半导体封装结构的形成方法技术

一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和焊垫层表面的钝化层，钝化层中具有暴露焊垫层表面的第一开口；在第一开口上形成凸下金属层；在凸下金属层上形成金属柱；刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；形成牺牲层，牺牲层填充所述底切缺陷；形成覆盖牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层一端表面的第三开口；沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通；形成填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属。本发明专利技术的方法提高了封装结构的可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，包括：提供半导体基底，半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和焊垫层表面的钝化层，钝化层中具有暴露焊垫层表面的第一开口；在第一开口上形成凸下金属层；在凸下金属层上形成金属柱；刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；形成牺牲层，牺牲层填充所述底切缺陷；形成覆盖牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露牺牲层一端表面的第三开口；沿第三开口去除所述牺牲层，形成空腔，所述空腔与第三开口连通；形成填补所述底切缺陷的补偿层，所述补偿层的材料为金属。本专利技术的方法提高了封装结构的可靠性和稳定性。【专利说明】
本专利技术涉及半导体封装领域，特别涉及一种。
技术介绍
半导体封装是指将晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。现有半导体封装包括引线键合封装和倒装芯片封装等方式。与引线键合封装方式相比，倒装芯片封装方式具有封装密度高，散热性能优良，输入/输出(I/o)端口密度高和可靠性高等优点。较早的倒装芯片封装方式在芯片上设置焊垫，并利用设置在焊垫(包括输入/输出焊垫)上的凸点与封装基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有焊垫层；形成覆盖所述半导体基底和部分焊垫层表面的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分焊垫层表面的第一开口；在第一开口的侧壁和底部以及钝化层上形成凸下金属层；形成覆盖所述凸下金属层的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有暴露第一开口上的部分凸下金属层的第二开口；在第二开口中形成金属柱；去除所述第一掩膜层；刻蚀去除金属柱两侧的凸下金属层，金属柱底部剩余的凸下金属层的边缘具有向金属柱底部凹陷的底切缺陷；在金属柱两侧的部分钝化层上形成牺牲层，所述牺牲层填充所述底切缺陷；形成覆盖所述牺牲层、钝化层和金属柱的第二掩膜层，所述第二掩膜...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石磊，陶玉娟，
申请(专利权)人：南通富士通微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：