【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶闸管
，具体为一种具有耐高温功能的晶闸管。
技术介绍
电力电子器件在大功率状态下工作，电力电子器件在大功率状态下工作，过程中产生大量的热使器件的温度升高，需要散热装置进行散热以维持器件在一定的温度下正常工作，器件高温性能决定器件能否正常工作的特性，行业中用最高结温这个概念来描述，结温就是器件可以正常工作的最高温度。器件的结温越高越能保证器件在越高的温度下稳定可靠工作。提高器件的结温是由改进器件的结构设计和工艺实施来实现的。目前的晶闸管在和阴极间施加足够大的正向电压时，基区中的载流子在电场作用下发生漂移，当漂移电流达到一定的值，门极如果没有施加电压，晶闸管便不会导通，并且当温度升高，基区中的部分载流子不能得到能量到达导带，在正向电场作用下发生漂移产生正向电流，使晶闸管得不到导通，这两种情况是非正常情况，应该尽量避免。器件的结温越高，越不能在高温条件下正常工作，甚至会发生误导通。现在急需一种晶闸管来解决目前的晶闸管不能在高温情况下工作的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有耐高温功能的晶闸管，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有耐高温功能的晶闸管，包括管壳和半导体芯片，所述管壳包裹在半导体芯片外围，所述半导体芯片由下向上依次排列阳极钼片、P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区和N2阴极发射区，所述P1阳极发射区的厚度不超过70微米，所述N1长基区厚度不低于100微米，所述阳极钼片和P1阳极发射区之间设置厚度为3-8微米的P+高浓度区。优选的，所述阳极钼片的顶部设置护极板。优选的，所述护极板的外...
【技术保护点】
一种具有耐高温功能的晶闸管，包括管壳(9)和半导体芯片(10)，所述管壳(9)包裹在半导体芯片(10)外围，所述半导体芯片(10)由下向上依次排列阳极钼片(6)、P1阳极发射区(4)、N1长基区(3)、P2短基区(2)和N2阴极发射区(1)，其特征在于：所述P1阳极发射区(4)的厚度不超过70微米，所述N1长基区(3)厚度不低于100微米，所述阳极钼片(6)和P1阳极发射区(4)之间设置厚度为3‑8微米的P+高浓度区(5)。
【技术特征摘要】
1.一种具有耐高温功能的晶闸管，包括管壳(9)和半导体芯片(10)，所述管壳(9)包裹在半导体芯片(10)外围，所述半导体芯片(10)由下向上依次排列阳极钼片(6)、P1阳极发射区(4)、N1长基区(3)、P2短基区(2)和N2阴极发射区(1)，其特征在于：所述P1阳极发射区(4)的厚度不超过70微米，所述N1长基区(3)厚度不低于100微米，所述阳极钼片(6)和P1阳极发射区(4)之间设置厚度为3-8微米的P+高浓度区(5)。2....
【专利技术属性】
技术研发人员：杨景仁，
申请(专利权)人：襄阳硅海电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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