半导体器件和制造该半导体器件的方法技术

根据本发明专利技术的半导体器件包括：熔丝图案，其位于第一层间绝缘膜上并彼此隔开预定距离；第二层间绝缘膜，其位于第一层间绝缘膜上并设置在熔丝图案之间；以及覆盖膜图案，其形成在熔丝图案和第二层间绝缘膜上，覆盖膜图案包括狭缝，狭缝使第二层间绝缘膜露出。

Semiconductor device and method for manufacturing the same

According to the semiconductor device of the present invention comprises the fuse pattern, which is located in the first interlayer insulating film and a predetermined distance apart from each other; the second interlayer insulating film on the first interlayer insulating film and is arranged in the fuse pattern; and covering film pattern formed on the fuse pattern and the interlayer insulating film second and the covering film pattern includes a slit, slit the second interlayer insulating film is exposed.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地涉及如下半导体器件:其中，在熔丝图案上形成有包括狭缝的覆盖膜图案，以防止覆盖膜图案中出现裂纹，覆盖膜图案可以防止由于铜迁移和氧化而导致的缺陷。
技术介绍
如果半导体存储器件中所容纳的众多单元(cell，又称为晶胞)中的一个单元存在缺陷部分或故障部分，则可以利用测试来确定该半导体存储器件是否有缺陷。即使可能仅半导体存储器件的众多单元中的一小部分单元存在故障，仍然将整个半导体存储器件作为缺陷产品丢弃，因而对成品率产生有害影响。为了解决上述问题，可以执行如下修复工序:其中，用半导体存储器件中的冗余单元来代替缺陷单元，从而可以重新利用整个半导体器件，使得成品率上升。为了用冗余单元代替缺陷单元，使得半导体存储器件包括熔丝(fuse)。利用对与缺陷单元相连的熔丝施加激光能量以切断熔丝的熔断工序来执行上述修复工序。通常，熔丝不是利用单独的制造工序来形成的，而是延长金属线的一部分并将延长部分用作熔丝。近来，用电阻率比铝(Al)或钨(W)的电阻率低的铜(Cu)形成金属线，以改善信号传输特性，因而熔丝也由铜(Cu)形成。
技术实现思路
本专利技术旨在提供基本解决了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的。本专利技术涉及如下半导体器件:其中，在熔丝图案上形成有包括狭缝的覆盖膜图案，以防止覆盖膜图案中出现裂纹，覆盖膜图案可以防止由于铜(Cu)迁移和氧化而导致的缺陷。根据本专利技术的一个方面，一种半导体器件包括:第一熔丝图案和第二熔丝图案，其位于第一层间绝缘膜上并形成为彼此隔开预定距离；第二层间绝缘膜，其设置在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间；以及覆盖膜图案，其形成在所述第一熔丝图案、所述第二熔丝图案和所述第二层间绝缘膜上，并形成为包括狭缝，所述狭缝使所述第二层间绝缘膜露出。所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜分别包括第一氧化物材料和第二氧化物材料。所述熔丝图案可以包括铜。所述覆盖膜图案可以包括氮化物膜。所述覆盖膜图案可以形成为覆盖所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的整个顶面以及所述第二层间绝缘膜的顶面的一部分。所述覆盖膜图案的长度可以在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的长度的2.5倍和3.5倍之间。所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的中间部分是熔断区。所述狭缝的长轴长度可以长于所述熔丝图案的熔断区的长轴长度，并可以短于所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的长轴长度。所述半导体器件还可以包括第三层间绝缘膜，所述第三层间绝缘膜包括开口区，所述开口区使所述覆盖膜图案的顶面和所述第二层间绝缘膜的露出部分露出。根据本专利技术的另一个方面，一种制造半导体器件的方法包括:在半导体基板上形成第一层间绝缘膜；形成第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和第二熔丝图案被形成在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜的一部分彼此隔开；在所述第一熔丝图案、所述第二熔丝图案和所述第二层间绝缘膜上形成覆盖膜；形成覆盖膜图案；以及通过蚀刻所述覆盖膜的设置在所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的一部分，在所述覆盖膜图案中形成狭缝。所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜可以包括第一氧化物膜和第二氧化物膜。形成所述熔丝图案的步骤可以包括:通过蚀刻所述第二层间绝缘膜来形成限定熔丝区的沟槽；在包括所述沟槽的所述第二层间绝缘膜上沉积金属层；以及移除所述金属材料，直到所述第二层间绝缘膜露出为止。形成所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的步骤可以包括:在所述第一层间绝缘膜上形成金属层；在所述金属层上形成限定所述熔丝图案的掩模图案；以及使用所述掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述金属层。