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一种半导体封装结构的形成方法,包括:提供半导体基底,半导体基底上形成有焊垫层;形成覆盖所述半导体基底和焊垫层表面的钝化层,钝化层中具有暴露焊垫层表面的第一开口;在第一开口上形成凸下金属层;在凸下金属层上形成金属柱;刻蚀去除金属柱两侧的凸下金...该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体封装结构的形成方法,包括:提供半导体基底,半导体基底上形成有焊垫层;形成覆盖所述半导体基底和焊垫层表面的钝化层,钝化层中具有暴露焊垫层表面的第一开口;在第一开口上形成凸下金属层;在凸下金属层上形成金属柱;刻蚀去除金属柱两侧的凸下金...