结构及测试方法技术

本发明专利技术公开一种测试结构及测试方法。测试结构包括衬底；多个测试金属层，包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；第一至第三测试电极，第一和第二测试电极分别与每个蛇形金属线的第一端和第二端相连，第三测试电极与每个梳齿状结构相连，使第一与第二测试电极间、第一与第三测试电极间、第二与第三测试电极间分别形成第一至第三测试支路；第一和第二测试电极与每个蛇形金属线的两端之间分别串联有第一和第二预设二极管，不同第一测试支路在相同电压下的电流不同，不同第二测试支路中的第一预设二极管在相同偏置下的导通电流不同，不同第三测试支路中的第二预设二极管在相同偏置下的导通电流不同。该测试结构成倍的节省了所占晶圆面积和测试次数。晶圆面积和测试次数。晶圆面积和测试次数。

【技术实现步骤摘要】
测试结构及测试方法


[0001]本专利技术涉及集成电路设计与制造过程中的电性测试
，具体涉及一种测试结构及测试方法。

技术介绍

[0002]集成电路发展进程中最典型的特征之一就是前段器件特征尺寸的缩短以及后段金属布线的日趋复杂。后段金属布线主要是通过电连接为前段器件各个端口提供工作电源或信号路径，因此后段金属互联工艺至关重要。
[0003]为了监控后段金属互联工艺的稳定性，除了生产过程数据的管控以外，金属的各种电学特性比如金属的方块电阻、金属线的连接性和金属线之间的短路及开路等情况也要被监控。因为金属线的主要功能是作为互连线，因工艺异常导致的金属线开路以及临近金属线之间的短路是其中重要的电性测试项目。
[0004]现有的关于后段金属短路和开路的测试结构，遵循分层单独设置的原则，也就是为集成电路中除顶层金属外的每层金属布线层均对应设置一套测试结构。这样的设置有很强的针对性，能很便捷的实现问题的溯源，但是也存在明显的弊端。因为纳米级集成电路制造工艺的金属布线层通常多达6～10层甚至更多，若遵循上述原则来设置测试结构，一方面会占本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上的至少两个测试金属层，每个测试金属层均包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；第一测试电极至第三测试电极，其中第一测试电极与每个测试金属层中的蛇形金属线的第一端分别相连，第二测试电极与每个测试金属层中的蛇形金属线的第二端分别相连，第三测试电极与每个测试金属层中的梳齿状结构相连，使第一测试电极与第二测试电极之间形成至少两个第一测试支路，第一测试电极与第三测试电极之间形成至少两个第二测试支路，第二测试电极与第三测试电极之间形成至少两个第三测试支路；其中，在第一测试电极与每个测试金属层的蛇形金属线的第一端之间还串联有第一预设二极管，在第二测试电极与每个测试金属层的蛇形金属线的第二端之间还串联有第二预设二极管；不同第一测试支路在相同电压下的导通电流不同，不同第二测试支路中的第一预设二极管在相同偏置下的正向导通电流不同，不同第三测试支路中的第二预设二极管在相同偏置下的正向导通电流不同。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在相同偏置下，同一第一测试支路中的第一预设二极管与第二预设二极管的正向导通电流相同。3.根据权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，同一第一测试支路中的第一预设二极管和第二预设二极管能够通过蛇形金属线实现正向串联。4.根据权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述第三测试电极位于第一测试电极与第二测试电极之间；所述蛇形金属线包括相连接的两部分，其中一部分位于第一测试电极与第三测试电极之间，另一部分位于第三测试电极与第二测试电极之间。5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述梳齿状结构包括第一梳齿状结构和第二梳齿状结构，所述第一梳齿状结构和所述第二梳齿状结构分别从所述蛇形金属线的两侧与所述蛇形金属线穿插。6.根据权利要求5所述的测试结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：代佳，刘恩峰，李静怡，
申请(专利权)人：北京燕东微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：