所述方法还可以包括:在形成所述沟槽之后，在所述沟槽的内壁上形成阻挡金属层，其中，所述金属材料包括铜。当形成所述覆盖膜时，所述覆盖膜可以包括氮化物膜。当形成所述覆盖膜图案时，所述覆盖膜图案的长度可以在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的长度的2.5倍和3.5倍之间。所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的中间部分可以是熔断区。所述狭缝的长轴长度可以长于所述熔丝图案的熔断区的长轴长度，并且可以短于所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的长轴长度。所述方法还可以包括:在形成所述覆盖膜图案之后，在所述覆盖膜图案上形成第三层间绝缘膜；以及通过蚀刻所述第三层间绝缘膜来形成开口熔丝区，所述开口熔丝区使所述覆盖膜图案的顶面和所述第二层间绝缘膜的被所述狭缝露出的部分露出。所述方法还可以包括:在形成所述开口熔丝区之后，执行向所述开口熔丝区施加激光而采用的熔断工序，从而切断所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案中的一者。应该理解的是，本专利技术的以上概括描述和以下详细描述都是示例性的和解释性的，并且旨在提供权利要求书所要求保护的本专利技术的更详细的解释。【附图说明】图1是示出根据本专利技术的半导体器件的俯视图和剖视图。图2A至图2E是示出根据本专利技术的实施例的半导体器件和制造该半导体器件的方 法的剖视图。【具体实施方式】下面参考附图所示的实例来详细描述本专利技术的实施例。将在全部附图中尽量地用相同的附图标记表示相同或相似的部分。图1示出根据本专利技术的实施例的半导体器件。更详细地说，图1中的(i)是示出半导体器件的俯视图，图1中的(ii)是示出沿着图1中的(i)中的线1-1’截取的半导体器件的剖视图。参考图1，在半导体基板100上形成第一层间绝缘膜115和第二层间绝缘膜120 ；在第二层间绝缘膜120中，熔丝图案125彼此隔开预定距离。在本实施例中，第一层间绝缘膜115和第二层间绝缘膜120中的每一者可以由激光透射材料(例如，氧化物材料)形成。每个熔丝图案125均可以形成条形形状，并且每个条形形状的中间部分为熔断区。在第二层间绝缘膜120上形成包括狭缝133的覆盖膜图案130a，狭缝133使第二层间绝缘膜120的一部分露出。覆盖膜图案130a形成为:不仅覆盖熔丝图案125的上部，而且覆盖第二层间绝缘膜120的一部分上部。在本实施例中，狭缝133之间的覆盖膜图案130a的临界尺寸⑶(长度)(Wl)可以在熔丝图案125的临界尺寸⑶(W2)的2.5倍和3.5倍之间。另外，狭缝133的长轴⑶(W3)可以长于熔丝图案125的熔断区140的长轴⑶(W4)，并可以短于熔丝图案125的长轴⑶(W5)。另外，半导体器件还可以包括第三层间绝缘膜135，第三层间绝缘膜135包括开口熔丝区145，开口熔丝区145使覆盖膜图案130a的顶面和第二层间绝缘膜120的一部分露出。对上述熔丝结构执行熔断工序，该熔断工序用于通过向开口熔丝区145施加激光来切断熔丝。在本实施例中，向开口熔丝区145施加的激光可以使用短波长激光(例如，波长(λ )为500nm至570nm的绿色激光)。然而，本专利技术的范围或精神不仅限于绿色激光，其它实施例可以施加其它激光。向开口熔丝区145施加的激光能量穿过位于相应的熔丝图案125下方的第一层间绝缘膜115，一部分激光能量从半导体基板100反射，如图1中的“⑤”部分所示。被反射的激光能量经由覆盖膜图案130a中所包括的狭缝133射出，因而可以防止覆盖膜130a被施加应力。换句话说，覆盖膜图案130a的狭缝133可以起到应力缓冲部的作用，从而防止覆盖膜图案130a中出现裂纹。另外，狭缝133可以防止被反射的激光能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一熔丝图案和第二熔丝图案，其位于第一层间绝缘膜上并彼此隔开预定距离；第二层间绝缘膜，其在所述第一层间绝缘膜上设置于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间；以及覆盖膜图案，其设置在所述第一熔丝图案、所述第二熔丝图案和所述第二层间绝缘膜上并包括狭缝，所述狭缝使所述第二层间绝缘膜的一部分露出。

【技术特征摘要】
2012.07.16 KR 10-2012-00772551.一种半导体器件,包括: 第一熔丝图案和第二熔丝图案，其位于第一层间绝缘膜上并彼此隔开预定距离； 第二层间绝缘膜，其在所述第一层间绝缘膜上设置于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间；以及 覆盖膜图案，其设置在所述第一熔丝图案、所述第二熔丝图案和所述第二层间绝缘膜上并包括狭缝，所述狭缝使所述第二层间绝缘膜的一部分露出。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 所述第一层间绝缘膜包括第一氧化物材料，所述第二层间绝缘膜包括第二氧化物材料。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 所述熔丝图案包括铜。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 所述覆盖膜图案包括氮化物膜。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 所述覆盖膜图案形成为覆盖所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案的整个顶面以及所述第二层间绝缘膜的顶面的一部分。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中， 所述覆盖膜图案的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金廷烈，崔基寿，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：