【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件
本技术涉及半导体器件制造领域，特别涉及一种半导体器件。
技术介绍
功率场效应晶体管(Power MOSFETs)被广泛的用作消费电子产品、工业机器、汽车以及高速火车等中的电功率转换的器件。通过结构上的改进，性能提高也逐年得到实现。与平面型器件相比，采用沟槽技术的功率场效应晶体管提供了每单位面积上具有显著增长的沟道宽度。并且，采用沟槽技术的半导体器件提供了优异的开关特性，并且被用在要求快速开关的应用中。在公知的沟槽MOSFET情况下，仍需进一步提高Rds (on) x A。已有的方案大致遵循图4所示的总体结构。在图4中提供采用η型MOSFET为示例的场板半导体器件。场板半导体器件可以是P型M0SFET。提供重掺杂(在本示例中为η+掺杂)的衬底以形成漏极区405。衬底可以包括但不限于硅。所述漏极区405电连接到半导体器件40的底部表面处的漏极金属400。例如，通过外延生长在所述漏极区405上形成漂移区410 (在本示例中为η掺杂)。在所述漂移区410上方形成与所述漂移区410具有相同导电类型的源极区425 (本示例中为η+型)，并且该源极区通过...
【技术保护点】
一种半导体器件,?其特征在于,?所述器件包括:半导体本体;所述半导体本体中的单元区域，其中所述单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，所述结构包括：???????与半导体本体的第一表面邻接的第一导电类型的漏极区（300）；???????位于所述漏极区上的第一导电类型的漂移区（302）；???????与半导体本体的第二表面邻接的第一导电类型的源极区（330）；???????形成在所述源极区（330）与所述漂移区（302）之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区（325）;????????纵向延伸穿过所述源极区（330）与所述本体区（325）并进入所述漂移区（3...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括: 半导体本体； 所述半导体本体中的单元区域，其中所述单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，所述结构包括: 与半导体本体的第一表面邻接的第一导电类型的漏极区(300)； 位于所述漏极区上的第一导电类型的漂移区(302)； 与半导体本体的第二表面邻接的第一导电类型的源极区(330)； 形成在所述源极区(330 )与所述漂移区(302 )之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区(325); 纵向延伸穿过所述源极区(330 )与所述本体区(325 )并进入所述漂移区(302 )的沟槽，其中形成所述沟槽使得所述源极区和所述本体区在横向上比所述漂移区宽； 形成在所述沟槽中的第一场板(315)和其上的栅极区(320)，其中所述第一场板(315)和所述栅极区(320)彼此以绝缘层(346)绝缘，所述栅极区(320)与围绕的半导体本体以栅氧化物(351)绝缘，并且所述第一场板(315)与围绕的半导体本体以栅氧化物(305)绝缘，其中沟槽底部的场氧化物比沟槽侧壁的场氧化物厚； 位于所述半导体本体第二表面上的层间介电层；以及 延伸穿过所述层间介电层中的接触孔并且电连接到所述源极区和本体区的源极金属化层(345)。2.如权利要求1所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：O布兰克，W里格，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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