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高低结多子电导调制功率MOSFET器件是在常规功率MOSFET的P-基区与N-漂移区之间插入一个掺杂浓度比N-区高得多之N层的改进型功率MOSFET器件。这N层与N-层构成具有多子注入功能的N/N-高低结。器件处于开态时，漏极电压恰好给该高...
该专利属于王立模所有，仅供学习研究参考，未经过王立模授权不得商用。

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