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本实用新型公开了一种半导体器件,该器件包括:半导体本体;半导体本体中的单元区域，其中单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，所述结构包括：漏极区，漂移区，源极区，本体区，纵向延伸穿过源极区与本体区并进入漂移区的沟槽,其中形成沟槽使得源极区...
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