【技术实现步骤摘要】
高低结多子电导调制功率MOSFET器件
本专利属于半导体功率开关器件领域，尤其与具有电导调制效应的中、高压功率MOSFET器件有关。
技术介绍
功率MOSFET和 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)是当前应用最广泛的两类电压控制型(也称电压驱动型)功率开关器件，它们用高输入阻抗的MOS栅控制大电流的流动，它们的专利技术被认为是功率开关器件(也称为电力电子器件)领域的重大革命。在这两类功率开关器件中，导通电阻(它决定导通损耗)、耐压、开关速度(开关频率)是最重要的三个关键电参数。在低压(耐压约100伏以下)功率器件中，导通电阻主要由沟道电阻决定；在中压(耐压约100~1000伏)，尤其是高压(耐压超过1000伏)功率器件中，导通电阻主要由掺杂浓度极低且厚度很厚的高阻漂移区的电阻决定。因此，为了降低中、高压功率MOSFET和IGBT器件的器件导通电阻，重点是在不明显降低耐压和速度的前提下，设法尽力提高漂移区的电导率(降低高阻漂移区的电阻)。电导率由载流子密度和载流子迁移率决定，改变迁移率很困难，而...
【技术保护点】
一类高低结多子电导调制功率MOSFET器件，由MOSFET元胞(101)，N/N?高低结(102)，N?漂移区(103)，以及器件衬底(104)四部分组成；其结构特征是它在由MOSFET元胞(101)，N?漂移区(103)，以及器件衬底(104)三部分组成的常规功率MOSFET器件的P?基区(2)与N?漂移区(3)之间插入一个掺杂浓度比N?漂移区掺杂浓度高得多但低于沟道区(7)中峰值浓度的N层(6)，它与N?漂移层构成具有多子注入功能的N/N?高低结J4；当器件处于开态工作时，漏极电压恰好使N/N?高低结J4处于正偏，它驱使静态时形成的的高浓度电子积累层(19)中的可动电子...
【技术特征摘要】
1.一类高低结多子电导调制功率MOSFET器件，由MOSFET元胞(101)，N/K高低结(102)，N_漂移区(103)，以及器件衬底(104)四部分组成；其结构特征是它在由MOSFET元胞(101)，N—漂移区(103)，以及器件衬底(104)三部分组成的常规功率MOSFET器件的P-基区(2)与N—漂移区(3)之间插入一个掺杂浓度比N—漂移区掺杂浓度高得多但低于沟道区(7)中峰值浓度的N层(6)，它与N—漂移层构成具有多子注入功能的N/N—高低结J4;当器件处于开态工作时，漏极电压恰好使N/N—高低结J4处于正偏，它驱使静态时形成的的高浓度电子积累层(19)中的可动电子和N层(6)中的高浓度可动电子同时向N—漂移区(3)注入，增大N—漂移区(3)的电导率，实现对N—漂移区的多子电导调制，降低N—漂移区的导通电阻，从而降低中、高压功率MOSFET的总导通电阻。2.根据权利要求1所述的高低结多子电导调制功率MOSFET器件，其特征是所说的组成该器件之MOSFET元胞(101)部分的元胞，是沟槽栅结构的UMOS元胞，或是平面栅结构的DMOS元胞。3.根据权利要求2所述的高低结多子电导调制功率MOSFET器件，其特征是组成该器件之MOSFET元胞(101)部分的UMOS元胞或DMOS元胞的总体，是全部由有效元胞构成，或是由一部分有效元胞(MR)和一部分用绝缘层覆盖而不与源电极相连的假元胞(DR)的组合构成。4.根据权利要求2所述的高低结多子电导调制功率MOSFET器件，其特征是组成该器件之UMOS...
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